PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：GT30L24T3Y 编号：C126764

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT30L24T3Y是一款包含12x12点阵、16x16点阵和24x24点阵的中文字库芯片。它支持GB2312国家标准汉字（含国家标委会授权）、BIG5字符集和ASCII字符，并且兼容Unicode编码格式。

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型号：TC58NVG0S3HTA00 编号：C84581

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

SLC NAND 1Gb

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型号：FJBD4N8GT6L9-SKC 编号：C49302893

封装：FBGA-96

品牌：KFSemi(堃方)

DDR4 SDRAM 8Gb 512Mx16 2666 96BGA （仅限单板单颗使用）

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型号：XCF08PVOG48C 编号：C2976042

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

赛灵思推出了Platform Flash系列的系统内可编程配置PROM。这些PROM提供了一种易于使用、成本效益高且可重编程的方法来存储大型赛灵思FPGA配置比特流，容量从1 Mb到32 Mb不等。Platform Flash PROM系列包括3.3V的XCFXXS PROM和1.8V的XCFXXP PROM。XCFXXS版本包括4 Mb、2 Mb和1 Mb的PROM，支持主串行和从串行FPGA配置模式。XCFXXP版本包括32 Mb、16 Mb和8 Mb的PROM，支持主串行、从串行、主SelectMAP和从SelectMAP FPGA配置模式。当由稳定的外部时钟驱动时，这些PROM可以以高达33 MHz的速率输出数据。

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型号：GT31L16M1Y80 编号：C126765

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT31L16M1Y80是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。GT31L16M1Y80除含有上述字库以外，还提供1024KB字节的可自由读写空间，包括256个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由读写空间地址范围为：0x000000-0xfffff，可重复擦写10万次以上。

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型号：24FC64T-I/MNY 编号：C1349386

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一款64 Kbit电可擦除PROM。设备被组织为一个8K x 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该产品还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。该产品有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。此外，还有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：GT32L32M4W40 编号：C515660

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

是一款12、16、24、32点阵字库芯片，支持GB18030和GB2312国标简体汉字、BIG5繁体字符集并均兼容Unicode。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。除含有上述字库以外，还提供客户512KB字节的可自由读写空间，还提供128个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由写入空间地址范围为：0x380000-0x400000。仅支持上位机烧录，可重复擦写10万次以上。

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型号：GT5DL24A2W 编号：C515661

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT5DL24A2W是一款具备16点阵和24点阵的字库芯片，支持GBK汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集以及其他180种外文符号，并且兼容上述文字的Unicode字符集。排列格式为横排和竖排。用户可通过字符内码，利用本公司提供的库文件中的功能接口，直接读取内码的点阵信息

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型号：GT5SL24K4W(HS) 编号：C2874948

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

是一款含有点阵字库和矢量字库的字库芯片，其中点阵字库含有12、16、24 点阵字库，矢量字库最大可支持64 点，同时支持GBK 国标简体汉字。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT22L16M1Y 编号：C515654

封装：SOP-8

品牌：GENITOP(高通)

GT22L16M1Y是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT5HL16S2W 编号：C42438374

封装：SOP-8A

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL16S2W是一款内含16x16灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：GT31L16S2W80 编号：C515655

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT31L16S2W80是一款内含 12x12 点阵和16x16点阵的汉字字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及Unicode转GB2312编码表。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT5HL20K2W 编号：C42438423

封装：SOP-8A

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL20K2W是一款内含16X16和20X20灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码，排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：GT5HL24A2W 编号：C42438424

封装：SOP-8B

品牌：GENITOP(高通)

GT5HL24A2W是一款含16及24灰度点阵的字库芯片，支持GBK中文及繁体汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集等180国外文字符，同时兼容以上各种文字的Unicode字符集。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：TC58NYG0S3HBAI6 编号：C481875

封装：VFBGA-67

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NYG0S3HBAI6是一款1.8V供电的1Gbit (1,140,850,688 bits) NAND闪存存储器，适用于高密度非易失性数据存储应用，如固态文件存储、语音录音、图像文件存储等。

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型号：TC58BVG0S3HTA00 编号：C113406

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG0S3HTA00 是一款单 3.3V、1 Gbit（1,107,296,256 位）的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E²PROM），其组织形式为（2048 + 64）字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 K 字节 + 4 K 字节：2112 字节×64 页）

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型号：TC58NYG2S0HBAI4 编号：C17631295

封装：TFBGA-63(9x11)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NYG2S0HBAI4是一款1.8V 4 Gbit NAND E2PROM，组织结构为(4096 + 256)字节 x 64 页 x 2048 块。每个页面大小为4352字节，每个块大小为(256K + 16K)字节。

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型号：MT40A4G4NEA-062E-R 编号：C5128615

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie DDR4 SDRAM 是高速CMOS动态随机存取存储器设备，内部配置为两个16-bank DDR4 SDRAM设备。每个die在双die封装内单独测试。

单价：
￥288.83 / 个

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型号：S-34TS04A0B-A8T3U5 编号：C20761834

封装：-

品牌：ABLIC(艾普凌科)

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型号：GT32L24M0140 编号：C126767

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT32L24M0140是一款拥有12X12，16X16，24X24点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及条形码图库。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：IS62WVS5128GBLL-45NLI 编号：C3646907

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS5128GALL/GBLL是4M位的快速串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字节×8位。它是由两片2Mb串行SRAM堆叠而成的双芯片堆栈。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C2950646

封装：VBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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型号：IS46QR16256B-083RBLA2 编号：C5119925

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJT 编号：C5827969

封装：FBGA

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：TC58BVG1S3HTA00 编号：C391252

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG1S3HTA00是一款2 GB位的NAND E2PROM，组织为(2048+64)字节×64页×2048块。该设备利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，适用于需要高密度非易失性存储的数据系统。

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型号：F70ME0101D-RDWA 编号：C5126836

封装：BGA-162

品牌：FORESEE(江波龙)

该多芯片封装存储器结合了1Gbit NAND Flash和1Gbit LPDDR2 SDRAM，支持独立的接口和核心电源连接，适用于需要高性能和高密度存储的应用。

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C5340038

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。