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W989D6DBGX6I TR

型号：W989D6DBGX6I TR 编号：C2456346

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥22.52
200+
￥8.72
500+
￥8.41
1000+
￥8.26

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IS42SM16400M 6BLI TR

型号：IS42SM16400M-6BLI-TR 编号：C2063254

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

1+
￥22.9
200+
￥8.87
500+
￥8.56
1000+
￥8.4

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16Mb 同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16100E-7BLI-TR 编号：C20517012

封装：60-TFBGA (6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥22.97
200+
￥9.17
500+
￥8.86
1000+
￥8.71

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W9864G6JB-6I

型号：W9864G6JB-6I 编号：C7603999

封装：VFBGA-60(6.4x10.1)

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6JB是一款1M× 4BANKS × 16BITS的SDRAM，支持高达166 MHz的时钟频率，具有自刷新模式、突发读写模式和自动预充电功能。适用于高性能应用。

1+
￥23.13
286+
￥9.23
572+
￥8.93
858+
￥8.77

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16Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16100F-7BL 编号：C20516504

封装：60-TFBGA (6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥23.44
234+
￥9.36
468+
￥9.04
1053+
￥8.89

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W9864G6JT-6I

型号：W9864G6JT-6I 编号：C17328903

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6JT 是一款高速同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织结构为1M字 x 4个bank x 16位。W9864G6JT 的数据带宽最高可达每秒166兆字（166MHz/CL3规范）。访问 SDRAM 是突发导向的，可以连续访问一个页面中的多个内存位置。

1+
￥23.52
319+
￥9.39
638+
￥9.07
957+
￥8.92

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16Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16100F-6BLI-TR 编号：C20517305

封装：60-TFBGA (6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥23.56
200+
￥9.4
500+
￥9.09
1000+
￥8.94

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16Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16100F-7BLI-TR 编号：C20514820

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥23.56
200+
￥9.4
500+
￥9.09
1000+
￥8.94

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IS42S83200J 6TL

型号：IS42S83200J-6TL 编号：C1351653

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥23.74
200+
￥9.19
500+
￥8.87
1000+
￥8.71

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IS45S16100H 7BLA1

型号：IS45S16100H-7BLA1 编号：C1351654

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。

数据手册

1+
￥23.86
286+
￥9.24
572+
￥8.91
858+
￥8.75

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IS42VM16400M 6BLI

型号：IS42VM16400M-6BLI 编号：C1351602

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

1+
￥23.86
348+
￥9.24
696+
￥8.91
1044+
￥8.75

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512Mb移动低功耗SDR

型号：W989D6DBGX6E 编号：C17204682

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥23.94
312+
￥9.56
624+
￥9.24
936+
￥9.08

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IS42SM16400M 6BLI

型号：IS42SM16400M-6BLI 编号：C1353477

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42SM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

1+
￥24.24
348+
￥9.38
696+
￥9.05
1044+
￥8.89

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W9864G2JH-6I

型号：W9864G2JH-6I 编号：C17227011

封装：TFSOP-86-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

512K x 4 BANKS × 32BITS SDRAM，最高数据带宽可达200Mwords/s。提供不同速度等级，包括-5、-6、-6l和-7。-5部分可运行至200MHz/CL3，-6和-6l部分可运行至166MHz/CL3，-6l工业级支持-40°C至85°C的工作温度，-7部分可运行至143MHz/CL3。访问方式为突发模式，连续内存位置在一个页面中可以以1、2、4、8或全页的突发长度访问。列地址由SDRAM内部计数器自动生成。通过编程模式寄存器，系统可以改变突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以最大化性能。W9864G2JH适用于高性能应用的主要内存。

1+
￥24.25
216+
￥9.68
540+
￥9.36
972+
￥9.2

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IS42S83200J 6TLI TR

型号：IS42S83200J-6TLI-TR 编号：C2063527

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥24.3
200+
￥9.41
500+
￥9.07
1500+
￥8.91

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IS42SM32200M 75BLI TR

型号：IS42SM32200M-75BLI-TR 编号：C2065780

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。

数据手册

1+
￥24.6
200+
￥9.52
500+
￥9.19
1000+
￥9.02

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16Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS45S16100H-7TLA1-TR 编号：C17490419

封装：TSOPII-50

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S16100H 是一款16Mb同步动态随机存取存储器，支持双bank操作，具有200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V电源，LVTTL接口，可编程突发长度和序列。

1+
￥24.61
200+
￥9.82
500+
￥9.49
1000+
￥9.33

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16Mb同步动态随机存取存储器

型号：IS42S16100F-7BLI 编号：C20515750

封装：60-TFBGA (6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥24.96
234+
￥9.96
468+
￥9.63
1053+
￥9.47

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IS42VM32200M 6BLI TR

型号：IS42VM32200M-6BLI-TR 编号：C2063633

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。

数据手册

1+
￥25.06
200+
￥9.7
500+
￥9.36
1000+
￥9.19

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W9812G6JB-6 TR

型号：W9812G6JB-6 TR 编号：C2456272

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9812G6JB 是一个高带宽的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为2M x 4 BANKS × 16 BITS。支持166 MHz时钟频率，工作温度范围为0°C~70°C，供电电压为3.3V±0.3V。

数据手册

1+
￥25.41
200+
￥9.84
500+
￥9.49
1000+
￥9.32

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W9812G6JB 6I TR

型号：W9812G6JB-6I TR 编号：C2456307

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9812G6JB 是一个高带宽的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为2M x 4 BANKS × 16 BITS。支持166 MHz时钟频率，工作温度范围为-40°C~85°C，供电电压为3.3V±0.3V。

数据手册

1+
￥25.41
200+
￥9.84
500+
￥9.49
1000+
￥9.32

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IS45S16100H 7BLA2 TR

型号：IS45S16100H-7BLA2-TR 编号：C2063289

封装：TFBGA-60(6.4x10.1)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。

数据手册

1+
￥25.51
200+
￥9.88
500+
￥9.53
1000+
￥9.36

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IS42SM32200M 6BLI TR

型号：IS42SM32200M-6BLI-TR 编号：C2063353

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。

数据手册

1+
￥25.62
200+
￥9.92
500+
￥9.57
1000+
￥9.4

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IS42SM32200M 75BLI

型号：IS42SM32200M-75BLI 编号：C1351798

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。

数据手册

1+
￥26.21
200+
￥10.15
500+
￥9.79
1000+
￥9.61

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W9412G6KH-4 TR

型号：W9412G6KH-4 TR 编号：C20531454

封装：66-TSOP II

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥26.43
200+
￥10.55
500+
￥10.2
1000+
￥10.02

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IS42VM32200M 6BLI

型号：IS42VM32200M-6BLI 编号：C1351762

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。

数据手册

1+
￥26.58
200+
￥10.29
500+
￥9.93
1000+
￥9.75

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IS45S16160J 7BLA1 TR

型号：IS45S16160J-7BLA1-TR 编号：C2063790

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥26.58
200+
￥10.29
500+
￥9.93
1000+
￥9.75

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MT41K256M16V00HWC1

型号：MT41K256M16V00HWC1 编号：C17356762

封装：-

品牌：micron(镁光)

1+
￥26.62
200+
￥10.63
500+
￥10.27
1000+
￥10.09

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IS42SM32200M 6BLI

型号：IS42SM32200M-6BLI 编号：C1351688

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。

数据手册

1+
￥27.45
200+
￥10.63
500+
￥10.25
1000+
￥10.07

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AS4C2M32D1-5TCN

型号：AS4C2M32D1-5TCN 编号：C20432250

封装：66-TSOP II

品牌：micron(镁光)

1+
￥27.5
216+
￥10.98
540+
￥10.61
972+
￥10.43

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