DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：S-93L66AR0I-J8T1U 编号：C2062079

封装：SOP-8

S-93L66A是一款低电压操作的3线串行EEPROM，支持16位字长，具有256字×16位的存储容量。该芯片支持顺序读取，具有写保护功能，可在低电源电压下防止误写入。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：S-24C16DI-K8T3U5 编号：C2062115

封装：TMSOP-8-2.8mm

这是一款低功耗、宽范围操作的2线串行EEPROM。它具有16 K-bit的存储容量，组织方式为2048字节×8位。该芯片支持1.7V到5.5V的工作电压，最大时钟频率为1.0 MHz（Vcc = 2.5 V到5.5 V）或400 kHz（Vcc = 1.7 V到5.5 V）。写入时间为5.0 ms，数据保持时间为100年。

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型号：CY7C1061G18-15BV1XI 编号：C2948895

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：71024S20YG 编号：C1351795

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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型号：71024S20TYG 编号：C1348816

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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型号：BR25H128F-2LBH2 编号：C2062210

封装：SOP-8-4.4mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H128F-2LB是一款支持工业市场的长寿命支持的串行EEPROM，采用SPI接口方法。它具有高达10MHz的高速时钟操作，2.5V至5.5V的单电源操作，适合电池使用。该芯片支持页写模式，适用于工厂发货时的初始值写入。封装为SOP8，尺寸为5.00mm x 6.20mm x 1.71mm。低功耗，待机电流仅为0.1uA。支持100年的数据保留时间和超过1百万次的写周期寿命。

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型号：W27C512-45Z 编号：C19311781

封装：PDIP-28

品牌：Winbond(华邦)

W27C512是一种高速、低功耗的电可擦除可编程只读存储器，提供电气芯片擦除功能。具有高速访问时间、低读取电流和编程/擦除电流，支持单5V供电。提供28针600mil DIP和32针330mil PLCC封装。

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型号：N25S818HAS21I 编号：C897678

封装：SOIC-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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型号：N25S818HAT21I 编号：C897836

封装：TSSOP-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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型号：W94AD6KBHX6I 编号：C17490410

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W94AD6KBHX6I是一款1Gb移动LPDDR SDRAM，支持低功耗模式和高性能读写操作。它具有166MHz的工作频率，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于工业级应用。该芯片支持多种突发长度和突发类型，以及自动预充电和部分阵列自刷新等功能。

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型号：CAT28C256NI15 编号：C7228132

封装：PLCC-32(11.4x14)

CAT28C256是一款快速、低功耗的5V CMOS并行EEPROM，组织为32K x 8位。它需要简单的在系统编程接口。芯片上带有地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和Vcc电源上下电写保护。数据轮询和状态位信号指示自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28C256还具有硬件和软件写保护。

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型号：CAT28LV65H13I25T 编号：C5591180

封装：TSOP-28

CAT28LV65是一款低电压、低功耗的CMOS并行EEPROM，组织为8K x 8位。它需要一个简单的接口进行在系统编程。芯片上的地址和数据锁存器、自定时写周期、自动清除和Vcc电源上下写保护消除了额外的定时和保护硬件。数据轮询、RDY/BUSY状态位和切换状态位信号自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28LV65还具有硬件和软件写保护。

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型号：CAT28C256G-12T 编号：C19423043

封装：PLCC-32(11.4x14)

CAT28C256是一款快速、低功耗的5V CMOS并行EEPROM，组织为32K x 8位。它需要简单的在系统编程接口。芯片上带有地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和Vcc电源上下电写保护。数据轮询和状态位信号指示自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28C256还具有硬件和软件写保护。

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型号：S-24C128CI-J8T1U3 编号：C2061912

封装：SOP-8

S-24C128C是一款128K位的I2C串行E2PROM，支持页写和顺序读功能。该芯片的工作电压范围为1.6V至5.5V，操作频率为400kHz，写周期时间为5.0ms，耐久性为100万次/字节，数据保留时间为100年。

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￥2.8472
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型号：S-25C020A0I-J8T1U 编号：C2062487

封装：SOP-8

S-25C020A是一款SPI接口的串行EEPROM，具有高工作速度、低电流消耗和宽工作范围。该芯片的存储容量为2 K-bit，支持页写和顺序读取。

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型号：71024S15YG 编号：C1348958

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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型号：71024S12YG 编号：C1348944

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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型号：71024S15YGI 编号：C1349073

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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￥22.68
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型号：71024S20YGI 编号：C1349178

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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型号：CY7C1049G30-10VXI 编号：C2954555

封装：BSOJ-36

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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￥26.18
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型号：TC58BVG2S0HTA00 编号：C17228640

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG2S0HTA00是一款单3.3V 4Gbit NAND闪存，支持自动擦除和编程操作，适用于需要高密度非易失性存储的应用场景。该芯片具有内部ECC逻辑，可以纠正每个528字节的数据中的8位错误。

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￥27.88
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型号：MT46V16M16CY-5B IT:M TR 编号：C2063120

封装：FBGA-60(8x12.5)

MT46V16M16CY-5B IT:M TR 是一个 256Mb 的 DDR SDRAM，支持 x4, x8 和 x16 数据宽度。该芯片具有多种速度等级，包括 5ns 和 6ns 的时钟周期。它的工作电压为 2.5V ± 0.2V，支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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型号：MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR 编号：C19735637

封装：TSOPI-48

Micron 8Gb x8 NAND Flash Memory是一款单芯片封装的NAND Flash存储器，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C）。该存储器采用SLC技术，具有4320字节的页面大小，256KB + 14KB的块大小，以及2048个块/平面。支持ONFI 1.0协议，具有60,000次编程/擦除周期的耐久性和JESD47G标准的数据保留能力。

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￥23.01
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￥22.24
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型号：W94AD6KBHX6I TR 编号：C17356790

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W94AD6KBHX6I TR是一款1Gb移动LPDDR SDRAM，支持低功耗模式和高性能读写操作。它具有200MHz的工作频率，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于工业级应用。该芯片支持多种突发长度和突发类型，以及自动预充电和部分阵列自刷新等功能。

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￥63.79
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￥25.46
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型号：EDB8132B4PB-8D-F-R TR 编号：C2064715

封装：FBGA-168(12x12)

该嵌入式低功耗DDR2 SDRAM具有8Gb的存储容量，采用双芯片封装，支持400MHz的时钟频率。其核心电压为1.8V，I/O电压为1.2V，工作温度范围为-30°C至+85°C。

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￥56.68
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型号：MT40A2G16SKL-062E:B TR 编号：C1857502

封装：FBGA-96(10.5x13)

32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓封装。工作温度范围为 0°C 到 95°C。

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￥387.7
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￥144.77
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型号：NAND32GW3F4AN6E 编号：C19529408

封装：TSOP-48

NAND32GW3F4A是一款32Gbit（4 x 8Gbit）的单级单元（SLC）NAND闪存存储器，支持4224字节页面，双芯片使能，3V供电，多平面架构。适用于高密度存储应用。

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￥903.86
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￥360.65
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型号：S-585AABCCC-A8T5U4 编号：C19759944

封装：DFN-8(2x3)

这是一款带有温度传感器的2线串行EEPROM，支持SMBus和I2C协议，内置地址解析协议(ARP)功能。该芯片的工作电压范围为1.7V至3.6V，存储容量为4K位，分为2页，每页256字节，支持页面写入和顺序读取。温度传感器精度在0°C至+85°C范围内为±0.25°C，在-40°C至+125°C范围内为±1.5°C。

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