ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDS2572 编号：C903616

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

UltraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对 Rds(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。

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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：MJE15032G 编号：C134071

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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型号：MOC3062SR2M 编号：C410939

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：MJE15033G 编号：C134072

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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型号：NTHD4102PT1G 编号：C275999

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET -20 V，-4.1 A 双 P 沟道 ChipFET

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

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型号：NCP1012ST65T3G 编号：C894932

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCP101X系列集成了一个固定频率电流模式控制器和一个700 V MOSFET。该系列采用PDIP - 7或SOT - 223封装，具备构建坚固且低成本电源所需的一切功能，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳周期、最大峰值电流设定点和动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片解决方案不同，NCP101X本质上运行安静：在标称负载运行期间，该器件以可选频率（65 - 100 - 130 kHz）之一进行开关操作。当电流设定点降至给定值以下时，例如输出功率需求降低，IC会自动进入所谓的跳周期模式，在轻载时提供出色的效率。由于这种情况通常发生在最大峰值的1/4左右，因此不会产生声学噪声。因此，待机功耗可降至最低且无声学噪声产生。当反馈信号消失时，例如在真正的短路情况或光耦合器损坏的情况下，会进行短路检测。通过简单地将反馈引脚拉低，或通过一个廉价的SCR将其锁存到地以实现完全锁存关断，可轻松实现外部禁用。最后，软启动和频率抖动进一步减轻了设计人员快速开发低成本、可靠离线电源的任务。为提高待机性能，连接辅助绕组可停止动态自供电（DSS）操作，并有助于在高输入电压下将功耗降至100 mW以下。在此模式下，内置的锁存过压保护可防止在光耦合器损坏时出现致命的电压失控。这些器件提供经济实惠的8引脚双列直插式和4引脚SOT - 223封装。

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型号：MJE15030G 编号：C233749

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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型号：NCP45524IMNTWG-H 编号：C603740

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带涌流限制的高效电源域切换。这些设备设计为在一个封装中集成控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的电源MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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￥8.86
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型号：NTD5865NLT4G 编号：C145546

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V

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￥9.5
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型号：NJW0281G 编号：C10664

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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￥11.68
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型号：FDA38N30 编号：C463458

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥15.33
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￥12.94
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型号：FCP099N65S3 编号：C516097

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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￥23.05
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￥19.96
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￥15.4
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型号：FQA28N50 编号：C2720

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,500V,28.4A,160mΩ@10V

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1+
￥25.61
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￥14.64

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型号：FGH40T120SMD 编号：C462120

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

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1+
￥27.81
10+
￥22.25
30+
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￥17.46
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￥16.35
990+
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型号：FGA60N65SMD 编号：C444004

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

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1+
￥28.01
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￥24.03
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￥18.69
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￥16.14
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￥14.99
900+
￥14.49

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型号：MJ15024G 编号：C2730

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

MJ15022和MJ15024是功率晶体管，专为高功率音频、磁盘磁头定位器及其他线性应用而设计。

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1+
￥34.09
10+
￥29.01
30+
￥25.92
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￥23.32

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型号：MJL1302AG 编号：C327497

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

MJL3281A 和 MJL1302A 功率晶体管适用于大功率音频、磁盘头定位器和其他线性应用。

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1+
￥35.91
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￥31
25+
￥28.08
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￥25.13

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型号：SGL160N60UFDTU 编号：C11757

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低传导和开关损耗。专为需要高速开关的应用而设计，如电机控制和通用逆变器。

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￥58.96
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￥57.67
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￥52.47
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￥48.1

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型号：FGL60N100BNTDTU 编号：C105610

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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1+
￥79.74
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￥65.03
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￥59.14
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型号：NVH4L020N120SC1 编号：C898285

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 20 mΩ。超低栅极电荷QG(tot) = 220 nC。低电容高速开关（Coss = 258 pF）。100%雪崩测试。AEC-Q101认证且具备PPAP能力。该器件无卤化物，符合RoHS豁免7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

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1+
￥235.2
30+
￥222.6

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型号：BC818-40LT1G 编号：C154797

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2152
200+
￥0.1651
600+
￥0.1373
3000+
￥0.1206
9000+
￥0.1061
21000+
￥0.0983

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型号：MMBZ27VCLT1G 编号：C128609

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。SZ/MMBZ27VCL可用于保护单总线通信网络免受电磁干扰和静电放电瞬态浪涌电压的影响。2000年2月，美国汽车工程师协会（SAE）在J2411《车辆应用单总线CAN网络》规范中推荐使用SZ/MMBZ27VCL来解决瞬态电压问题。

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