存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN4G6NBJR-VKC 编号：C2849414

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

数据手册

1+
￥57.9
10+
￥56.4
30+
￥55.48
100+
￥54.71

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型号：HX25Q16DRG 编号：C22439610

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

16M BIT SPI NOR FLASH

5+
￥1.1432
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￥0.9013
150+
￥0.7976
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￥0.6682
2500+
￥0.6106
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￥0.576

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型号：ZD24C256A-SSGMT 编号：C2896642

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥1.2294
50+
￥0.9766
150+
￥0.8683
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￥0.7331
3000+
￥0.6129
6000+
￥0.5768

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型号：M24C16-FDW6TP 编号：C2061946

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.6497
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￥1.2837
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￥1.1268
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￥0.9311
2500+
￥0.8439

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型号：AT24C256C-SSHL-B 编号：C615461

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压工作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I²C 兼容 (2 线) 串行接口:100 kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

数据手册

5+
￥2.2965
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￥1.8105
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￥1.6022
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￥1.3423

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型号：FM25Q64AI3-SOB-T-G 编号：C19626526

封装：SOP-8-208mil

品牌：FM(复旦微)

FM25Q64AI3是一款64M位（8MB）串行闪存，具备先进的写保护机制。FM25Q64AI3支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路I/O。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP），以及存储语音、文本和数据

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￥2.49
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￥1.96
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￥1.73
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￥1.45
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￥1.32
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￥1.25

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型号：24AA64T-I/SN 编号：C45707

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

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￥3.28
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￥2.56
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￥2.25
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￥1.86
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￥1.69
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型号：CAT24C16HU4I-GT3 编号：C464144

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

数据手册

1+
￥3.28
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￥2.6
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￥2.3
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￥1.93
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￥1.55
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型号：IS25LP040E-JYLA3-TR 编号：C6062478

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

1+
￥3.41
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￥2.68
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￥2.37
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￥1.81
1000+
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型号：24LC512-I/SN 编号：C455433

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

数据手册

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￥8.93
10+
￥7.32
30+
￥6.44
100+
￥5.45
500+
￥5.01
1000+
￥4.81

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型号：MX25U12832FZNI02 编号：C2802861

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。134,217,728 x 1位结构或67,108,864 x 2位（双I/O模式）结构或33,554,432 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

1+
￥9.07
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￥7.8585 ￥8.45
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￥6.6815 ￥8.05
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￥6.3495 ￥7.65
500+
￥6.2001 ￥7.47
1000+
￥6.1337 ￥7.39

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型号：24FC512-I/SN 编号：C615159

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

数据手册

1+
￥11.4
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￥9.69
30+
￥8.62
100+
￥7.52
500+
￥7.03

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型号：W25Q128JVFIQ TR 编号：C2456298

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

1+
￥11.83
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￥10.21
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￥9.32
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￥8.2368 ￥8.32
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￥7.3359 ￥7.41
1000+
￥7.128 ￥7.2

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型号：IS62C256AL-45ULI-TR 编号：C14323

封装：SOIC-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

数据手册

1+
￥12.51
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￥10.84
30+
￥9.92
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￥8.88
500+
￥7.92
1000+
￥7.71

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

1+
￥14.8105 ￥15.59
10+
￥12.521 ￥13.18
30+
￥11.0865 ￥11.67
100+
￥9.614 ￥10.12
500+
￥8.9585 ￥9.43
1000+
￥8.664 ￥9.12

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型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

1+
￥14.8865 ￥15.67
10+
￥12.597 ￥13.26
30+
￥11.1625 ￥11.75
100+
￥9.6995 ￥10.21
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￥9.0345 ￥9.51
1000+
￥8.7495 ￥9.21

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型号：MX25L25645GMI-08G 编号：C526821

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

数据手册

1+
￥21.54
10+
￥18.68
30+
￥16.89
100+
￥12.8
500+
￥11.97
1000+
￥11.61

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型号：EPCS4SI8N 编号：C569019

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

若要使用基于SRAM的器件配置系统，每次给器件上电时，都必须加载配置数据。EPCS器件是一种闪存器件，可存储用于在FPGA上电后进行配置的数据。您可以在所有支持AS x1配置方案的FPGA上使用EPCS器件

数据手册

1+
￥23.57
10+
￥20.54
30+
￥18.74
100+
￥16.83
500+
￥15.99

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型号：W631GG6MB-12 编号：C408825

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

W631GG6MB 是 1G bits 的 DDR3 SDRAM，组织方式为 8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。该设备支持最高传输速率可达 2133 MT/s (DDR3-2133)，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。其中，12 工业级支持 0°C 至 95°C。

数据手册

1+
￥26.54
10+
￥23.64
30+
￥21.91
100+
￥19.9683 ￥20.17
500+
￥19.1763 ￥19.37
1000+
￥18.81 ￥19

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型号：MT29F2G01ABAGDWB-IT:G 编号：C410863

封装：U-PDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元 (SLC) 技术。2Gb 密度。页面大小 x1：2176 字节 (2048 + 128 字节)。块大小：64 页 (128K + 8K 字节)。平面大小：2Gb (2 个平面，每个平面 1024 个块)。标准和扩展 SPI 兼容串行总线接口

数据手册

1+
￥26.91
10+
￥23.44
30+
￥21.38
100+
￥19.29

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥31.14
10+
￥26.79
30+
￥24.21
100+
￥20.45
500+
￥19.25
1000+
￥18.71

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型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥34.32
10+
￥29.5
30+
￥26.63
135+
￥22.09
540+
￥20.75

有货

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型号：FM24V10-GTR 编号：C466851

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥39.79
10+
￥34.68
30+
￥28.05
100+
￥24.98
500+
￥23.56
1000+
￥22.93

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型号：MT41K128M16JT-125 IT:K 编号：C115792

封装：TFBGA-96

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。

数据手册

1+
￥41.46
10+
￥36.17
30+
￥33.02
100+
￥29.83
500+
￥28.37
1000+
￥27.71

有货

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型号：MKDV16GCL-STPA 编号：C47118465

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV16GCL-STP的升级款。尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。