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替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538
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  • IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中,提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问,该接口由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)和片选使能(CE#)引脚组成,这些引脚也可配置为多 I/O 功能
    • 1+

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  • 256位1-WireEEPROM
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      ¥7.6544 ¥8.32
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      ¥7.4336 ¥8.08
  • 有货
  • 特性:单电压操作,范围为2.7V至3.6V。 128 Mbit(32 x 4 Mbit物理块)NOR闪存。 支持串行外设接口(SPI): -支持SPI模式0和3。支持双输出和四输出读取。 最大工作频率: -85℃时最大工作频率为133 MHz。105℃时最大工作频率为120 MHz
    • 1+

      ¥14.42
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  • 有货
  • 25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.65
    • 10+

      ¥12.44
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  • 有货
  • 20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM,通过单触点1-Wire接口操作
    数据手册
    • 1+

      ¥23.36
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    • 100+

      ¥16.3
  • 有货
  • AT24C1024是一款1M位(131,072 x 8)的I2C兼容串行EEPROM,支持低电压和标准电压操作,具有硬件数据保护功能,适用于工业和商业应用。
    • 1+

      ¥23.37
    • 10+

      ¥22.24
    • 30+

      ¥21.56
    • 100+

      ¥20.87
  • 有货
  • AT24C1024是一款1M位(131,072 x 8)的I2C兼容串行EEPROM,支持低电压和标准电压操作,具有硬件数据保护功能,适用于工业和商业应用。
    • 1+

      ¥23.37
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      ¥22.24
    • 30+

      ¥21.56
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      ¥20.87
  • 有货
  • 23LC512 是一款 512Kbit 的 SPI 串行 SRAM,支持 SDI 和 SQI 接口。该器件采用低功耗 CMOS 技术,支持无限次读写,零写入时间,以及 64K x 8 -Bit组织结构。工作电压范围为 2.5-5.5V,支持工业温度范围(-40°C 至 +85°C)。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.16
    • 10+

      ¥20.56
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      ¥18.41
    • 100+

      ¥16.25
  • 有货
  • ML22594-xxx是一款4通道混合语音合成LSI,内置MASK ROM用于存储语音数据。该LSI集成了高音质HQ-ADPCM解码器、16位D/A转换器、低通滤波器、1.0W单声道扬声器放大器以及过流检测功能。通过这些功能,可以实现高质量和长时间的语音再生。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.19
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      ¥24.98
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      ¥21.91
    • 100+

      ¥19.65
  • 有货
  • 特性:支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位(双I/O模式)结构或67,108,864 x 4位(四I/O模式)结构。协议支持:单I/O、双I/O和四I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥28.37
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      ¥19.72
  • 有货
  • 24AA1025/24LC1025/24FC1025(24xx1025*)是一款128K x 8(1024K位)串行电可擦除可编程只读存储器(PROM),能够在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力
    数据手册
    • 1+

      ¥31.32
    • 10+

      ¥26.9
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      ¥24.27
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      ¥21.61
  • 有货
  • CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号(CE)、低电平有效的输出使能信号(OE)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时,需将片选信号(CE)和写使能信号(WE)置为低电平
    数据手册
    • 1+

      ¥37.88
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      ¥32.63
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      ¥29.43
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      ¥25.38
  • 有货
  • MK SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案,设计为LGA封装形式。其操作类似于工业标准的SD卡。SD NAND由NAND闪存和高性能控制器组成,支持3.3V供电电压。完全符合SD2.0接口标准,支持SPI模式,内置硬件ECC引擎和高可靠的NAND管理机制。写速度最高可达Class 6,封装尺寸小,LGA-8。
    数据手册
    • 1+

      ¥42.5695 ¥44.81
    • 10+

      ¥37.0975 ¥39.05
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      ¥33.7725 ¥35.55
    • 100+

      ¥29.0985 ¥30.63
  • 有货
  • 特性:SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高166 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz
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    • 1+

      ¥43.61
    • 10+

      ¥38.14
    • 30+

      ¥34.8
  • 有货
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      ¥45.53
    • 10+

      ¥39.53
    • 30+

      ¥35.88
    • 112+

      ¥30.47
  • 有货
  • FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器,支持高速读写操作,具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装,工作电压为2.0V至3.6V,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 5+

      ¥78.240799
    • 50+

      ¥68.729174
    • 500+

      ¥63.283
    FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM),具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作,适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行业标准的 32K x 8 SRAM 引脚排列,可在标准 SRAM 系统中作为即插即用的替代品。
    数据手册
    • 1+

      ¥54.64
    • 10+

      ¥47.26
    • 30+

      ¥38.02
    • 100+

      ¥34.25
  • 有货
  • 特性:VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。 差分双向数据选通。 8n 位预取架构
    数据手册
    • 1+

      ¥56.9
    • 10+

      ¥49.13
    • 30+

      ¥44.39
    • 100+

      ¥40.42
  • 有货
  • 3.3V 4Gbit
    数据手册
    • 1+

      ¥76.44
    • 10+

      ¥65.48
    • 30+

      ¥58.8
    • 100+

      ¥53.2
  • 有货
  • SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心,为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。凭借其先进特性,它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案。引脚总数为8个,包括VCC和GND
    数据手册
    • 1+

      ¥77.16
    • 10+

      ¥70.24
    • 30+

      ¥66.03
    • 100+

      ¥40
  • 有货
  • XT26G04C是一款4G位(512MB)的SPI(串行外设接口)NAND闪存,具备先进的写保护机制。XT26G04C支持标准串行外设接口(SPI)、双/四路I/O选项。
    • 1+

      ¥92.01
    • 10+

      ¥87.51
    • 30+

      ¥79.72
    • 100+

      ¥72.93
  • 有货
  • IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
    数据手册
    • 1+

      ¥95.14
    • 10+

      ¥82.54
    • 30+

      ¥72.45
  • 有货
  • CY7C1061GN30-10ZSXI是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为1,048,576字节×16-Bit。最高访问时间为10ns/15ns,工作电压范围为2.2V至3.6V。
    数据手册
    • 1+

      ¥124.53
    • 10+

      ¥108.98
    • 30+

      ¥106.15
  • 有货
  • XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案,设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压,符合SD 2.0接口标准,适用于大多数嵌入式应用,具有高可靠性和低功耗。
    • 1+

      ¥187.58
    • 30+

      ¥178.11
  • 有货
  • MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案,设计为LGA封装形式。其操作类似于SD卡,适用于商用级别。它由NAND闪存和高性能控制器组成,支持SD3.0接口,允许大多数通用CPU利用。
    数据手册
    • 1+

      ¥261.0315 ¥274.77
    • 30+

      ¥231.6955 ¥243.89
  • 有货
  • 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms
    数据手册
    • 1+

      ¥367.32
    • 30+

      ¥348
  • 有货
  • 24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。
    • 20+

      ¥0.161128 ¥0.1831
    • 200+

      ¥0.125488 ¥0.1426
    • 600+

      ¥0.105688 ¥0.1201
    • 3000+

      ¥0.093808 ¥0.1066
    • 9000+

      ¥0.083512 ¥0.0949
    • 21000+

      ¥0.07788 ¥0.0885
  • 有货
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