SDRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS42S81600F-6TL-TR 编号：C2064037

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32100D-75BLI-TR 编号：C2063411

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS42RM16200D-6BLI-TR 编号：C2063301

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16100E-5TL 编号：C20456586

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS45S16100H-7TLA2-TR 编号：C2065768

封装：TSOP-50-10.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16100H和IS45S16100H是16Mb同步动态随机存取存储器，支持双bank操作，具有2048个行，每个行16位，共2个bank。这些存储器支持多种时钟频率，包括200 MHz、166 MHz和143 MHz。

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型号：IS42RM16200D-75BLI 编号：C1353454

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM16200D-75BLI-TR 编号：C2065715

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16200D 是一种低功耗 33,554,432 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 2 个 1,048,576 字 × 16 位的bank。所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步，支持自动刷新和自刷新功能。数据路径内部流水线化以实现高带宽。输入和输出电压电平兼容 LVCMOS。

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型号：IS42S16100E-7TLI 编号：C20457237

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32100D-6BLI-TR 编号：C2065663

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM32100D-75BLI 编号：C1352679

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS42RM16200D-6BLI 编号：C1352693

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32100D-75BLI 编号：C1353673

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS42VM16200D-6BLI-TR 编号：C2065382

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16200D 是一种低功耗 33,554,432 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 2 个 1,048,576 字 × 16 位的bank。所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步，支持自动刷新和自刷新功能。数据路径内部流水线化以实现高带宽。输入和输出电压电平兼容 LVCMOS。

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型号：IS42VM32100D-6BLI 编号：C1352612

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS42VM16200D-75BLI 编号：C1352615

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：W9825G6KH-6I TR 编号：C17242080

封装：TSOPII-54

品牌：Winbond(华邦)

W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)，组织为4M字 × 4个bank × 16位。它支持最高200 MHz的时钟频率，具有多种速度等级，包括-5, -5l, -6, -6l, -6J, -6L, -75, 75J 和 75L。-5/-5l等级部件符合200MHz/CL3规范（-5l工业等级保证支持-40°C至85°C）。-6/-6l/-6J/-6L等级部件符合166MHz/CL3规范（-6l工业等级支持-40°C至105°C）。-75/75J/75L等级部件符合133MHz/CL3规范（75J工业加等级保证支持-40°C至105°C）。-6L和75L等级部件支持自刷新电流IDD6最大1.5 mA。

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￥9.53
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￥9.31
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型号：IS42RM32100D-6BLI 编号：C1352837

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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￥7.3
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型号：W9464G6KH-4 TR 编号：C20530052

封装：66-TSOP II

品牌：Winbond(华邦)

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￥7.8
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￥7.54
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型号：IS42S16160J-7TL-TR 编号：C2063728

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM16200D-6BLI 编号：C1351278

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：W9812G6KB-6I TR 编号：C17356785

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

W9812G6KB 是一个高速同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为 2M 字 x 4 组 x 16 位。

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型号：IS42VM32200M-75BLI-TR 编号：C2063740

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。

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型号：W9812G6KB-6I 编号：C17263344

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9812G6KB 是一个高速同步动态随机存取内存 (SDRAM)，组织为 2M 字 x 4 组 x 16 位。

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型号：W9864G2JH-6 TR 编号：C2456285

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

512K x 4 BANKS × 32BITS SDRAM，最高数据带宽可达200Mwords/s。提供不同速度等级，包括-5、-6、-6l和-7。-5部分可运行至200MHz/CL3，-6和-6l部分可运行至166MHz/CL3，-6l工业级支持-40°C至85°C的工作温度，-7部分可运行至143MHz/CL3。访问方式为突发模式，连续内存位置在一个页面中可以以1、2、4、8或全页的突发长度访问。列地址由SDRAM内部计数器自动生成。通过编程模式寄存器，系统可以改变突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以最大化性能。W9864G2JH适用于高性能应用的主要内存。

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