东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP291(GB-TP,SE 编号：C55144

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.726
50+
￥0.5733
150+
￥0.4948
500+
￥0.4301
2500+
￥0.4075
5000+
￥0.3922

有货

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型号：CUS10S30,H3F 编号：C146335

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：高速切换

数据手册

10+
￥0.3003
100+
￥0.2373
300+
￥0.2049
3000+
￥0.1807
6000+
￥0.1714
9000+
￥0.165

有货

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型号：TLP2362(TPL,E 编号：C37658

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2362由一个高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。TLP2362可保证在高达125°C的温度下工作，且工作电源电压范围为2.7 V至5 V。

数据手册

1+
￥2.88
10+
￥2.21
30+
￥1.88
100+
￥1.58
500+
￥1.5
1000+
￥1.45

有货

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型号：TLP291-4(GB-TP,E) 编号：C60900

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝 TLP291-4 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4 光电耦合器采用非常小巧轻薄的 SO16 封装。由于 TLP291-4 可在较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 110°C）内正常工作，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

数据手册

1+
￥3.72
10+
￥3.21
30+
￥2.85
100+
￥2.55
500+
￥1.76
1000+
￥1.7

有货

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型号：TLP185(GB-TPL,SE 编号：C7240

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

与TLP185(GB-TPR,SE(T包装方式不一样，其他性能一致

数据手册

5+
￥0.6703
50+
￥0.5275
150+
￥0.4541
500+
￥0.3936
3000+
￥0.3753
6000+
￥0.3611

有货

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型号：TLP187(TPL,E 编号：C393886

封装：SO-4-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP187是一款光耦合器，由一个与达林顿晶体管进行光耦合的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管组成。它采用SO6封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压，TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用场景

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5+
￥1.6127
50+
￥1.234
150+
￥1.0491
500+
￥0.8823
3000+
￥0.837
6000+
￥0.8098

有货

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型号：TLP152(TPL,E 编号：C150122

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速光电探测器，贴片5个脚

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.15
30+
￥1.84
100+
￥1.55
500+
￥1.45
1000+
￥1.41

有货

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型号：TLP109(TPL,E 编号：C406798

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款适合表面贴装的小外形耦合器，由高输出功率红外发射二极管与高速光电二极管-晶体管芯片光耦合而成。采用SO6封装，保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.27
30+
￥1.93
100+
￥1.63
500+
￥1.55
1000+
￥1.5

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型号：TLP172GM(TPL,E 编号：C261926

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP172GM由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光MOSFET光耦合而成，采用4引脚SO6封装，适用于表面贴装组装。TLP172GM适用于需要节省空间的电池管理系统。

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥3.08
30+
￥2.65
100+
￥2.29
500+
￥2.12
1000+
￥2.05

有货

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型号：TBD62083AFWG(Z,EHZ 编号：C108880

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2803升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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1+
￥4.23
10+
￥3.52
30+
￥3.02
100+
￥2.61
500+
￥2.48
1000+
￥2.4

有货

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型号：TLP2168(TP,F) 编号：C99480

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

20MBd 双路高速光耦，CMR@15KV/uS

数据手册

1+
￥6
10+
￥5.23
30+
￥4.5
100+
￥3.96
500+
￥3.73
1000+
￥3.62

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型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.35
30+
￥2
100+
￥1.69
500+
￥1.6
1000+
￥1.55

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型号：TLP240A(TP1,F 编号：C146360

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240A和TLP240AF光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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1+
￥4.74
10+
￥3.93
30+
￥3.35
100+
￥2.88
500+
￥2.8
1500+
￥2.71

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型号：TLP350(TP1,F) 编号：C5003

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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1+
￥5.12
10+
￥4.25
30+
￥3.63
100+
￥3.12
500+
￥2.96
1500+
￥2.86

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型号：TLP2355(TPL,E 编号：C99485

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±20kV/μs，有逻辑缓冲输出，还有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.42
30+
￥2.07
100+
￥1.77
500+
￥1.61
1000+
￥1.56

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型号：TLP290-4(GB-TP,E 编号：C39031

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP290 - 4光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP290 - 4可在较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C内正常工作，因此适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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1+
￥3.24
10+
￥2.69
30+
￥2.3
100+
￥1.98
500+
￥1.89
1000+
￥1.83

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型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

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