存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BR24G1MFJ-5AE2 编号：C6516030

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

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￥2.7
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￥2.44
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￥2.2
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型号：AT24C02C-STUM-T 编号：C94534

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 128 × 8 (1K) 或 256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。 I²C 兼容（两线）串行接口: -100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

数据手册

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￥2.74
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￥2.17
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￥1.92
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￥1.47
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型号：AT25SF081B-SSHD-T 编号：C1883516

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Adesto AT25SF081B是串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存存储中映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF081B的灵活擦除架构也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。AT25SF081B的擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，这意味着可以更有效地使用存储空间。

数据手册

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￥2.95
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￥2.32
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￥2.05
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￥1.71
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￥1.56
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型号：MX25L3233FM2I-08G 编号：C190802

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

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￥3.54
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￥2.86
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￥2.53
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型号：24LC256-I/SN 编号：C411625

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256是32Kx8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内运行。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备还具有高达64字节数据的页面写入能力。

数据手册

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￥3.67
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￥2.98
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￥2.24
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型号：IS25LP032D-JBLE 编号：C2841347

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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￥4.32
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￥2.76
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型号：M24256-BWMN6P 编号：C283433

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24256是一款256-Kbit I2C兼容EEPROM，组织为32 K × 8位。支持所有I2C总线模式，包括1 MHz、400 kHz和100 kHz。具有32 K字节的EEPROM，页面大小为64字节。支持单电源电压和高速操作，工作电压范围为1.7V到5.5V。工作温度范围为-40°C至+85°C，具有超过4百万次写入周期寿命和超过200年的数据保留时间。

数据手册

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￥4.57
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型号：IS25LP016D-JBLE-TR 编号：C2062840

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存为简化引脚封装提供了一种高度灵活且高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

数据手册

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￥5.51
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￥3.82
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￥3.27
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￥2.93
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￥2.76

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型号：W25Q16JWSNIQ 编号：C7117004

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JW（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥7.39
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￥4.54

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型号：FM25640B-GTR 编号：C365763

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25640B是一款64-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

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￥8.2
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￥5.01
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￥4.42

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型号：W25Q32JWZPIQ TR 编号：C1021789

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。器件在1.7V至1.95V电源下工作，掉电时电流消耗低至0.1μA。阵列由16384个可编程页面组成，每页256字节，一次最多可编程256字节

数据手册

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￥8.35
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型号：MX25U6435FM2I-10G 编号：C382733

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb串行闪存存储器，内部配置为8,388,608×8。当处于双I/O或四I/O模式时...

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￥5.773 ￥12.55

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型号：HG25Q256MW/TR 编号：C20613275

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3.3v256m位串行闪存，带有双/四元SPI

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￥9.36
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￥9.03
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型号：DS2460S+T&R 编号：C879652

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是硬件实现的ISO/IEC 10118-3安全哈希算法（SHA-1），无需开发软件来执行验证SHA设备和验证数字签名服务数据所需的复杂SHA计算。通过流行的I²C接口与微控制器通信。应用包括用于令牌认证和服务数据验证的访问控制和电子支付系统主机，以及用于不超过SHA-1结果长度（20字节）的短消息加密和解密的一次性加密密钥生成。

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1+
￥12.16
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￥11.08
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￥10.41
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型号：47L16T-I/SN 编号：C2062434

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

数据手册

1+
￥13.83
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30+
￥10.41
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￥9.07

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型号：MKPV1G08CT-AF 编号：C433162

封装：TSOPI-48

品牌：MK(米客方德)

MKPV1G08CT-AF是一款1Gb的NAND Flash存储器，支持3.3V供电，具有2.7V至3.6V的工作电压范围，典型擦除时间为4.5ms，典型编程时间为400μs。

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￥15.77 ￥16.6
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￥13.4805 ￥14.19
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￥12.046 ￥12.68
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￥9.823 ￥10.34
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￥9.1675 ￥9.65
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￥8.873 ￥9.34

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型号：FM24V02A-GTR 编号：C382041

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速两线串行接口（I2C），最高频率可达3.4 MHz。适用于频繁写入的应用场景，如数据记录和工业控制。

数据手册

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￥18.37
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￥15.69
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￥14.02
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￥10.73
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￥9.96

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型号：APS6404L-3SQN-SN 编号：C3028887

封装：SOP-8L

品牌：Apmemory

数据手册

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￥19.08
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￥16.33
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￥14.69
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￥13.04

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型号：24LC1025T-E/SN 编号：C2061812

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1025是一款128K x 8位的I2C串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，具有100,000次擦写寿命，数据保持时间为200年。该器件支持1 MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥21.31
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￥18.09
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￥16.17
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￥14.24
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￥13.34
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￥12.94

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型号：SST26VF032BT-104I/SM 编号：C69337

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O™（SQI™）系列闪存设备采用六线4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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1+
￥21.89
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￥18.09
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￥15.84
100+
￥13.55

有货

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型号：IS62WV5128EBLL-45HLI 编号：C1348955

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥26.96
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￥22.85
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￥20.4
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￥17.93
500+
￥16.79

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型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥30.51
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￥26.51
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￥24.13
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￥21.73
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￥20.62
1000+
￥20.12

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型号：W632GG6NB-09 编号：C2641277

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥71.42
10+
￥66.42
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￥63.37
100+
￥60.81

有货

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型号：MT41K256M16TW-107 AAT:P 编号：C524865

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA(8x14)

数据手册

1+
￥81.01
10+
￥71.37
30+
￥65.5
102+
￥60.57

有货

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型号：CY14B101LA-SZ25XIT 编号：C2953458

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥82.03
10+
￥80.82
30+
￥78.72

有货

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型号：MKEMC004GT1E-IE 编号：C2987690

封装：FBGA-153

品牌：MK(米客方德)

pSLC, 4GB 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm

数据手册

1+
￥131.176 ￥138.08
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￥125.191 ￥131.78
30+
￥110.276 ￥116.08
100+
￥101.232 ￥106.56

有货

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型号：RS70B08G3S03F 编号：C22364054

封装：TFBGA-153(11.5x13)

品牌：Rayson(晶存)

是高质量且具成本优势的嵌入式存储解决方案，兼容JEDEC标准eMMC5.1规范。其强大的ECC引擎显著提高纠错能力，延长设备使用寿命，并增强处理更高原始误码率的能力。由NAND闪存和eMMC控制器组成。eMMC控制器和软件直接管理NAND闪存，包括ECC、损耗均衡、坏块管理、垃圾回收和性能优化，并管理接口协议。这种架构使NAND闪存的任何修订与eMMC主机隔离，使eMMC设备易于集成并加快上市时间。