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封装：TSOPI-48

TC58BVG0S3HTA00 是一款单 3.3V、1 Gbit（1,107,296,256 位）的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E²PROM），其组织形式为（2048 + 64）字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 K 字节 + 4 K 字节：2112 字节×64 页）

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型号：AT25M02-SSHD-T-TUDI 编号：C41355579

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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型号：23LC1024-I/SN 编号：C48388

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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型号：IS62WV12816BLL-55TLI 编号：C397872

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：M95M01-DWMN3TP/K 编号：C221456

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M95M01-A125和M95M01-A145是1 Mbit的串行EEPROM，符合汽车标准AEC-Q100等级0。这些设备通过简单的SPI兼容接口运行，最高可达16 MHz。存储阵列基于先进的真正EEPROM技术，具有嵌入式错误校正码逻辑，提高了可靠性。

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型号：IS43TR16128DL-125KBLI 编号：C1349483

封装：BGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM，支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率，系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部banks并发操作，具有自动预充电和部分阵列自刷新功能。

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型号：XTSDQ02GWSIGA 编号：C7429713

封装：WSON-8

品牌：XTX(芯天下)

工业级

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型号：IS25WP256D-JLLE 编号：C178257

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

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型号：MKDV2GIL-AST 编号：C26159625

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV2GIL-AS的升级款，2Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV2GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C6；IOPS R/W 1491/80；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

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￥28.458 ￥31.62
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型号：24LC1025T-I/SN 编号：C615697

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥30.71
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型号：MT47H64M16NF-25E IT:M 编号：C151066

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可选突发长度（BL）：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。汽车温度（AT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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￥32.9
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型号：W631GG6NB-12 编号：C17452711

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：FM24V05-GTR 编号：C66021

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

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型号：W632GU6RB-11 编号：C39979278

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥39.12
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型号：MX66L1G45GMI-10G 编号：C2802775

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

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1+
￥45.4158 ￥65.82
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￥43.47 ￥63
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￥42.2832 ￥61.28
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￥40.779 ￥59.1

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型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

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￥46.02
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￥40.95
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￥32.97

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型号：CY62167DV30LL-55ZXIT 编号：C2956479

封装：TSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。

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￥65.36
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￥56.59
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￥48.97

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型号：K4B4G0846E-BYMA 编号：C2875174

封装：FBGA-78

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥66.45
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￥58.74
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￥54.04

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型号：XTSDQ08GWSIGA 编号：C29781617

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

1+
￥69.33
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￥68.35
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￥66.64
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￥65.16

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型号：MKDN032GCL-AA 编号：C2836411

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商用级别。它由NAND闪存和高性能控制器组成，支持SD3.0接口，允许大多数通用CPU利用。

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1+
￥95.646 ￥100.68
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￥91.637 ￥96.46
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￥78.9925 ￥83.15
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￥72.9315 ￥76.77

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型号：H5AN4G6NBJR-UHI 编号：C46552766

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥126.66
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￥116.27
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￥109.95
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￥104.64

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型号：CY14B101NA-ZS45XIT 编号：C2932413

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。

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1+
￥129.8
5+
￥123.2
30+
￥118.8

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型号：SDINBDG4-8G 编号：C577444

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

数据手册

1+
￥152.26
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￥145.47
30+
￥132.05

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型号：K4A8G165WC-BCTD 编号：C2803251

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥160.26
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￥154.07
30+
￥143.33

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型号：MT40A1G8SA-062E:R 编号：C2859183

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

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￥186
30+
￥180

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型号：MKEML064GV1E-C 编号：C48936275

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,64GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°C ；LDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

1+
￥198.0465 ￥208.47
30+
￥188.461 ￥198.38

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型号：H5ANAG6NCJR-XNC 编号：C2960662

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5ANAG4NCJR-xxC、H5ANAG8NCJR-xxC、H5ANAG6NCJR-xxC 是 16Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。16Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均进行采样