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IS43LR16640C-6BLI
型号：IS43LR16640C-6BLI 编号：C17334801
封装：TFBGA-60(8x10)
品牌：ISSI(美国芯成)
1Gb Mobile DDR SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四组bankDRAM。使用双数据率架构实现高速操作，支持自动刷新、部分阵列自刷新、多种工作温度范围等特性。

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    256Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S32800J-7BLA1-TR 编号：C17452578
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V Vpp系统。内部配置为四bankDRAM，具有同步接口。每个67,108,864位的bank组织为4,096行 x 512列 x 32位。

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    512Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16320B-7TL 编号：C20492529
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S16800E-7BLA1-TR 编号：C20594501
    封装：54-TFBGA (8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400E-6BLI-TR 编号：C20586485
    封装：90-TFBGA (8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    4Mx32BitsX4Banks移动同步DRAM
    型号：IS42SM32160E-75BL 编号：C17569581
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LD32320D-18BLI-TR
    型号：IS43LD32320D-18BLI-TR 编号：C20189624
    封装：VFBGA-134(10x11.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LD16640D/32320D是1Gb CMOS LPDDR2 SDRAM，内部配置为8个bank。该设备使用双倍数据率架构实现高速操作。双倍数据率架构本质上是一个4N预取架构，设计用于在每个I/O引脚上每时钟周期传输两个数据位。该设备支持高速未终止逻辑(HSUL_12) I/O接口，时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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    256MB同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S83200D-6TL-TR 编号：C20492299
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    128MB同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S81600D-7TL 编号：C20494399
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR16640C-5BLI
    型号：IS43LR16640C-5BLI 编号：C17356806
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    1Gb Mobile DDR SDRAM 是一款高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四组bankDRAM。使用双数据率架构实现高速操作，支持自动刷新、部分阵列自刷新、多种工作温度范围等特性。

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    2Mx16BitsX4Banks移动同步DRAM
    型号：IS42RM16800G-75BLI 编号：C20594179
    封装：54-TFBGA (8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS46TR16640ED-15HBLA2-TR
    型号：IS46TR16640ED-15HBLA2-TR 编号：C17595474
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    128MB同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16800D-75ETLI-TR 编号：C20492338
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LD16640D-18BLI-TR
    型号：IS43LD16640D-18BLI-TR 编号：C20189622
    封装：VFBGA-134(10x11.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LD16640D/32320D是1Gb CMOS LPDDR2 SDRAM，内部配置为8个bank。该设备使用双倍数据率架构实现高速操作。双倍数据率架构本质上是一个4N预取架构，设计用于在每个I/O引脚上每时钟周期传输两个数据位。该设备支持高速未终止逻辑(HSUL_12) I/O接口，时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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    256MB同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160D-75EBL-TR 编号：C20583184
    封装：54-TFBGA (8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400E-6TLI 编号：C20590447
    封装：TSOPII-86
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42S32160F 75ETL
    型号：IS42S32160F-75ETL 编号：C1352198
    封装：TSOP-86-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    256MB 同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160B-7BL-TR 编号：C20591822
    封装：LFBGA-54(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    4Mx32BitsX4Banks移动同步DRAM
    型号：IS42VM32160E-6BLI 编号：C17234691
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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      ￥45.77

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    IS43LD32640C-18BLI-TR
    型号：IS43LD32640C-18BLI-TR 编号：C17452694
    封装：TFBGA-134(10x11.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43/46LD16128C/32640C是一款2Gbit CMOS LPDDR2 SDRAM，采用双数据速率架构实现高速操作。内部配置为8个bank，每个bank8兆字x32位。支持高带宽操作，时钟频率范围为10MHz到533MHz。

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    128Mbit同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400B-6TL 编号：C20589434
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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      ￥115.78

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    IS43LR16640C-6BL-TR
    型号：IS43LR16640C-6BL-TR 编号：C17616315
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    CMOS 移动双倍速率同步 DRAM，组织为 4 个 64 兆字的 16 位或 32 兆字的 32 位bank。使用双数据率架构实现高速运行，数据输入/输出信号在 16 位或 32 位总线上传输。双数据率架构本质上是一个 2V 预取架构，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部流水线化，2n 位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。

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    IS45S16320F 7TLA2 TR
    型号：IS45S16320F-7TLA2-TR 编号：C2065448
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    512Mb Synchronous DRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V或2.5V系统。它支持多种时钟频率和工作模式，包括突发读写操作和自动预充电功能。
    数据手册

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    256MB同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160D-7TLI-TR 编号：C20491946
    封装：54-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    128Mbit同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S32400B-7TLI-TR 编号：C20589065
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    2Mx32BitsX4Banks移动同步DRAM
    型号：IS42RM32800E-75BLI 编号：C17526233
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800E 是一款移动同步 DRAM，具有 268,435,456 位存储容量，组织为 4 个bank，每个bank有 2,097,152 个字 × 32 位。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 供电，具有自动刷新和自刷新功能，支持数据掩码功能，4K 刷新周期，内部 4 个bank操作，可编程突发长度和类型，特殊功能支持等。

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    IS42S86400F 7TL TR
    型号：IS42S86400F-7TL-TR 编号：C2064545
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    ISSI的512Mb SDRAM实现了高速数据传输，所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。它支持可编程突发长度和序列，具有内部bank机制，可隐藏行访问/预充电，提供无缝、高速的随机访问操作。
    数据手册

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    128Mb同步动态随机存取存储器
    型号：IS45S32400E-6TLA1-TR 编号：C20589051
    封装：86-TSOP II
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    256MB同步动态随机存取存储器
    型号：IS42S16160D-6BLI-TR 编号：C20581758
    封装：54-TFBGA (8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    2Mx32BitsX4Banks移动同步DRAM
    型号：IS42RM32800E-6BLI 编号：C17525124
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM32800E 是一款移动同步 DRAM，具有 268,435,456 位存储容量，组织为 4 个bank，每个bank有 2,097,152 个字 × 32 位。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 供电，具有自动刷新和自刷新功能，支持数据掩码功能，4K 刷新周期，内部 4 个bank操作，可编程突发长度和类型，特殊功能支持等。

    • 1+

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