SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

CMOS 移动双倍速率同步 DRAM，组织为 4 个 64 兆字的 16 位或 32 兆字的 32 位bank。使用双数据率架构实现高速运行，数据输入/输出信号在 16 位或 32 位总线上传输。双数据率架构本质上是一个 2V 预取架构，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部流水线化，2n 位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。

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型号：IS42S32160F-6TL-TR 编号：C17616199

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS46TR16640ED-125KBLA2 编号：C17490336

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S32400E-7BLA1-TR 编号：C20584276

封装：90-TFBGA (8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43LR16640C-5BLI-TR 编号：C17535318

封装：TFBGA-60(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

1Gb Mobile DDR SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四组bankDRAM。使用双数据率架构实现高速操作，支持自动刷新、部分阵列自刷新、多种工作温度范围等特性。

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型号：IS42S83200B-6TL-TR 编号：C20493808

封装：54-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM16320E-6BLI-TR 编号：C17569604

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动刷新和自刷新，数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

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型号：IS42S16160D-75EBLI-TR 编号：C20582261

封装：54-TFBGA (8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：K4S510432D-UC75T00 编号：C17295861

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

K4S510432D-UC75T00是一款512Mb的SDRAM，采用4Bank架构，支持LVTTL接口，工作电压为3.3V±0.3V，封装为54pin TSOP(II)，时钟频率为133MHz。

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型号：IS43LD16128B-25BL 编号：C17204675

封装：TFBGA-134(10x11.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LD16128B/32640B 是 2Gbit CMOS LPDDR2 DRAM。该设备组织为 8 个bank，每个bank有 16 兆字的 16 位或 8 兆字的 32 位。使用双数据率架构实现高速操作。核心和 I/O 电源供电范围分别为 1.70-1.95V 和 1.14-1.30V。支持 HSUL_12 I/O 接口，时钟频率范围为 10MHz 到 533MHz。