PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

CAT28LV256 是一款快速、低功耗、低电压的 CMOS 并行 E2PROM，组织为 32K x 8 位。它采用先进的 CMOS 浮栅技术制造，设计用于系统内编程。该设备可承受 100,000 次擦写周期，数据保留时间为 100 年。提供 28 引脚 DIP、28 引脚 TSOP 或 32 引脚 PLCC 封装。

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￥17.47
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型号：DS2502-E64+ 编号：C1350255

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

IEEEEUI-64节点地址芯片

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型号：DS2502P-E64+ 编号：C1349979

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

IEEEEUI-64节点地址芯片

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型号：DS2502-E48+ 编号：C1349191

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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型号：S72XS256RE0AHBH23 编号：C2064274

封装：FBGA-133(8x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：X20C16SI-35 编号：C19523125

封装：SOIC-28

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：W25Q32JVSSIQ 编号：C179173

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 电源下工作,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 16,384 个可编程页面组成,每页 256 字节,一次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页一组(4KB 扇区擦除)、128 页一组(32KB 块擦除)、256 页一组(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。有 1,024 个可擦除扇区和 64 个可擦除块,小的 4KB 扇区具有很大优势。

数据手册

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￥7.89
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￥7.08
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型号：W25Q64JVSSIQ 编号：C83140

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度

数据手册

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￥8.04
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型号：MT41K256M16TW-107 IT:P 编号：C367428

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

数据手册

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￥51.15
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￥46.21
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￥43.06
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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

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￥3.11
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￥2.44
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型号：MX35LF1GE4AB-Z4I 编号：C402160

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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￥29.05
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￥24.67
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￥22.07
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￥18.22
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型号：24LC256T-I/SN 编号：C5458

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24××256*）是一款 32K × 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥3.18
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￥2.55
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￥2.28
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￥1.79
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型号：24LC512T-I/SN 编号：C52088

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24XX12）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

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￥5.55
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￥4.42
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￥3.86
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￥3.29
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￥2.96
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￥2.78

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型号：CAT25640VI-GT3 编号：C153776

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

5+
￥1.7501
50+
￥1.3566
150+
￥1.1879
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￥0.9775
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￥0.8838
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型号：24LC01BT-I/OT 编号：C511269

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx01是1 Kbit电可擦除PROM。该器件被组织为一个128x8位的存储块，具有2线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

数据手册

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￥1.8029
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￥1.3975
150+
￥1.2238
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￥1.007
3000+
￥0.9105
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￥0.8526

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型号：24AA02E48T-I/OT 编号：C38987

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该器件由两个128×8位存储器块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，I温度下的最大待机电流仅为1μA，E温度下为5μA，最大工作电流为1 mA。还具备最多八字节数据的页写能力（24AA025E48/24AA025E64为16字节）。有标准8引脚SOIC、5引脚SOT-23和6引脚SOT-23封装可供选择。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.8
30+
￥2.46
100+
￥2.11
500+
￥2.04
1000+
￥1.93

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型号：25LC256T-I/SN 编号：C188247

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

数据手册

1+
￥6.04
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￥4.83
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￥4.23
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￥3.63
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￥3.27
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￥3.08

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型号：W25Q80DVSNIG 编号：C115408

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。工作电压为 2.7V 至 3.6V 或 2.3V 至 3.6V,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 4,096 个可编程页面组成,每页 256 字节,每次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页(4KB 扇区擦除)、128 页(32KB 块擦除)、256 页(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。小的 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性

数据手册

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￥3.6394
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￥3.1609
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￥2.9558
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￥2.6823
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￥2.5684
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