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W987D6HBGX6I TR

型号：W987D6HBGX6I TR 编号：C17672257

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W987D6HBGX6I TR 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 166MHz 时钟速率，1.8V 供电，适用于移动设备，如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。

1+
￥42
200+
￥16.76
500+
￥16.2
1000+
￥15.93

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W987D6HBGX6E TR

型号：W987D6HBGX6E TR 编号：C17616282

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W987D6HBGX6E TR 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 166MHz 时钟速率，1.8V 供电，适用于移动设备，如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。

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W987D2HBJX6I TR

型号：W987D2HBJX6I TR 编号：C17490328

封装：VFBGA-90(8x13)

品牌：Winbond(华邦)

W987D2HBJX6I TR 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 166MHz 时钟速率，1.8V 供电，适用于移动设备，如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。

1+
￥43.84
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￥17.5
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W634GU8QB-11 TR

型号：W634GU8QB-11 TR 编号：C17452588

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

1+
￥83.26
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￥33.22
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￥32.11
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￥31.57

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W634GU8QB-11

型号：W634GU8QB-11 编号：C17570090

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

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￥35.9

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W634GU8QB09I TR

型号：W634GU8QB09I TR 编号：C17684209

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

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W634GU8QB-09 TR

型号：W634GU8QB-09 TR 编号：C17215268

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

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W634GU8QB09I

型号：W634GU8QB09I 编号：C17595481

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

1+
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￥40.94
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￥40.24

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W634GU8QB11I TR

型号：W634GU8QB11I TR 编号：C17211721

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

1+
￥107.63
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￥42.95
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W634GU8QB-09

型号：W634GU8QB-09 编号：C17261986

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

1+
￥109.52
242+
￥43.7
484+
￥42.24
968+
￥41.52

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W634GU8QB11I

型号：W634GU8QB11I 编号：C17328902

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

1+
￥120.09
242+
￥47.92
484+
￥46.32
968+
￥45.53

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71024S12TYG

型号：71024S12TYG 编号：C1348961

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥17.47
207+
￥6.76
506+
￥6.53
989+
￥6.41

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W987D6HBGX7E

型号：W987D6HBGX7E 编号：C17530161

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W987D6HBGX7E 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 133MHz 时钟速率，1.8V 供电，适用于移动设备，如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。

1+
￥50.48
312+
￥20.14
624+
￥19.47
936+
￥19.14

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IS42S32200L 7BL TR

型号：IS42S32200L-7BL-TR 编号：C2063689

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

数据手册

1+
￥27
200+
￥10.45
500+
￥10.08
1000+
￥9.9

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IS42S32200L 6BL TR

型号：IS42S32200L-6BL-TR 编号：C2063641

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

数据手册

1+
￥27.52
200+
￥10.65
500+
￥10.28
1000+
￥10.1

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IS42S32400F 7BL TR

型号：IS42S32400F-7BL-TR 编号：C2064322

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

数据手册

1+
￥32.8
200+
￥12.69
500+
￥12.25
1000+
￥12.03

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IS42S32400F 6BL TR

型号：IS42S32400F-6BL-TR 编号：C2064011

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

数据手册

1+
￥35.22
200+
￥13.63
500+
￥13.15
1000+
￥12.92

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IS42S32400F 7BLI TR

型号：IS42S32400F-7BLI-TR 编号：C2063655

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输，采用流水线架构。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。该芯片组织为4个1M x 32位的bank，具有可编程突发长度、自动刷新模式和低功耗模式。

数据手册

1+
￥41.93
200+
￥16.23
500+
￥15.66
1000+
￥15.38

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IS45S32200L 7BLA2 TR

型号：IS45S32200L-7BLA2-TR 编号：C2063422

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

数据手册

1+
￥44.16
200+
￥17.09
500+
￥16.49
1000+
￥16.19

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IS45S32400F 7BLA1 TR

型号：IS45S32400F-7BLA1-TR 编号：C2063737

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32400F是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输，采用流水线架构。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。该芯片组织为4个1M x 32位的bank，具有可编程突发长度、自动刷新模式和低功耗模式。

数据手册

1+
￥44.88
200+
￥17.37
500+
￥16.76
1000+
￥16.46

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IS45S32400F 6BLA1 TR

型号：IS45S32400F-6BLA1-TR 编号：C2063400

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32400F是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输，采用流水线架构。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。该芯片组织为4个1M x 32位的bank，具有可编程突发长度、自动刷新模式和低功耗模式。

数据手册

1+
￥48.52
200+
￥18.78
500+
￥18.12
1000+
￥17.79

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IS42S32400F 6BLI TR

型号：IS42S32400F-6BLI-TR 编号：C2063627

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输，采用流水线架构。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。该芯片组织为4个1M x 32位的bank，具有可编程突发长度、自动刷新模式和低功耗模式。

数据手册

1+
￥52.9
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￥20.47
500+
￥19.75
1000+
￥19.4

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IS42S32400F-7TL-TR

型号：IS42S32400F-7TL-TR 编号：C17535311

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输，采用流水线架构。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。该芯片组织为4个1M x 32位的bank，具有可编程突发长度、自动刷新模式和低功耗模式。

1+
￥53.86
200+
￥21.49
500+
￥20.78
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IS42S16160G-6TL-TR

型号：IS42S16160G-6TL-TR 编号：C17616140

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G-6TL-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（166 MHz）。该芯片采用54-Pin TSOP II封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

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IS42S16160G-7BL-TR

型号：IS42S16160G-7BL-TR 编号：C17570105

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G-7BL-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Ball BGA封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

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IS45S32400F 7BLA2 TR

型号：IS45S32400F-7BLA2-TR 编号：C2065587

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

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IS42S16160G-6BL

型号：IS42S16160G-6BL 编号：C17570056

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G-6BL 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（166 MHz）。该芯片采用54-Ball BGA封装，支持3.3V供电，工作温度范围为0°C到+70°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

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IS45S16160G-7TLA2-TR

型号：IS45S16160G-7TLA2-TR 编号：C17502526

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S16160G-7TLA2-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Pin TSOP II封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

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IS42S16160D-7BI-TR

型号：IS42S16160D-7BI-TR 编号：C20582675

封装：54-TFBGA (8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160D 是一款 256Mb 的 SDRAM，支持高速数据传输。该芯片具有全同步接口，所有信号都参考时钟的上升沿。内部配置为 4 个bank，每个bank为 4M x 16 x 4 bank。工作电压为 3.3V ± 0.3V，支持多种突发长度和可编程的 CAS 延迟。

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IS45S16160G-7BLA2-TR

型号：IS45S16160G-7BLA2-TR 编号：C17616134

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S16160G-7BLA2-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Ball BGA封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

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