ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SC-70

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装。这些器件无铅且符合RoHS标准。按照JESD22 A114，静电放电人体模型（HBM）为1000V。按照JESD22 C101，静电放电带电器件模型（CDM）为1500V

数据手册

5+
￥0.6502
50+
￥0.5267
150+
￥0.4649
500+
￥0.4186
3000+
￥0.3623
6000+
￥0.3438

有货

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型号：1SMA5938BT3G 编号：C238873

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.6792
50+
￥0.5294
150+
￥0.4545
500+
￥0.3983
2500+
￥0.3534
5000+
￥0.3309

有货

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型号：BC32725TA 编号：C236948

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。该器件采用 TO-92 封装，适用于中等功率应用。

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5+
￥0.7128
50+
￥0.572
150+
￥0.5016
500+
￥0.4488
2000+
￥0.3761

有货

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型号：NTR1P02LT3G 编号：C896854

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥0.7206
50+
￥0.5439
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￥0.4555
500+
￥0.3893
2500+
￥0.3266
5000+
￥0.3

有货

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型号：SMUN5313DW1T1G 编号：C894409

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

数据手册

5+
￥0.7269
50+
￥0.5665
150+
￥0.4864
500+
￥0.4262

有货

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型号：MMSD3070 编号：C258207

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

小信号二极管

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5+
￥0.7443
50+
￥0.61
150+
￥0.5428
500+
￥0.4924
3000+
￥0.4521

有货

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型号：NSV40200LT1G 编号：C364881

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥0.7969
50+
￥0.7075
150+
￥0.6692
500+
￥0.4852
3000+
￥0.4639
6000+
￥0.4511

有货

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型号：1N4002RLG 编号：C232434

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

此标准整流器适用于通用低功率应用。

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5+
￥0.798
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￥0.6348
150+
￥0.5532
500+
￥0.492
2500+
￥0.4156

有货

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型号：NC7WZ04FHX 编号：C895623

封装：MicroPak-2-6

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.8508
50+
￥0.6755
150+
￥0.5879
500+
￥0.5222
2500+
￥0.4696
5000+
￥0.4433

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型号：DTC115EM3T5G 编号：C232597

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

数据手册

5+
￥0.8699
50+
￥0.6786
150+
￥0.583
500+
￥0.5112
2500+
￥0.4538
5000+
￥0.4251

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型号：NSR0240V2T1G 编号：C889732

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

肖特基整流器经过优化，可实现极低的正向压降和低泄漏电流，并广泛用于便携式设备中的 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0240V2 采用 SOD-523 微型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。

数据手册

5+
￥0.9478
50+
￥0.7343
150+
￥0.6429
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￥0.5287
3000+
￥0.4779
6000+
￥0.4474

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型号：MURA260T3G 编号：C111835

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该 Ultrafast 功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量至关重要。

数据手册

5+
￥0.9772
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￥0.7632
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￥0.6418
500+
￥0.5274
2500+
￥0.4764
5000+
￥0.4458

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型号：MC78L05ACDR2G 编号：C7372

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，该设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

数据手册

5+
￥1.0721
50+
￥0.8453
150+
￥0.7481
500+
￥0.5635
2500+
￥0.5095
5000+
￥0.477

有货

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型号：LM2931CDR2G 编号：C133051

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

由正固定和可调输出电压调节器组成，旨在以极低的输入输出电压差保持适当的调节。能够提供超过100 mA的输出电流，在10 mA输出时具有0.4 mA的低偏置电流。主要设计用于在恶劣的汽车环境中生存，可保护所有外部负载电路免受因反接电池、两次电池启动和负载突降期间的过度线路瞬变而导致的输入故障条件影响。由于其低压差电压和偏置电流规格，非常适合需要延长电池使用寿命的电池供电工业和消费设备。带°C'后缀的可调输出调节器具有输出禁止引脚，在基于微处理器的系统中非常有用。

数据手册

5+
￥1.1827
50+
￥0.9256
150+
￥0.8154
500+
￥0.678
2500+
￥0.6168
5000+
￥0.58

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型号：MBRM140T1G 编号：C132634

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计，该整流器与 SMA 具有相同的热性能，而占位减小 50%，提供了业内最小高度的外形，不到 1.1 mm。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

数据手册

5+
￥1.2553
50+
￥0.9731
150+
￥0.8521
500+
￥0.7012
3000+
￥0.634
6000+
￥0.5936

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型号：SBC847BDW1T1G 编号：C232475

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

5+
￥1.2834
50+
￥1.0263
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￥0.9162
500+
￥0.7787

有货

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型号：NSR05F40NXT5G 编号：C146713

封装：0402

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管经优化适用于低正向压降和低漏电流，采用芯片级封装 (CSP) 以减少板空间。低热电阻使设计人员能够完成提高能效并满足减少空间要求的具有挑战性的任务。

数据手册

5+
￥1.3163
50+
￥1.046
150+
￥0.9301
500+
￥0.7855
2500+
￥0.6394
5000+
￥0.6008

有货

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型号：NL17SZ74USG 编号：C94374

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ74是一款高性能、全功能的边沿触发D触发器，具备如74LCX74等标准逻辑器件的所有特性。

数据手册

5+
￥1.3258
50+
￥1.0334
150+
￥0.9081
500+
￥0.7517
3000+
￥0.6821
6000+
￥0.6403

有货

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型号：MC34072DR2G 编号：C146747

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

数据手册

5+
￥1.342
50+
￥1.0598
150+
￥0.9389
500+
￥0.7065
2500+
￥0.6393
5000+
￥0.599

有货

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型号：1SMB5936BT3G 编号：C127882

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.3462
50+
￥1.071
150+
￥0.9531
500+
￥0.8059

有货

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型号：LM2904DMR2G 编号：C98714

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥1.379
50+
￥1.0938
150+
￥0.9716
500+
￥0.8191
2500+
￥0.6632
4000+
￥0.6225

有货

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型号：1N5919BRLG 编号：C232465

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

这是一个完整的3W齐纳二极管系列，具有一定限制和出色的工作特性，体现了氧化硅钝化结的卓越性能。采用轴向引线、传递模塑塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥1.3966
50+
￥1.1004
150+
￥0.9735
500+
￥0.8151
2500+
￥0.6858
6000+
￥0.6435

有货

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型号：FDN338P 编号：C24855

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.5063
50+
￥1.1691
150+
￥1.0246
500+
￥0.8443
3000+
￥0.7641
6000+
￥0.7159

有货

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型号：BZG03C15G 编号：C146806

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

SMA 系列采用安森美半导体专有的成本高效、高可靠性的 Surmetic 封装，适合通信系统、汽车、数字控制、过程控制、医疗设备、商务机、电源和很多其他工业/消费品应用。此新系列 1.5 W 齐纳二极管提供以下优点：

数据手册

5+
￥1.5499
50+
￥1.2123
150+
￥1.0676
500+
￥0.887

有货

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型号：FDN357N 编号：C241807

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.5522
50+
￥1.2306
150+
￥1.0928
500+
￥0.8244
3000+
￥0.7478
6000+
￥0.7019

有货

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型号：NC7NZ34K8X 编号：C232798

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

NC7NZ34是仙童（Fairchild）超高速TinyLogic系列的三缓冲器，采用节省空间的US8封装。该器件采用先进的CMOS技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在很宽的VCC工作范围内保持低静态功耗。该器件规定的工作电压范围为1

数据手册

5+
￥1.5675
50+
￥1.2758
150+
￥1.1508
500+
￥0.9949

有货

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型号：MC78M09CDTRKG 编号：C148310

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

数据手册

5+
￥1.5988
50+
￥1.2465
150+
￥1.0955
500+
￥0.8752
2500+
￥0.7913
5000+
￥0.741

有货

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型号：NCV317MABDTRKG 编号：C2798343

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

是一种可调的三端正电压调节器，能够在1.2V至37V的输出电压范围内提供超过500mA的电流。这种电压调节器非常易于使用，只需要两个外部电阻来设置输出电压。此外，它采用了内部限流、热关断和安全区域补偿，基本上是防损坏的。该调节器适用于各种应用，包括本地、板载调节。该器件还可以作为特别简单的可调开关稳压器、可编程输出稳压器，或者通过在调节端和输出端之间连接一个固定电阻，可作为精密电流调节器使用。

5+
￥1.7007
50+
￥1.3417
150+
￥1.1879
500+
￥0.996
2500+
￥0.9105
5000+
￥0.8592

有货

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型号：NUP4114UCW1T2G 编号：C463643

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114静电放电（ESD）保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高等级的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。

数据手册

5+
￥1.7249
50+
￥1.3256
150+
￥1.1545
500+
￥0.941
3000+
￥0.846

有货

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型号：FXLP34L6X 编号：C457627

封装：MicroPak-6

品牌：onsemi(安森美)

FXLP34 是一款单转换器，带两个不同的电源电压： VCC1 用于输入转换电压，VCC 用于输出转换电压。FXLP34 属于安森美半导体的超低功耗 (ULP) 系列产品。此器件基于 1.0V 到 3.6V 的 VCC 值运行，适用于需要超低功耗的便携式应用。内部电路包括一个最小的缓冲器级，可实现极低的动态功耗。FXLP34 具有优化的功耗和速度独特设计，采用先进的 CMOS 工艺，可实现高速运行，同时和保持低 CMOS 功耗。

数据手册

5+
￥1.7323
50+
￥1.353
150+
￥1.1904
500+
￥0.9876
2500+
￥0.8972
5000+
￥0.843

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