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特性:Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
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  • 1+

    ¥7.99
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  • 特性:SOD-123封装。 快速开关。 这些二极管也有其他外壳样式,包括型号为1N4148的DO-35外壳、型号为LL4148的MiniMELF外壳和型号为MCL4148的MicroMELF外壳
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0689
    • 500+

      ¥0.0533
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    • 51000+

      ¥0.0323
  • 有货
  • 特性:核心:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和三级流水线,指令集扩展。 存储器:程序存储器:8 Kbyte闪存,在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM:1 Kbyte。数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理:2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器
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      ¥1.45
  • 有货
  • 这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成,专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路,现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如,这些电路可以直接由标准 5 V 供电,该电压用于逻辑系统,并且可以轻松提供所需的接口电子设备,而无需额外的电源。在线性模式下,输入共模电压范围包括地,并且输出电压也可以摆动至地,即使仅从单一电源电压供电。
    数据手册
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  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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    • 1000+

      ¥2.56
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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    • 500+

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    • 1000+

      ¥3.21
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M0 CPU,频率高达 48 MHz。 内存:16 至 64 KB 的闪存,4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:电压范围 2.4V 至 3.6V,上电/掉电复位(POR/PDR),低功耗模式(睡眠、停止、待机)。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器,32 kHz 带校准的 RTC 振荡器,内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL,内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O,均可映射到外部中断向量
    数据手册
    • 1+

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  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 存储器:256至512 Kbytes的闪存,高达64 Kbytes的SRAM,带有4个片选的灵活静态存储器控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器,LCD并行接口,8080/6800模式。
    数据手册
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      ¥13.28
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      ¥8.27
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存,高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM,灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.39
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    • 540+

      ¥14.62
    • 1080+

      ¥14.37
  • 有货
  • 该电路由两个独立的高增益运算放大器组成,内部实现了频率补偿。它们专为汽车和工业控制系统设计。该电路可在宽范围电压的单电源下工作。低电源电流消耗与电源电压大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统运算放大器电路,现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如,这些电路可以直接由逻辑系统中使用的标准5V电源供电,并且无需任何额外电源即可轻松提供所需的电子接口。在线性模式下,即使在单电源下工作,输入共模电压范围也包括地,输出电压也可以摆幅到地。
    数据手册
    • 10+

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    • 100+

      ¥0.2844
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    • 10000+

      ¥0.1951
  • 有货
  • 64 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
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      ¥0.4838
    • 500+

      ¥0.4215
    • 2500+

      ¥0.3998
    • 5000+

      ¥0.385
  • 有货
  • 特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8 Kbyte闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM:1 Kbyte。 数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥2.53
    • 10+

      ¥1.95
    • 30+

      ¥1.67
    • 100+

      ¥1.42
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.98
    • 10+

      ¥4.12
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    • 500+

      ¥2.85
    • 1000+

      ¥2.76
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃。存储器:128 KB带保护的闪存;36 KB SRAM(32 KB带硬件奇偶校验)。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥7.14
    • 10+

      ¥6.22
    • 30+

      ¥5.36
    • 250+

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    • 500+

      ¥4.45
    • 1000+

      ¥4.32
  • 有货
  • 特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道),转换范围:0至3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPI、I²C和USART
    数据手册
    • 1+

      ¥11.06
    • 10+

      ¥9.62
    • 30+

      ¥8.6
    • 250+

      ¥7.67
    • 500+

      ¥7.25
    • 1000+

      ¥7.07
  • 有货
    • 1+

      ¥16.86
    • 10+

      ¥14.6
    • 30+

      ¥13
    • 100+

      ¥11.54
    • 500+

      ¥10.86
    • 1000+

      ¥10.59
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存,高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM,灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥20
    • 10+

      ¥17.25
    • 30+

      ¥15.84
    • 100+

      ¥13.97
    • 500+

      ¥13.29
    • 1000+

      ¥13
  • 有货
  • 这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成,专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路,现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如,这些电路可以直接由标准 5 V 供电,该电压用于逻辑系统,并且可以轻松提供所需的接口电子设备,而无需额外的电源。在线性模式下,输入共模电压范围包括地,并且输出电压也可以摆动至地,即使仅从单一电源电压供电。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.385
    • 100+

      ¥0.307
    • 300+

      ¥0.267
    • 2500+

      ¥0.2266
    • 5000+

      ¥0.2151
    • 10000+

      ¥0.2073
  • 有货
  • 3轴MEMS加速度计,超低功耗,±2g/±4g/±8g/±16g满量程,高速I2C/SPI数字输出,内置FIFO和高性能加速度传感器,VFLGA封装
    数据手册
    • 1+

      ¥3.62
    • 10+

      ¥3.01
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.23
  • 有货
  • 特性:工作条件:工作电源:1.8V至3.6V。温度范围: -40℃至85℃。 低功耗特性:5种低功耗模式:等待、低功耗运行(5.1μA)、低功耗等待(3μA)、带RTC的活动暂停(1.3μA)、暂停(350nA)。每个I/O超低泄漏:50nA。从暂停模式快速唤醒:5μs。 先进的STM8内核:哈佛架构和3级流水线
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥3.18
    • 30+

      ¥2.75
    • 100+

      ¥2.4
    • 500+

      ¥2.07
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