ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N5819RLG 编号：C88393

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用铬势垒金属、氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.0628
50+
￥0.847
150+
￥0.7545
500+
￥0.6391
2500+
￥0.5877
5000+
￥0.5568

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型号：NL27WZ126USG 编号：C154625

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

NL27WZ126 MiniGate 是一款高性能双非反向缓冲器，运行电压为 1.65 V 到 5.5 V。

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5+
￥1.1048
50+
￥0.9661
150+
￥0.9066
500+
￥0.8325
3000+
￥0.7201
6000+
￥0.7003

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型号：1SMB5956BT3G 编号：C152499

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.1271
50+
￥0.8726
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￥0.7635
500+
￥0.6274
2500+
￥0.4911
5000+
￥0.4547

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型号：MMBD452LT1G 编号：C152510

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

肖特基二极管主要用于高能效 UHF 和 VHF 检测器应用。它很容易适应许多其它快速开关射频和数字应用。肖特基二极管采用价格便宜的塑料封装，适用于低成本、大容量消费品和工业/商用要求。

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5+
￥1.1492
50+
￥0.8979
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￥0.7902
500+
￥0.6558
3000+
￥0.596

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型号：MURA120T3G 编号：C111832

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.1804
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￥0.9697
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￥0.8794
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￥0.7668
2500+
￥0.536
5000+
￥0.5059

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型号：NC7SP125P5X 编号：C184652

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SP125 是一款带三态输出的单缓冲器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超低功耗 (ULP) 系列。此产品适用于电池寿命至关重要的应用，在 0.9V 到 3.6V 的 VCC 运行范围内具有超低功耗。内部电路由一个最小的缓冲器级组成，其中包括输出缓冲器，可实现超低静态和动态功耗。NC7SP125 用于更低的驱动要求，具有优化的功耗和速度独特设计，采用先进的 CMOS 工艺，可实现高速运行，同时和保持低 CMOS 功耗。

数据手册

5+
￥1.2182
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￥0.9845
150+
￥0.8843
500+
￥0.7593
3000+
￥0.5413
6000+
￥0.5079

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型号：1SMA5916BT3G 编号：C146725

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.2378
50+
￥1.019
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￥0.9253
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￥0.8083
2500+
￥0.6172
5000+
￥0.586

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型号：MBR1100RLG 编号：C110906

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

这些整流器在大面积的金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。先进的几何结构采用了具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管

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5+
￥1.298
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￥1.0061
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￥0.8811
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￥0.725
2500+
￥0.6555
5000+
￥0.6138

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型号：KSP44BU 编号：C232817

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCEO = KSP44: 400 V；KSP45: 350 V

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5+
￥1.3191
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￥1.0376
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￥0.9169
1000+
￥0.7106
2000+
￥0.6435
5000+
￥0.6033

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型号：NRVUS120VT3G 编号：C604316

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于表面贴装应用中的高电压、高频整流，或作为续流和保护二极管，在对系统尺寸和重量要求严格的情况下使用。

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5+
￥1.326143 ￥1.4573
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￥1.041012 ￥1.2852
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￥0.860165 ￥1.2115
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￥0.794845 ￥1.1195
2500+
￥0.765735 ￥1.0785
5000+
￥0.748269 ￥1.0539

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型号：NZL5V6AXV3T1G 编号：C233485

封装：SC-89-3

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅ESD保护二极管适用于对电压和ESD敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥1.3324
50+
￥1.0748
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￥0.9644
500+
￥0.8267

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型号：MC33269DTRK-3.3G 编号：C179576

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout、中等电流、固定和可调的正电压稳压器，专为低输入电压应用而设计。该稳压器由一个 1.0 V dropout 复合 PNP-NPN 传输晶体管、电流限制和热关断组成，能为电路设计人员提供精确电压调节的经济解决方案，同时将功率损耗降至最低。

数据手册

5+
￥1.3382
50+
￥1.061
150+
￥0.8369
500+
￥0.6887
2500+
￥0.6227
5000+
￥0.5831

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型号：MBRS2040LT3G 编号：C59626

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

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5+
￥1.3898
50+
￥1.0773
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￥0.9434
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￥0.7763
2500+
￥0.7019
5000+
￥0.6573

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型号：MUR220RLG 编号：C112409

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

该 Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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5+
￥1.3928
50+
￥1.0851
150+
￥0.9533
500+
￥0.7888
2500+
￥0.7155
5000+
￥0.6715

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型号：NRVUA120VT3G 编号：C604307

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在系统中对尺寸和重量要求严苛的场景。

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5+
￥1.4431
50+
￥1.1907
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￥1.0825
500+
￥0.9476
2500+
￥0.8875

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型号：MJD31T4G 编号：C184041

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

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5+
￥1.504
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￥1.3185
150+
￥1.239
500+
￥1.0071
2500+
￥0.963
5000+
￥0.9365

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型号：FDN338P 编号：C24855

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

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5+
￥1.5063
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￥1.1691
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￥1.0246
500+
￥0.8443
3000+
￥0.7641
6000+
￥0.7159

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型号：MC78M08BDTRKG 编号：C124694

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

与流行的MC7800系列器件相同，只是其输出电流仅为MC7800系列的一半。与MC7800器件一样，三端稳压器适用于本地板载电压调节。内部电流限制、热关断电路和内部传输晶体管的安全区补偿相结合，使这些器件在大多数工作条件下都非常耐用。在有足够散热的情况下，最大输出电流为500mA。

数据手册

5+
￥1.5234
50+
￥1.1809
150+
￥1.0341
500+
￥0.8509
2500+
￥0.7694
5000+
￥0.7205

有货

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型号：LP2950ACDT-5RKG 编号：C145510

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

低功耗

数据手册

5+
￥1.5723
50+
￥1.2255
150+
￥1.0768
500+
￥0.8914
2500+
￥0.8088
5000+
￥0.7592

有货

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型号：NRVBA1H100NT3G 编号：C893763

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

采用肖特基势垒原理的大面积金属硅功率二极管。先进的几何结构，具有外延结构、氧化物钝化和金属覆盖接触。非常适合低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求苛刻的表面贴装应用中用作续流和极性二极管。

数据手册

5+
￥1.6032
50+
￥1.2447
150+
￥1.091
500+
￥0.8993
2500+
￥0.8139
5000+
￥0.7627

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型号：SS16HE 编号：C556433

封装：SOD-323HE

品牌：onsemi(安森美)

特性：非常低的外形：典型高度为0.68mm。低功耗，高效率。湿度敏感度等级1（符合J-STD-020）。 UL可燃性94V-0等级。符合RoHS标准/绿色模塑料。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.6973
50+
￥1.3526
150+
￥1.2048
500+
￥1.0205
3000+
￥0.9384
6000+
￥0.8892

有货

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型号：MURS340T3G 编号：C236164

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器采用先进的带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.7007
50+
￥1.3323
150+
￥1.1744
500+
￥0.9774
2500+
￥0.8531
5000+
￥0.8005

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型号：FOD817AS 编号：C6658

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.7309
50+
￥1.4425
200+
￥1.2541
500+
￥1.0999
2000+
￥1.0312
4000+
￥0.99

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型号：MURA240T3G 编号：C91073

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该 Ultrafast 功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量至关重要。

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5+
￥1.842
50+
￥1.4868
150+
￥1.3346
500+
￥1.0374
2500+
￥0.9529
5000+
￥0.9021

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型号：MC7815CDTRKG 编号：C133887

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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5+
￥1.8575
50+
￥1.4464
150+
￥1.2702
500+
￥1.0504
2500+
￥0.9525

有货

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型号：MC74LVX08DTR2G 编号：C513136

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74LVX08 是一款先进的高速 CMOS 二输入与门。其输入可承受高达 7.0 Vc 的电压，支持与 5

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1+
￥1.8954 ￥3.51
10+
￥1.3816 ￥3.14
30+
￥1.003 ￥2.95
100+
￥0.9418 ￥2.77
500+
￥0.9044 ￥2.66
1000+
￥0.884 ￥2.6

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型号：NCP1117DTARKG 编号：C233409

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

是低压差正电压调节器，能够在高温下提供超过1.0A的输出电流，在800mA时最大压差为1.2V。该系列包含九种固定输出电压，分别为1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和12V，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从1.25V编程到18.8V。片上微调可将参考/输出电压调整到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达20V的输入电压下工作。器件有SOT-223和DPAK封装。

数据手册

5+
￥1.9734
50+
￥1.5861
150+
￥1.4202
500+
￥0.9929
2500+
￥0.9007
5000+
￥0.8454

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型号：MB2S 编号：C258168

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，可实现高浪涌电流吸收，且占位极小。MB 系列的小外形为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流、更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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