SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS42RM16200D-75BLI-TR 编号：C2064134

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM32100D-75BLI-TR 编号：C2063305

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS42S16100E-5TL-TR 编号：C20456659

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16100F-6TLI-TR 编号：C20456709

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S81600F-6TL-TR 编号：C2064037

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32100D-75BLI-TR 编号：C2063411

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：MT40A512M16JY-075E AIT:B 编号：C20567764

封装：96-FBGA (8x14)

品牌：micron(镁光)

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型号：IS42RM16200D-6BLI-TR 编号：C2063301

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16100E-5TL 编号：C20456586

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16100H-7TLA2-TR 编号：C2065768

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16100H和IS45S16100H是16Mb同步动态随机存取存储器，支持双bank操作，具有2048个行，每个行16位，共2个bank。这些存储器支持多种时钟频率，包括200 MHz、166 MHz和143 MHz。

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型号：IS42RM16200D-75BLI 编号：C1353454

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM16200D-75BLI-TR 编号：C2065715

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16200D 是一种低功耗 33,554,432 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 2 个 1,048,576 字 × 16 位的bank。所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步，支持自动刷新和自刷新功能。数据路径内部流水线化以实现高带宽。输入和输出电压电平兼容 LVCMOS。

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型号：IS42S16100E-7TLI 编号：C20457237

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32100D-6BLI-TR 编号：C2065663

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM32100D-75BLI 编号：C1352679

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS42RM16200D-6BLI 编号：C1352693

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32100D-75BLI 编号：C1353673

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS42VM16200D-6BLI-TR 编号：C2065382

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16200D 是一种低功耗 33,554,432 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 2 个 1,048,576 字 × 16 位的bank。所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步，支持自动刷新和自刷新功能。数据路径内部流水线化以实现高带宽。输入和输出电压电平兼容 LVCMOS。

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型号：IS42VM32100D-6BLI 编号：C1352612

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS42VM16200D-75BLI 编号：C1352615

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型号：IS42RM32100D-6BLI 编号：C1352837

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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