DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：TC58BVG2S0HTA00 编号：C17228640

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG2S0HTA00是一款单3.3V 4Gbit NAND闪存，支持自动擦除和编程操作，适用于需要高密度非易失性存储的应用场景。该芯片具有内部ECC逻辑，可以纠正每个528字节的数据中的8位错误。

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￥27.88
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￥11.13
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￥10.57

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型号：IS42S32400F-7TLI-TR 编号：C2064046

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

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￥35.36
200+
￥13.69
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型号：IS43TR16256BL-107MBL-TR 编号：C17204661

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥92.65
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￥36.97
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￥35.74
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￥35.13

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型号：IS43TR16256BL-125KBL-TR 编号：C17216882

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-125KBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥104.64
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￥41.75
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￥39.67

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型号：IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 编号：C17295876

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥107.69
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型号：IS46TR16256B-125KBLA2-TR 编号：C17204660

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-125KBLA2-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1066 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥116.04
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￥46.3
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￥44.75
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￥43.99

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型号：IS46TR16256B-107MBLA2-TR 编号：C17296165

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-107MBLA2-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥120.99
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￥48.28
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型号：IS42S16160D-75ETLI 编号：C20491009

封装：TSOPII-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160D 是一款 256Mb 的 SDRAM，支持高速数据传输。该芯片具有全同步接口，所有信号都参考时钟的上升沿。内部配置为 4 个bank，每个bank为 4M x 16 x 4 bank。工作电压为 3.3V ± 0.3V，支持多种突发长度和可编程的 CAS 延迟。

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￥134.33
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￥53.6
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￥51.81
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￥50.93

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型号：MT49H8M36SJ-25:B TR 编号：C2062137

封装：FBGA-144(11x18.5)

品牌：micron(镁光)

Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

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￥157.08
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￥60.79
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￥58.66
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￥57.6

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型号：IS43TR16512BL-125KBL 编号：C1350343

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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单价：
￥138.156224 / 个

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型号：IS43TR16512BL-107MBL 编号：C1236817

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-107MBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

数据手册

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￥255.35
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￥98.82
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￥95.35
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￥93.63

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型号：MT49H8M36SJ-25E:B 编号：C2065622

封装：FBGA-144(11x18.5)

品牌：micron(镁光)

Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

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￥290.83
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￥112.55
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￥106.64

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型号：IS43TR81024B-125KBLI 编号：C1236872

封装：TWBGA-78(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR81024B-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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￥294.26
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￥113.88
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型号：NAND32GW3F4AN6E 编号：C19529408

封装：TSOP-48

品牌：micron(镁光)

NAND32GW3F4A是一款32Gbit（4 x 8Gbit）的单级单元（SLC）NAND闪存存储器，支持4224字节页面，双芯片使能，3V供电，多平面架构。适用于高密度存储应用。

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￥903.86
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￥360.65
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￥348.6
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￥342.64

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型号：IS49RL18320-107BL 编号：C1353410

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

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￥443.72
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￥171.72
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￥165.68
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￥162.7

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型号：IS49RL36160-125EBLI 编号：C1353082

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达800MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

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￥474.08
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￥183.47
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￥177.02
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￥173.83

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型号：IS49RL18320-125EBLI 编号：C1353093

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达800MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

数据手册

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￥474.08
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￥183.47
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￥177.02
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￥173.83

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型号：IS49RL18320-107EBL 编号：C1353073

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

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￥492.7
200+
￥190.67
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￥183.97
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￥180.66

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型号：IS49RL36160-107EBL 编号：C1353070

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

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1+
￥492.7
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￥190.67
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￥183.97
1000+
￥180.66

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型号：IS49RL36160-093EBLI 编号：C1352938

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达1066MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

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1+
￥580.85
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￥224.78
500+
￥216.88
1000+
￥212.98

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型号：IS49RL18320-093EBLI 编号：C1352940

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达1066MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

数据手册

1+
￥580.85
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￥224.78
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￥216.88
1000+
￥212.98

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型号：MT41K512M16HA-107:A 编号：C1137480

封装：FBGA-96(9x14)

品牌：Alliance Memory

MT41K512M16HA-107:A 是一款低功耗 DDR3L SDRAM，支持 64MB x 16 x 8 banks配置。它的工作电压为 1.35V (1.283-1.45V)，时钟频率为 1866MHz。该芯片支持多种命令和功能，包括自动预充电、突发写入和读取等。

数据手册

1+
￥151.2
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￥58.52
500+
￥56.46
1000+
￥55.44

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型号：AS4C512M16D3LC-12BCN 编号：C17377236

封装：FBGA-96(9x13)

品牌：Alliance Memory

8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为0°C至95°C，最大时钟频率为800MHz。

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￥262.1
190+
￥104.58
570+
￥101.09
950+
￥99.36

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型号：AS4C512M16D3LC-10BCN 编号：C20348759

封装：FBGA-96(9x13)

品牌：Alliance Memory

8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为0°C至95°C，最大时钟频率为933MHz。

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￥262.1
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￥104.58
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￥101.09
950+
￥99.36

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型号：AS4C512M16D3LC-10BIN 编号：C20348760

封装：FBGA-96(9x13)

品牌：Alliance Memory

8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为-40°C至95°C，最大时钟频率为933MHz。

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￥285.7
190+
￥114
570+
￥110.19
950+
￥108.31

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型号：AS4C512M16D3LC-12BIN 编号：C17328922

封装：FBGA-96(9x13)

品牌：Alliance Memory

8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为-40°C至95°C，最大时钟频率为800MHz。

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￥335.88
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￥134.02
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￥129.54
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￥127.33

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型号：MT41K512M16HA-125:A 编号：C1137481

封装：FBGA-96(9x14)

品牌：Alliance Memory

MT41K512M16HA-125:A 是一款低功耗 DDR3L SDRAM，支持 64MB x 16 x 8 banks配置。它的工作电压为 1.35V (1.283-1.45V)，时钟频率为 1600MHz。该芯片支持多种命令和功能，包括自动预充电、突发写入和读取等。

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￥397.2
200+
￥153.71
500+
￥148.31
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￥145.64

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型号：CY7C1482BV33-200BZI 编号：C2949523

封装：FBGA-165(15x17)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1482BV33是一款72-Mbit (4M x 18)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持200MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。

1+
￥73.68
210+
￥28.52
525+
￥27.51
1050+
￥27.02

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型号：CY7C1480V33-167AXC 编号：C2949528

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1480V33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持167MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为100-pin TQFP(14 × 20 × 1.4 mm)。

1+
￥94
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￥36.38
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￥35.1
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￥34.47

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型号：N64S818HAT21I 编号：C897838

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

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￥8.29
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￥3.21
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