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封装：USON8-EP(2x3)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

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型号：ZD25C1MA-XGMT 编号：C53953985

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD25C1MA是一款1Mbit EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至105°C，写周期寿命为2百万次，数据保留时间为200年

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型号：AT45DB041E-SSHN-T 编号：C226095

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4MB存储容量,8 bit,SPI接口,1.65V-3.6V

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型号：93LC56B-I/P 编号：C613877

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit低电压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA56C、93LC56C或93C56C）取决于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用8位通信，有相应设备可用；对于专用16位通信，也有对应设备。先进的CMOS技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储器应用。整个系列有标准封装和先进封装，所有封装均为无铅（雾锡）表面处理。

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型号：HG25Q128BMW/TR 编号：C22461597

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

HG25Q128MW/TR升级替代料，建议试样，3.3v128m位串行闪存，带有双/四元SPI

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型号：CAV25256VE-GT3 编号：C605356

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256是一款256Kb SPI EEPROM，适用于汽车级1设备。该设备内部组织为32Kx8位，支持64字节页写缓冲区和SPI协议。具有硬件和软件写保护功能，包括部分和全阵列保护。适合高可靠性应用。

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型号：AT24CM01-XHM-T 编号：C2653508

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

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型号：MX25L3206EM2I-12G 编号：C415880

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。通过 CS 启用对设备的串行访问。

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型号：W25Q64JVSFIQ TR 编号：C2456207

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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型号：DS2431+T&R 编号：C2838751

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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型号：AT25M02-SSHD-T-TUDI 编号：C41355579

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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型号：AT25512N-SH-T 编号：C779669

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25512提供524,288位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为65,536个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作是必需的。设备提供8引脚SOIC、8引脚TSSOP和8垫UDFN封装，所有封装均可在1.8V至5.5V范围内工作。

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型号：23LC1024T-I/SN 编号：C114449

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI和SQI接口。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持无限次读写操作，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构。

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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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型号：GD25Q128EWIGR 编号：C2982923

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q128E（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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￥19.76
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型号：W25Q64JVZPIQ 编号：C54407715

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

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￥21.19
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型号：W25Q64FWSSIQ 编号：C783717

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64FW（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双路/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：EPCS4SI8N 编号：C569019

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

若要使用基于SRAM的器件配置系统，每次给器件上电时，都必须加载配置数据。EPCS器件是一种闪存器件，可存储用于在FPGA上电后进行配置的数据。您可以在所有支持AS x1配置方案的FPGA上使用EPCS器件

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型号：MX25L25645GM2I-10GTR 编号：C2802976

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥25.86
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型号：APS6404L-3SQN-SN 编号：C3028887

封装：SOP-8L

品牌：Apmemory

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￥28
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￥23.97
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型号：SST26VF032B-104I/SM 编号：C1523856

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥28.25
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￥22.13
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型号：AT24CM02-SSHD-T 编号：C461562

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位（262,144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持1.7V至5.5V低电压和标准电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。支持I2C兼容（两线）串行接口，包括100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式加（FM+）。内置错误检测和校正功能，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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1+
￥30.61
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￥26.59
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￥24.21
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￥21.79

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型号：MT25QL128ABA8ESF-0SIT 编号：C427722

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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1+
￥39.17
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￥33.33
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￥29.78
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￥26.8

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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

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1+
￥51.95
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￥47.86
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￥46.39
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￥45.16

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型号：GD5F2GM7UEYIGR 编号：C22412867

封装：WSON-8(8x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性，是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。 - 引脚总数为 8 个，包括 VCC 和 GND

1+
￥53.23
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￥45.15
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￥40.23
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￥36.1

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型号：MX35LF2GE4AD-Z4I 编号：C2802771

封装：WSON-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

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5+
￥93.22321
50+
￥81.890192
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￥75.401126

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型号：CY62167EV30LL-45BVXIT 编号：C2840303

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥75.55
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￥72.15
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￥66.26

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

30+
￥76.99
300+
￥71.34
900+
￥67.89
3000+
￥65

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型号：XT27G02BTSIGA 编号：C20417424

封装：TSOP-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G02B 是一款单通道 3.3V、2Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 64)字节×64 页×2048 块。该器件有两个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 Kbytes + 4 Kbytes：2112 字节×64 页）

1+
￥77.28
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￥76.21
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￥74.35
96+
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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

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￥78.192 ￥86.88
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￥74.574 ￥82.86
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￥68.292 ￥75.88
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