存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24AA16T-I/OT 编号：C122879

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16/24LC16B（24xx16*）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由8个256x8位的存储块组成，采用两线串行接口。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.16
30+
￥1.91
100+
￥1.6
500+
￥1.46
1000+
￥1.37

有货

立即购买

型号：AT24C32E-SSHM-T 编号：C116670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24C32E提供32,768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096个8位字。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用的两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥2.92
10+
￥2.26
30+
￥1.98
100+
￥1.63
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

有货

立即购买

型号：CAT24C256YI-GT3 编号：C146734

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256是一款256kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、低功耗CMOS技术、工业和扩展温度范围。

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.93
30+
￥2.61
100+
￥2.21
500+
￥2.03
1000+
￥1.93

有货

立即购买

型号：W25Q80DVSNIG TR 编号：C401655

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，掉电时电流消耗低至 1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由 4096 个可编程页面组成，每个页面 256 字节。一次最多可编程 256 字节

数据手册

20+
￥5.87
200+
￥5.14
600+
￥4.68

有货

立即购买

型号：24AA64FT-I/OT 编号：C2061144

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/24FC64F(24XX64F*)是一款64Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储体组织为单个8K×8位的存储块。低电压设计使其能够在低至1V的电压下工作

数据手册

1+
￥6.56
10+
￥5.42
30+
￥4.8
100+
￥4.09
500+
￥3.56
1000+
￥3.42

有货

立即购买

型号：MX25L3233FM1I-08G 编号：C2802994

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

数据手册

1+
￥7.66
10+
￥6.53
30+
￥5.97
100+
￥5.41
500+
￥5.08
1000+
￥4.9

有货

立即购买

型号：AT24CM01-SSHM-T 编号：C68393

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥8.24
10+
￥6.94
30+
￥6.23
100+
￥5.2
500+
￥4.85
1000+
￥4.69

有货

立即购买

型号：W25Q16JWXHIQ 编号：C2835333

封装：XSON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JW（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥9.43
10+
￥8.44
30+
￥7.94
100+
￥7.45
500+
￥7.16
1000+
￥7

有货

立即购买

型号：24CW1280T-I/OT 编号：C2061808

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

数据手册

1+
￥9.67
10+
￥8.08
30+
￥7.2
100+
￥5.95
500+
￥5.51
1000+
￥5.31

有货

立即购买

型号：PM002MNIATR 编号：C7434471

封装：SOP8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

1+
￥10.66
10+
￥9.78
30+
￥9.23
100+
￥8.66
500+
￥8.41
1000+
￥8.3

有货

立即购买

型号：SST26VF064B-104I/SM 编号：C638561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路I/O（SQI）系列闪存器件采用六线4位I/O接口，能在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

数据手册

1+
￥14.7
10+
￥12.38
30+
￥10.92
100+
￥9.44
500+
￥8.77
1000+
￥8.48

有货

立即购买

型号：DS2431Q+T&R 编号：C879661

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

1+
￥14.92
10+
￥12.38
30+
￥10.8
100+
￥9.17
500+
￥8.44

有货

立即购买

型号：23K256T-I/SN 编号：C136317

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T-I/SN 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥15.6
10+
￥13.23
30+
￥11.75
100+
￥9.23
500+
￥8.55
1000+
￥8.25

有货

立即购买

型号：W25Q128JVFIQ TR 编号：C2456298

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

5+
￥21.16
50+
￥18.63
150+
￥17.05
1000+
￥14.55
2000+
￥13.82
5000+
￥13.5

有货

立即购买

型号：W9864G6KH-6I 编号：C503937

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用，W9864G6KH 被分为以下速度等级：-5、-6、-6l 和 -7。-5 等级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 等级部件可运行至 143MHz/CL3，trp=18ns。

8+
￥21.81
80+
￥21.53
240+
￥20.99
800+
￥20.8

有货

立即购买

型号：IS61WV25616BLL-10TLI 编号：C53825

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥28.72
10+
￥25.63
30+
￥23.8
100+
￥21.17
500+
￥20.32
1000+
￥19.93

有货

立即购买

型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥29.02
10+
￥25.02
30+
￥22.64
100+
￥20.24

有货

立即购买

型号：MKDV1GIL-AST 编号：C26159624

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV1GIL-AS的升级款，1Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV1GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C4；IOPS R/W 1343/35；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

1+
￥42.7785 ￥45.03
10+
￥37.373 ￥39.34
30+
￥34.0765 ￥35.87
100+
￥31.3215 ￥32.97

有货

立即购买

型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C500274

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥55.17
10+
￥49.96
30+
￥46.79
112+
￥43

有货

立即购买

型号：MT25QU512ABB8ESF-0SIT 编号：C2061983

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

数据手册

1+
￥81.55
10+
￥77.94
30+
￥71.7
100+
￥66.25

有货

立即购买

型号：MT25QL01GBBB8ESF-0SIT 编号：C2061920

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为133 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s

数据手册

1+
￥136.64
30+
￥129.32

有货

立即购买

型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥146.25
10+
￥136.5
30+
￥124.12
100+
￥113.32

有货

立即购买

型号：H5AN8G6NCJR-VKC 编号：C2803261

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取，以实现非常高的带宽。

数据手册

1+
￥190.83
30+
￥170

有货

立即购买

型号：MKDV16GCL-STPA 编号：C47118465

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV16GCL-STP的升级款。尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥273.0585 ￥287.43
30+
￥259.844 ￥273.52

有货

立即购买

型号：MT25QU01GBBB8E12-0SIT 编号：C2061873

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

数据手册

1+
￥413.37
30+
￥398.3

有货

立即购买

型号：CSNP64GCR01-BOW 编号：C41380595

封装：LGA-8(7x8.5)

品牌：CS(创世)

SD NAND 64Gb MLC.标准SD 2.0协议.内嵌Flash管理算法,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,支持EXT4/FAT系列文件系统.待机/工作功耗低.自动stand by模式,高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

1+
￥437.55
30+
￥357.76

有货

立即购买

型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。