ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：DPAK

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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型号：NUD4001DR2G 编号：C129158

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该设备旨在替代低压交直流应用（5.0V、12V或24V）中驱动LED的分立解决方案。外部电阻允许电路设计人员为不同的LED阵列设置驱动电流。这种分立集成技术通过将各个组件组合到一个封装中，消除了单个组件，从而显著降低了系统成本和电路板空间。该设备采用小型表面贴装封装（SO-8）。

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型号：NCP730BMT330TBG 编号：C892821

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是一款CMOS LDO稳压器，设计用于高达38V的输入电压和150mA的输出电流。仅1μA的静态电流使其成为电池供电、始终开启系统的理想解决方案。有几种固定输出电压版本以及可调版本。该器件（B版本）实现了电源良好电路（PG），用于指示输出电压是否处于稳压状态，此信号可用于电源排序或作为微控制器复位信号。内部短路和过温保护可防止器件在过载条件下损坏。

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型号：NCP1399AADR2G 编号：C99733

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

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型号：MUR1560G 编号：C61702

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：CAT9555YI-T2 编号：C83265

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

提供16位并行输入/输出端口扩展，兼容I2C和SMBus。适用于传感器、电源开关、LED、按钮和风扇等应用。

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型号：74ACT541SCX 编号：C899000

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

74AC541和74ACT541是八进制缓冲器/线路驱动器，旨在用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的发送器/接收器。这些器件在功能上与74AC244和74ACTC244相似，同时采用直通式架构（输入与输出位于相对两侧）

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型号：NCP1396ADR2G 编号：C328039

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1396 A/B 提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切功能。其独特结构包括了一个 500 kHz 电压控制振荡器，其控制模式可在需要 OR 功能时带来灵活性，如多反馈路径实施中。由于其专属高电压技术，该控制器适用于与一个自举 MOSFET 驱动器一起用于半桥应用，接受最高 600 V 的大电压。多种反应时间的保护功能，如立即关断或基于计时器的事件、欠电压、断开光耦合器检测等，有助于产生更安全的转换器设计，而不会提高电路复杂度。可调死区时间还有利于降低击穿电流，也有利于提高开关频率。

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型号：MBRB20H100CTT4G 编号：C235758

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

增强型肖特基势垒整流器，VF 更低，浪涌能力更高，IR 参数更低

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型号：FDMS039N08B 编号：C891043

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：CAT24C512XI-T2 编号：C153760

封装：SOIC-8-208mil

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512是一款512Kb的CMOS串行EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有128字节的页写缓冲区，硬件写保护功能，以及工业和扩展温度范围。

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型号：FDML7610S 编号：C891033

封装：MLP-8(3x4.5)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点，以便于同步降压转换器的布局和路由。控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET (Q2) 旨在提供优化的功效。

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型号：FDMS86252L 编号：C606108

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

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型号：FSV20150V 编号：C606024

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为1.1mm。沟槽肖特基技术。符合IEC61249标准的绿色模塑料。仅无DAP选项。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

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型号：SG3525ADWR2G 编号：C30293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

SG3525A PWM 控制器提供了更高性能，更少的外部零部件数量，可实施用于控制所有类型的开关电源。片上 +5.1 V 参考微调为 +/-1%，误差放大器具有包括参考电压的输入共哦电压范围，因此无需外部分压器电阻。振荡器的同步输入让多个设备可以成为从属设备，也可以让一个设备与外部系统时钟进行同步。通过在 CT 和放电引脚之间联接的一个电阻可以变成较宽的停滞时间范围。此器件还具有内置软启动电路，仅需一个外部计时电容器。一个关断引脚同时控制软启动电路和输出级，通过带脉冲关断的 PW 锁存以及带有更长关断命令的软启动再循环提供瞬时关断。当 VCC 低于标称值时，欠压锁定将禁止软启动电容器的输出和更换。输出级为图腾柱设计，可以接收和提供超过 200 mA 的电流。SG3525A 的输出级具有 NOR 逻辑，可对于关状态产生低输出。

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型号：FSV1045V 编号：C895433

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

FSV1045V 肖特基整流器具有突破性尺寸和性能。该器件针对移动充电器应用进行了优化。在充电器设计中，高温条件下该器件仅灌入 18 mA 的反向电流，并在 1 A 工作电流下提供 0.18 V 的正向压降。

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型号：FQPF4N90C 编号：C2696

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,900V,4A,4.2Ω@10V

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型号：RHRP1560 编号：C124447

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRP1560 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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型号：NVD5C684NLT4G 编号：C236252

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：NCP12700BDNR2G 编号：C603535

封装：MSOP-10

品牌：onsemi(安森美)

NCP12700 是一款固定频率、峰值电流模式 PWM 控制器，具有实施单端功率转换器拓扑结构所需的所有功能。该器件具有高电压启动特性，能够在很宽的输入范围内运行 (9 – 120/200 V MSOP10/WQFN10) 并提供至少 20 mA 电源，在启动期间为 VCC 提供临时偏置。该控制器提供可调节软启动、输入电压 UVLO 保护以及可调节的过功率保护电路，会在输入电压提高时限制电路的总功率能力，简化系统散热设计。UVLO 还具有一个关断比较器，允许外部型号禁用开关，将控制器带入低静止状态。

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型号：MBR20200CTG 编号：C2727

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0 MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

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型号：FDD86367 编号：C903589

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在VGS = 10V，ID = 80A时为3.3mΩ。典型总栅极电荷：在VGS = 10V，ID = 80A时为68nC。具有UIS能力。无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：动力总成管理。电磁阀和电机驱动器

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型号：ISL9V3040S3ST-F085C 编号：C603081

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 提供卓越的 SCIS 能力，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：NJW0302G 编号：C160665

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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型号：LM2576D2TR4-5G 编号：C70354

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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型号：NCP1200D100R2G 编号：C904384

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1200采用SOIC−8或PDIP−8封装，是超紧凑型开关电源的重大突破。凭借全新的设计理念，该电路只需少量外部元件，即可实现完整的离线电池充电器或备用开关电源。此外，集成的输出短路保护功能使设计人员能够结合简化的反馈方案，构建极其低成本的AC−DC壁式适配器。该控制器的内部结构以固定的40 kHz、60 kHz或100 kHz频率运行，可驱动IGBT或MOSFET等低栅极电荷开关器件，因此所需的工作功率非常小。由于采用电流模式控制，NCP1200极大地简化了可靠且低成本的离线转换器的设计，具有极低的声学噪声和固有的逐脉冲控制功能。当电流设定值低于给定值时，例如输出功率需求降低，该IC会自动进入跳周期模式，在轻载情况下提供出色的效率。由于这种情况发生在低峰值电流时，因此不会产生声学噪声。最后，该IC由直流母线自供电，无需辅助绕组。这一特性确保了在低输出电压或短路情况下的正常运行。NCP1200采用标准的电流模式架构，关断时间由峰值电流设定值决定。在需要减少元件数量的关键应用中，特别是在低成本AC−DC适配器、辅助电源等领域，该元件是理想的选择。凭借其高性能的高压技术，NCP1200集成了基于UC384X的电源通常所需的所有必要元件：定时元件、反馈器件、低通滤波器和自供电电路。这一点强调了NCP1200无需辅助绕组即可工作的事实：该产品自然地从高压母线获取电源，并为IC提供VCC。这种系统称为动态自供电（DSS）。

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型号：LM2576D2T-ADJR4G 编号：C70351

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：FDA24N40F 编号：C898136

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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