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首页 > 热门关键词 > ON安森美模拟芯片
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这一系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
数据手册
  • 10+

    ¥0.2699
  • 100+

    ¥0.2104
  • 300+

    ¥0.1806
  • 3000+

    ¥0.1583
  • 6000+

    ¥0.1404
  • 9000+

    ¥0.1315
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装,功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2837
    • 200+

      ¥0.2325
    • 600+

      ¥0.204
    • 3000+

      ¥0.1869
    • 9000+

      ¥0.1721
    • 21000+

      ¥0.1642
  • 有货
  • 特性:500 mW额定功率(FR-4或FR-5板)。 宽齐纳反向电压范围:1.8 V至43 V。 低反向电流 (IZT):50 μA。 封装设计便于自动电路板组装。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级3级 (>16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序文件。 无铅器件,符合RoHS标准
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2989
    • 100+

      ¥0.2407
    • 300+

      ¥0.2116
    • 3000+

      ¥0.1897
  • 有货
  • 三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3265
    • 100+

      ¥0.2672
    • 300+

      ¥0.2375
    • 3000+

      ¥0.1867
    • 6000+

      ¥0.1689
    • 9000+

      ¥0.16
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装,功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3454
    • 100+

      ¥0.2692
    • 300+

      ¥0.2311
    • 3000+

      ¥0.2026
  • 有货
  • 三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3524
    • 100+

      ¥0.2933
    • 300+

      ¥0.2637
    • 3000+

      ¥0.223
  • 有货
  • 该款标准整流器适合通用及低功率应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3622
    • 100+

      ¥0.2975
    • 300+

      ¥0.2651
    • 1000+

      ¥0.2292
    • 5000+

      ¥0.2098
  • 有货
  • 单门非反相三态缓冲器采用小尺寸封装。一款具有CMOS电平输入阈值,另一款具有TTL电平输入阈值。内部电路由三级组成,包括一个缓冲三态输出,提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V的电压时提供保护,无论电源电压如何。这允许该器件用于将5V电路与3V电路连接。一些输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止因电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因导致的器件损坏。
    • 10+

      ¥0.37
    • 100+

      ¥0.2884
    • 300+

      ¥0.2476
    • 3000+

      ¥0.217
    • 6000+

      ¥0.1925
    • 9000+

      ¥0.1802
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装,功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护,在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3915
    • 100+

      ¥0.3127
    • 300+

      ¥0.2734
    • 3000+

      ¥0.2438
    • 6000+

      ¥0.2202
    • 9000+

      ¥0.2084
  • 有货
  • BAS16P2T5G 开关二极管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。 该器件适用于开关应用,采用 SOD-923 表面贴装封装。 该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4306
    • 100+

      ¥0.3558
    • 300+

      ¥0.3184
    • 1000+

      ¥0.2903
    • 5000+

      ¥0.2678
  • 有货
  • 是一款单正沿触发的 D 型 CMOS 触发器,具有异步清除功能,采用节省空间的 SC70 6 引脚封装。该器件采用先进的 CMOS 技术,在非常宽的 VCC 工作范围内实现超高速和高输出驱动,同时保持低静态功耗。该器件规定在 1.65V 至 5.5V 的 VCC 范围内工作。当 VCC 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入可承受高达 7V 的电压,与 VCC 工作电压无关。这个单触发器将在时钟(CP)从低到高转换时,存储满足建立和保持时间要求的 D 输入状态。低电平的清除输入将 Q 输出设置为低电平。清除输入与时钟无关。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4357
    • 100+

      ¥0.3396
    • 300+

      ¥0.2915
    • 3000+

      ¥0.2555
    • 6000+

      ¥0.2267
    • 9000+

      ¥0.2123
  • 有货
  • 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4414
    • 100+

      ¥0.355
    • 300+

      ¥0.3118
    • 3000+

      ¥0.2638
  • 有货
  • 这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4499
    • 50+

      ¥0.3511
    • 150+

      ¥0.3017
    • 500+

      ¥0.2647
    • 3000+

      ¥0.235
    • 6000+

      ¥0.2202
  • 有货
    • 5+

      ¥0.593
    • 50+

      ¥0.4634
    • 150+

      ¥0.3986
    • 500+

      ¥0.35
    • 2500+

      ¥0.3111
    • 5000+

      ¥0.2917
  • 有货
  • NPN外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6247
    • 50+

      ¥0.4893
    • 150+

      ¥0.4216
    • 500+

      ¥0.3709
    • 2500+

      ¥0.3303
    • 5000+

      ¥0.31
  • 有货
  • 1.0A通用整流器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6944
    • 50+

      ¥0.5492
    • 150+

      ¥0.4766
    • 500+

      ¥0.4222
    • 2500+

      ¥0.3672
  • 有货
  • LM321是一款通用单通道运算放大器,具有内部补偿和真正的差分输入级。该运算放大器的特点是电源电压范围宽,单电源供电时为3 V至32 V,双电源供电时为±1.5 V至±16 V,适用于各种应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.706
    • 50+

      ¥0.5437
    • 150+

      ¥0.4625
    • 500+

      ¥0.4017
    • 3000+

      ¥0.353
    • 6000+

      ¥0.3287
  • 有货
  • 特性:该器件用作中功率放大器和开关,集电极电流高达500mA。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7107
    • 50+

      ¥0.573
    • 150+

      ¥0.5041
    • 500+

      ¥0.4525
    • 2000+

      ¥0.3968
    • 4000+

      ¥0.3762
  • 有货
  • NPN外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7379
    • 50+

      ¥0.5795
    • 150+

      ¥0.5003
    • 1000+

      ¥0.4409
    • 2000+

      ¥0.3934
    • 5000+

      ¥0.3696
  • 有货
  • 三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了便利的替代方案。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7518
    • 50+

      ¥0.5882
    • 150+

      ¥0.5065
    • 500+

      ¥0.4451
    • 3000+

      ¥0.396
    • 6000+

      ¥0.3715
  • 有货
  • 该器件设计用作通用放大器和开关。作为开关,其有用动态范围扩展至 100 mA;作为放大器,扩展至 100 MHz。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7544
    • 50+

      ¥0.6076
    • 150+

      ¥0.5342
    • 1000+

      ¥0.4112
    • 2000+

      ¥0.3671
  • 有货
  • NC7SZ126 是一款带三态输出的单缓冲器,属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列。该器件使用先进的 CMOS 技术制造,可实现超高速和高输出驱动,同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时,输入和输出为接地以上高阻抗。输入耐压达 6V,而无论 VCC 运行电压如何。在 3 态条件下,输出耐压高于 VCC。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8428
    • 50+

      ¥0.742
    • 150+

      ¥0.6988
    • 500+

      ¥0.6449
    • 3000+

      ¥0.6209
  • 有货
  • BAS21AHT1G 是一款低漏开关二极管,采用 SOD-323 封装。该器件与 BAS21HT1G 相同,但性能更佳,符合逆向漏电流 (IR) 规范。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9207
    • 50+

      ¥0.7428
    • 150+

      ¥0.6539
    • 500+

      ¥0.5872
    • 3000+

      ¥0.5338
  • 有货
  • 此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护,特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.92321 ¥0.9718
    • 50+

      ¥0.808435 ¥0.9511
    • 150+

      ¥0.702975 ¥0.9373
    • 500+

      ¥0.692625 ¥0.9235
  • 有货
  • 是高速CMOS 2输入与门,采用硅栅CMOS技术制造。内部电路由多级组成,包括缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。输出驱动电流是MC74HC系列的1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9235
    • 50+

      ¥0.742698 ¥0.7986
    • 150+

      ¥0.618433 ¥0.7451
    • 500+

      ¥0.562989 ¥0.6783
    • 3000+

      ¥0.538255 ¥0.6485
    • 6000+

      ¥0.523481 ¥0.6307
  • 有货
  • 功率 MOSFET,60V,155 mΩ,单 N 沟道,逻辑电平,SOT?23
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9538
    • 50+

      ¥0.7431
    • 150+

      ¥0.6528
    • 500+

      ¥0.5401
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部或底部电路板安装。 符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序文件。 无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9539
    • 50+

      ¥0.7667
    • 150+

      ¥0.6731
    • 500+

      ¥0.603
    • 2500+

      ¥0.5468
    • 5000+

      ¥0.5187
  • 有货
  • 此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0263
    • 50+

      ¥0.8071
    • 150+

      ¥0.7131
    • 500+

      ¥0.5959
    • 3000+

      ¥0.4925
    • 6000+

      ¥0.4611
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0303
    • 50+

      ¥0.8027
    • 150+

      ¥0.7052
    • 500+

      ¥0.5835
    • 2500+

      ¥0.5293
    • 5000+

      ¥0.4968
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0444
    • 50+

      ¥0.8365
    • 150+

      ¥0.7474
    • 500+

      ¥0.6362
    • 2500+

      ¥0.5579
    • 5000+

      ¥0.5282
  • 有货
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