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价格(含税)

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1个N沟道耐压:800V 电流:6A

型号：FCD850N80Z 编号：C455150

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

数据手册

1+
￥16.8
10+
￥14.39
30+
￥12.88
100+
￥11.33
500+
￥8.79
1000+
￥8.48

有货

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耐压:1.2kV 电流:30A 反向恢复时间：85ns

型号：RHRG30120 编号：C11753

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG30120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥17.14
10+
￥14.97
30+
￥11.65
90+
￥10.26
450+
￥9.64
900+
￥9.36

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:27.5A

型号：NTB25P06T4G 编号：C223555

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

1+
￥18.08
10+
￥15.22
30+
￥13.43
100+
￥11.59
500+
￥10.77
800+
￥10.41

有货

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650V 80A

型号：FGA40N65SMD 编号：C444005

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥23.84
10+
￥20.85
30+
￥16.08
90+
￥14.16
450+
￥13.29
900+
￥12.92

有货

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KNX双绞线网络收发器

型号：NCN5121MNTWG 编号：C891972

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于KNX双绞线网络的收发器IC，支持楼宇网络中的执行器、传感器、微控制器、开关等应用。

数据手册

1+
￥33.24
10+
￥28.41
30+
￥25.54
100+
￥22.64

有货

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650V 150A

型号：FGH75T65SHDTL4 编号：C898195

封装：TO-247-4LD

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥33.57
10+
￥28.45
30+
￥25.4
100+
￥22.33
450+
￥20.91
900+
￥20.27

有货

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100V 200mA

型号：MMSD4148T3G 编号：C232560

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

数据手册

20+
￥0.1429
200+
￥0.1101
600+
￥0.0918
2000+
￥0.0809
10000+
￥0.0714

有货

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电压:40V 电流:120mA

型号：BAS40LT1G 编号：C232531

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.1809
100+
￥0.1583
300+
￥0.147
3000+
￥0.1241
6000+
￥0.1174
9000+
￥0.114

有货

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耐压:12V 电流:0.1uA@8V

型号：MM3Z12VST1G 编号：C236107

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2362
200+
￥0.1886
600+
￥0.1621
3000+
￥0.1423

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:3uA@4.0V

型号：MM3Z6V2T1G 编号：C393369

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2433
200+
￥0.191
600+
￥0.1619
3000+
￥0.1445
9000+
￥0.1293
21000+
￥0.1212

有货

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独立式耐压:8.2V 电流:1uA@6.2V

型号：MMSZ4694T1G 编号：C223611

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.2485
100+
￥0.1943
300+
￥0.1672
3000+
￥0.1442
6000+
￥0.128
9000+
￥0.1198

有货

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250V 225mA

型号：BAS21SLT1G 编号：C23847

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此双二极管器件包含两个串联封装的高压开关二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。

数据手册

20+
￥0.2566
200+
￥0.2054
600+
￥0.177
3000+
￥0.1461
9000+
￥0.1313
21000+
￥0.1233

有货

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NPN 电流:500mA 电压:60V

型号：MMBTA05LT1G 编号：C152279

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.277
100+
￥0.2219
300+
￥0.1944
3000+
￥0.1738
6000+
￥0.1573
9000+
￥0.149

有货

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单路施密特触发反相器

型号：NL17SZ14DFT2G 编号：C113256

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ14是一款带施密特触发器的单反相器，有三种小尺寸封装形式。该器件在速度和驱动能力方面的表现与LCX多门产品相当。

数据手册

10+
￥0.3423
100+
￥0.2682
300+
￥0.2311
3000+
￥0.2033
6000+
￥0.1811
9000+
￥0.17

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:1uA@2.0V

型号：MM3Z5V6T1G 编号：C82071

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.3542
200+
￥0.2806
600+
￥0.2397
3000+
￥0.1772
9000+
￥0.156
21000+
￥0.1445

有货

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单路二输入或门

型号：NL17SG32P5T5G 编号：C896302

封装：SOT-953

品牌：onsemi(安森美)

NL17SG32 MiniGate 是一款先进的高速 CMOS2 输入 OR 门极，占位超小。应用最高 4.6 V 的电压时，NL17SG32 输入结构提供保护。

数据手册

5+
￥0.357136 ￥0.5252
50+
￥0.269584 ￥0.4648
150+
￥0.208608 ￥0.4346
500+
￥0.19776 ￥0.412
2500+
￥0.189024 ￥0.3938
5000+
￥0.184704 ￥0.3848

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:0.22A

型号：BSS138 编号：C52895

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。

数据手册

250+
￥0.355063
500+
￥0.25254
3000+
￥0.188177
9000+
￥0.153824
21000+
￥0.142945

我要订货

独立式耐压:3.6V 电流:5uA@1V

型号：MMSZ3V6T1G 编号：C236186

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34-封装样式提供了方便的替代方案。

数据手册

10+
￥0.3838
100+
￥0.3046
300+
￥0.265
3000+
￥0.2353
6000+
￥0.2116
9000+
￥0.1997

有货

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耐压:6.2V 电流:1uA@3V

型号：NZ9F6V2ST5G 编号：C896533

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-923表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.3989
100+
￥0.3125
300+
￥0.2693
1000+
￥0.2369
5000+
￥0.211
8000+
￥0.198

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:380mA

型号：2N7002K 编号：C114458

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道小信号 MOSFET 60V 380mA 1.6 Ω

数据手册

10+
￥0.4294
100+
￥0.357
300+
￥0.3208
3000+
￥0.2936
6000+
￥0.2719

有货

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独立式耐压:5.61V 电流:1uA@2.0V

型号：MM5Z5V6ST1G 编号：C603328

封装：SC-79

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用 SOD-523 表面贴装封装，旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.4811
50+
￥0.3769
150+
￥0.3248
500+
￥0.2857
3000+
￥0.2544

有货

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PNP 电流:600mA 电压:60V

型号：KSP2907ABU 编号：C896749

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

PNP外延硅晶体管

数据手册

5+
￥0.5125
50+
￥0.3994
150+
￥0.3429
500+
￥0.3005
2500+
￥0.2666
5000+
￥0.2497

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:285mA

型号：NTK3043NT1G 编号：C236245

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，285 mA，N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

数据手册

10+
￥0.5299
100+
￥0.4195
300+
￥0.3643
1000+
￥0.3229
4000+
￥0.2898

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:0.12A

型号：NDS0610 编号：C83570

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0610 可用于最高要求 120mA DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5612
50+
￥0.4572
150+
￥0.4053
500+
￥0.3663
3000+
￥0.2971
6000+
￥0.2816

有货

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独立式耐压:15V 电流:5uA

型号：1N4744ATR 编号：C556428

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳定和限幅电路。标准齐纳电压容差为 ±5%。通过 AEC-Q101 认证。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥0.5729
50+
￥0.4652
150+
￥0.4113
500+
￥0.3709

有货

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PNP 电流:500mA 电压:300V

型号：KSP92TA 编号：C327486

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

PNP外延硅晶体管

数据手册

5+
￥0.578
50+
￥0.4505
150+
￥0.3867
500+
￥0.3389
2000+
￥0.3007
4000+
￥0.2816

有货

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耐压:3V 电流:10uA@1.0V

型号：MM5Z3V0T1G 编号：C236180

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

5+
￥0.6223
50+
￥0.485
150+
￥0.4164
500+
￥0.3649

有货

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1个N沟道耐压:26V 电流:915mA

型号：NTA4153NT1G 编号：C190020

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，20 V，915 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SC-75 和 SC-89

数据手册

5+
￥0.6224
50+
￥0.4851
150+
￥0.4165
500+
￥0.365
3000+
￥0.3238

有货

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PNP 电流:600mA 电压:60V

型号：KSP2907ATA 编号：C124485

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

PNP外延硅晶体管

数据手册

5+
￥0.6498
50+
￥0.5078
150+
￥0.4368
500+
￥0.3835
2000+
￥0.3409
4000+
￥0.3196

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：2N7002KW 编号：C266797

封装：SC-70

品牌：onsemi(安森美)

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装。这些器件无铅且符合RoHS标准。按照JESD22 A114，静电放电人体模型（HBM）为1000V。按照JESD22 C101，静电放电带电器件模型（CDM）为1500V

数据手册

5+
￥0.6502
50+
￥0.5267
150+
￥0.4649
500+
￥0.4186
3000+
￥0.3623
6000+
￥0.3438

有货

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