PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：HG24C128DQ2/TR 编号：C53223756

封装：DFN-8(2x2)

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

5+
￥1.113
50+
￥0.8787
150+
￥0.7782
500+
￥0.6529
2500+
￥0.5971
4000+
￥0.5636

有货

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型号：AT24C128DQ2/TR-HG 编号：C53223757

封装：DFN-8(2x2)

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

5+
￥1.113
50+
￥0.8787
150+
￥0.7782
500+
￥0.6529
2500+
￥0.5971
4000+
￥0.5636

有货

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型号：24AA256T-I/SN 编号：C152172

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥6.07
10+
￥4.84
30+
￥4.23
100+
￥3.62
500+
￥3.26

有货

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型号：25LC256T-E/SN 编号：C159741

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

数据手册

1+
￥14.65
10+
￥12.44
30+
￥11.05
100+
￥9.63

有货

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型号：AT24C08MT/TR-HG 编号：C53200137

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2 PROM

5+
￥0.7077
50+
￥0.5637
150+
￥0.4917
500+
￥0.4377
2500+
￥0.3945
5000+
￥0.3729

有货

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型号：HG24C08MT/TR 编号：C53200136

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2 PROM

5+
￥0.7077
50+
￥0.5637
150+
￥0.4917
500+
￥0.4377
2500+
￥0.3945
5000+
￥0.3729

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型号：AT24C08-TD 编号：C42421824

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

电可擦除PROM采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

5+
￥0.9725
50+
￥0.7677
150+
￥0.6799
500+
￥0.5705

有货

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型号：CAT25640HU4I-GT3 编号：C890377

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥3
30+
￥2.86
100+
￥2.71
500+
￥1.78
1000+
￥1.74

有货

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型号：BY25Q256FSSIG 编号：C22391877

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

特性：串行外围接口：标准SPI为SCLK、ICS、SI、SO、WP、/HOLD；双线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、WP、/HOLD；四线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3；QPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3；支持双倍传输速率读取；支持3或4字节寻址模式。数据读取：普通读（串行）时钟速率为55MHz；快速读（串行）在负载电容30pF情况下时钟速率为108MHz；双线I/O数据传输速率高达216Mbits/S；四线I/O和QPI数据传输速率高达432Mbits/S；双倍传输速率四线I/O数据传输速率高达432Mbits/s；允许XIP（本地执行）操作，连续读支持8/16/32/64字节回绕。数据编程：串行输入页编程一次最多支持256字节；支持编程暂停和恢复。数据擦除：支持块擦除（64/32KB）、扇区擦除（4KB）、整芯片擦除；支持擦除暂停和恢复。编程/擦除速度：页编程时间典型值为0.6ms；扇区擦除时间典型值为50ms；块擦除时间典型值为0.15/0.25s；整芯片擦除时间典型值为80s。灵活架构：4KB扇区；32/64KB块

1+
￥9.15
10+
￥7.53
30+
￥6.64
95+
￥5.63
475+
￥5.19
1045+
￥4.99

有货

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型号：NT5CC512M8EN-EK 编号：C2841152

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性，所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。

单价：
￥22.83 / 个

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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥24.59
10+
￥20.84
30+
￥18.61
100+
￥16.35
480+
￥15.31
960+
￥14.84

有货

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型号：24LC1025T-I/SN 编号：C615697

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥30.71
10+
￥26.28
30+
￥23.65
100+
￥20.99
500+
￥19.76

有货

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型号：SL24C02S 编号：C5155391

封装：SOT-23-5

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C02是电可擦除PROM，采用256x8-bit的组织结构，具有两线串行接口，支持I2C总线，工作电压范围1.8V~5.5V，存储容量为2Kbits，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。

10+
￥0.254
100+
￥0.2021
300+
￥0.1762
3000+
￥0.1503
6000+
￥0.1347
9000+
￥0.1269

有货

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型号：AT24C02MT/TR-HG 编号：C53200138

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

5+
￥0.5122
50+
￥0.4066
150+
￥0.3538
500+
￥0.3142
2500+
￥0.2825
5000+
￥0.2667

有货

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型号：HG24C02MT/TR 编号：C53200139

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

5+
￥0.5122
50+
￥0.4066
150+
￥0.3538
500+
￥0.3142
2500+
￥0.2825
5000+
￥0.2667

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型号：SL24C04D 编号：C5155392

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C04D是一款512 Kbit的电可擦除PROM，采用两线串行接口（I2C），存储器组织结构为512 x 8 bit，具有页写能力和硬件数据写保护，工作电压范围为1.8V~5.5V，典型工作电流为1mA，典型待机电流为1uA，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

数据手册

5+
￥0.5499
50+
￥0.4347
150+
￥0.3771
500+
￥0.3339
2500+
￥0.2993
4000+
￥0.282

有货

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型号：BY25D80ASTIG(R) 编号：C383790

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

8M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)。双输出数据传输速度为 108Mbit/s。设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源供电。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID。

数据手册

5+
￥1.0766
50+
￥0.8345
150+
￥0.7308
500+
￥0.6014
2500+
￥0.5437
4000+
￥0.5091

有货

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型号：CAT25256YI-GT3 编号：C233782

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.84
30+
￥3.62
100+
￥3.4
500+
￥2.73
1000+
￥2.66

有货

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型号：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126733

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

数据手册

1+
￥30.18
10+
￥25.89
30+
￥23.34
100+
￥20.76
500+
￥19.57
1500+
￥19.04

有货

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型号：FEMDRW064G-88A19 编号：C719927

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装

数据手册

1+
￥275.45
10+
￥259.25

有货

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型号：24LC04BT-I/ST-TUDI 编号：C41411035

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA04/24LC04B（24xx04*）是一款 4 K 位电可擦除 PROM。24XX04 有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、TSSOP、2x3 DFN 和 MSOP 封装可供选择，也有 5 引脚 SOT - 23 封装。

5+
￥1.577 ￥1.66
50+
￥1.3775 ￥1.45
150+
￥1.292 ￥1.36
500+
￥1.1875 ￥1.25
2500+
￥1.14 ￥1.2
5000+
￥1.1115 ￥1.17

有货

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型号：24AA02UIDT-I/OT 编号：C511274

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 2 Kbit 电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该设备由两个 128×8 位存储块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，最大待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。还具备最多 8 字节数据的页写入能力（24AA025UID 为 16 字节）。有标准 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、5 引脚 SOT-23 和 6 引脚 SOT-23 封装。

数据手册

1+
￥2.97
10+
￥2.64
30+
￥2.47
100+
￥2.3
500+
￥2.04
1000+
￥1.98

有货

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型号：25LC1024T-E/SM 编号：C2060945

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

数据手册

1+
￥20.3
10+
￥16.89
30+
￥14.86
100+
￥12.82

有货

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型号：IS45S32200L-7BLA2 编号：C1352248

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

数据手册

1+
￥27.23
10+
￥23.07
30+
￥20.6
100+
￥18.11
500+
￥16.95
1000+
￥16.43

有货

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型号：FEMDRW128G-88A19 编号：C719928

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

数据手册

1+
￥453.76
10+
￥426.86

有货

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型号：SL24C16D 编号：C5155394

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C16是16K位电可擦除PROM，采用2048x8-bit的组织结构，具有两线串行接口，工作电压范围1.8V~5.5V，存储容量16Kbits，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。

数据手册

5+
￥0.24088 ￥0.3011
50+
￥0.23552 ￥0.2944
150+
￥0.232 ￥0.29
500+
￥0.22848 ￥0.2856

有货

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型号：AT24C128BN 编号：C41415959

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C128B是一款独立的I2C兼容串行EEPROM芯片，总存储阵列密度为128Kbits，由256页组成，每页64字节。支持单字节写入和页写入操作，写入时间小于5ms。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

5+
￥0.8536
50+
￥0.7454
150+
￥0.6991
500+
￥0.6412
2500+
￥0.6155
5000+
￥0.6

有货

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型号：24AA04T-I/OT-TUDI 编号：C41411012

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

24AA04/24LC04B（24xx04*）是一款 4 K 位电可擦除 PROM。24XX04 有标准 8 引脚 PDIP、表面贴装 SOIC、TSSOP、2x3 DFN 和 MSOP 封装可供选择，也有 5 引脚 SOT - 23 封装。

5+
￥1.259605 ￥1.3259
50+
￥1.100005 ￥1.1579
150+
￥1.031605 ￥1.0859
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￥0.9462 ￥0.996
2500+
￥0.9082 ￥0.956
5000+
￥0.8854 ￥0.932

有货

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型号：24LC256T-I/SN-TUDI 编号：C41411008

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

5+
￥1.3053 ￥1.374
50+
￥1.135725 ￥1.1955
150+
￥1.06305 ￥1.119
500+
￥0.972325 ￥1.0235
2500+
￥0.93195 ￥0.981
5000+
￥0.907725 ￥0.9555

有货

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型号：11AA010T-I/TT 编号：C616172

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量从1 Kbit到16 Kbit的串行电可擦除PROM。这些器件采用x8位存储块结构，并支持获得专利的单输入/输出UNI/O⊕串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为单一的串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和数值

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.77
30+
￥2.44
100+
￥2.1
500+
￥1.9

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