ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMS4177PR2G 编号：C99787

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V P 沟道功率 MOSFET。

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￥2.2804
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￥1.7769
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￥1.5611
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型号：LMV358DMR2G 编号：C128007

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

LMV321、LMV358和LMV324是具备轨到轨输出摆幅的CMOS单通道、双通道和四通道低压运算放大器。对于功耗要求低且需节省空间封装的应用而言，这些放大器是具有成本效益的解决方案。轨到轨操作可提升信噪比性能

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￥2.2414
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￥1.7878
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￥0.99

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型号：PZTA92T1G 编号：C152480

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-223 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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￥2.3447
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￥1.7866
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型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86 是一款 16-Kb 串行 EEPROM 内存器件，可配置为 16 位寄存器（VCC 处的 ORG 引脚）或 8 位寄存器（GND 处的 ORG 引脚）。每个寄存器均可使用 DI（或 DO）引脚进行串行写入（或读取）。CAT93C86 具有一个自计时内部写入，带自动清除。片上接通电源重置电路会保护内部逻辑不会以错误状态通电。

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￥2.3811
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￥1.9129
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型号：MC74AC14DR2G 编号：C233516

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

包含六个逻辑反相器，可接受标准CMOS输入信号（MC74ACT14为TTL电平），并提供标准CMOS输出电平。能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。此外，它们比传统反相器具有更大的噪声容限。在正向和负向输入阈值之间具有迟滞（典型值为1.0V），该迟滞由晶体管比率在内部确定，并且基本上不受温度和电源电压变化的影响。

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￥2.39
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￥1.87
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￥1.65
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型号：NCP303LSN27T1G 编号：C233707

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程延时发生器。专为便携式微处理器系统中的复位控制器设计，可延长电池寿命。每个系列都有一个带滞后功能的高精度欠压检测器和一个外部可编程延时发生器，可防止系统复位操作不稳定。NCP302系列为互补输出器件，有高电平有效或低电平有效的复位；NCP303系列有一个漏极开路N沟道输出，复位输出为低电平有效。

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￥2.43
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￥2.15
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￥2.03
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￥1.88
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￥1.48
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型号：PZTA29 编号：C424581

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

该器件专为在集电极电流高达500mA时需要极高电流增益的应用而设计。

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￥2.55
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￥2.02
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￥1.79
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型号：NCP1608BDR2G 编号：C46220

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1608 是一款有源功率因数校正 (PFC) 控制器，专门用作 AC-DC 适配器、电子镇流器和其他中等功率离线转换器（通常高达 350 W）中的预转换器。它使用临界导通模式 (CrM) 来确保多种输入电压和输出功率下接近一致的功率因数。NCP1608 集成了多种安全功能，最大程度减少了外部部件数量，使其成为设计耐用 PFC 级的绝佳选择。

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￥2.603
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￥2.0999
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￥1.8842
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￥1.6152
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￥1.4954
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￥1.4235

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型号：MJE243G 编号：C19707

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

这些器件适用于低功率音频放大器和低电流、高速开关应用。

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￥2.65
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￥2.11
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￥1.88
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￥1.59
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￥1.22
1000+
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型号：MURD620CTT4G 编号：C154605

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

这些先进的器件设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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￥2.71
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￥2.14
30+
￥1.9
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￥1.42
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￥1.28
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型号：MC33269DTRK-5.0G 编号：C179577

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

MC33269/NCV33269系列是低压差、中等电流、固定和可调正电压稳压器，专为低输入电压应用而设计。这些器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案，同时将功耗降至最低。该稳压器由一个1.0 V压差复合PNP-NPN传输晶体管、限流和热关断功能组成。

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￥2.75
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￥1.94
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￥1.33
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型号：FSA4157P6X 编号：C10446

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

FSA4157和FSA4157A是高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关。它们在4.5V Vcc下的最大导通电阻为1.15Ω，并且在1.65V至5.5V (FSA4157)或2.7V至5.5V (FSA4157A)的宽Vcc范围内工作。

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￥3.1147
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￥2.4343
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型号：FDC6420C 编号：C154515

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

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￥3.14
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￥2.44
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￥2.14
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￥1.59
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型号：LM337TG 编号：C73683

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调负向

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￥3.29
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￥2.62
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￥2.32
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￥1.97
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￥1.81
1000+
￥1.72

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型号：MUR4100ERLG 编号：C111831

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

超快 E 系列，具有高逆向能量功能,此类先进器件适用于开关电源、逆变器或用作续流二极管

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￥3.33
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￥2.29
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型号：MC74HCT04ADTR2G 编号：C233541

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HCT04A可用作电平转换器，用于将TTL或NMOS输出与高速CMOS输入连接。HCT04A的引脚排列与LS04相同。

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￥3.39
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￥1.65

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型号：MJE350G 编号：C233750

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥3.54
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￥2.82
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￥2.46
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￥2.1
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型号：S310FA 编号：C719828

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低功率损耗，高效率。用于过压保护的保护环。高浪涌电流能力。 UL 可燃性 94V-0 分类。 MSL 1 级（根据 J-STD-020）。 NRVB 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。该器件无铅且符合 RoHS 标准

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1+
￥3.56
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￥2.91
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￥2.58
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￥2.25
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￥1.96
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￥1.86

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型号：MC7912CTG 编号：C126459

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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￥3.56
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￥2.74
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￥2.29
100+
￥1.85
500+
￥1.66
1000+
￥1.54

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型号：NCP5501DT33RKG 编号：C904519

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

这些线性低压降稳压器可在用户可调的1.25V至5.0V输出范围内提供高达500 mA的电流，也可提供1.5V、3.3V或5.0V的固定输出电压，典型输出电压精度优于3%。内部PNP传输晶体管允许在最低输入电压下实现低压降和满载电流运行。NCV版本适用于要求扩展温度运行以及现场和变更控制的严苛汽车应用。NCP5500和NCV5500版本包括使能/关断功能，提供DPAK 5和SOIC 8封装

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1+
￥3.67
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￥2.98
30+
￥2.69
100+
￥2.32
500+
￥2.08
1000+
￥1.98

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型号：NCP603SNADJT1G 编号：C233368

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP603可在固定电压选项下提供300 mA的输出电流，或提供5.0 V至1.250 V的可调输出电压。它专为便携式电池供电应用而设计，具备低功耗运行、快速使能响应时间和低压差等高性能特性。该器件设计用于搭配低成本陶瓷电容器，并采用TSOP−5/SOT23−5封装

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1+
￥3.74
10+
￥3.01
30+
￥2.7
100+
￥2.31
500+
￥2.13
1000+
￥2.03

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型号：NTTFS5C454NLTAG 编号：C146707

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，3.8 mΩ，85 A，单 N 沟道

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1+
￥3.75
10+
￥3.02
30+
￥2.65
100+
￥2.17
500+
￥1.95
1500+
￥1.84

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型号：SS36 编号：C391251

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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1+
￥3.82
10+
￥3.13
30+
￥2.78
100+
￥2.44
500+
￥2.04
1000+
￥1.94

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型号：NTMFS5C430NLT1G 编号：C194661

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道

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1+
￥3.87
10+
￥3.05
30+
￥2.7
100+
￥2.26
500+
￥1.94

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型号：NCP4318ALCDR2G 编号：C2902032

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4318是一款适用于LLC谐振转换器的先进同步整流（SR）控制器，所需外部元件极少。它有两个栅极驱动级，用于驱动对变压器次级绕组输出进行整流的SR MOSFET。这两个栅极驱动级各自拥有漏极和源极感应输入，且相互独立工作。先进的自适应死区时间控制可补偿寄生电感上的电压，以最大限度减少体二极管导通，提高系统效率。先进的关断控制算法可确保SR在整个负载范围内稳定运行。NCP4318有两种引脚分配版本——NCP4318AXX和NCP4318BXX。

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1+
￥3.93
10+
￥3.83
30+
￥3.76
100+
￥3.7

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型号：CAV24C16WE-GT3 编号：C146711

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件，其内部结构分别为16页、32页、64页和128页，每页16字节。所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。写入数据时，需提供起始地址，然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器

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1+
￥3.9494 ￥4.03
10+
￥2.8864 ￥3.28
30+
￥2.262 ￥2.9
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￥1.9656 ￥2.52
500+
￥1.794 ￥2.3
1000+
￥1.7004 ￥2.18

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型号：MJD45H11-1G 编号：C5440

封装：TO-251(IPAK)

品牌：onsemi(安森美)

设计用于通用电源和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

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1+
￥4.36
10+
￥3.5
30+
￥3.06
75+
￥2.6
525+
￥2.35
975+
￥2.21

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型号：DF04S 编号：C232846

封装：SDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

随着提高电源效率、提高浪涌额定值、提高可靠性和减小尺寸的迫切需求，该系列产品在性能方面树立了标准。该设计提供 50A 的浪涌额定值，这对于提高可靠性和效率很重要。高效设计力求降低电路电阻，但这可能会导致浪涌电流增加。因此，可能需要高浪涌电流额定值来维持或提高可靠性。该设计还通过在 25℃ 时实现 1.5A 下最大 1.1V 的正向压降（VF）来提高效率。较低的 VF 也有助于实现更凉爽、更高效的运行。最后，该系列产品采用 SDIP 表面贴装形式，与竞争产品相比，减少了电路板空间和体积要求。

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