ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BCP53T1G 编号：C134063

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于低功率表面贴装应用。

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￥1.4286
50+
￥1.1161
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￥0.9822
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￥0.8151
2000+
￥0.7407
5000+
￥0.696

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型号：MBRS240LT3G 编号：C8165

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

在金属 - 硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具备采用氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频开关电源；续流二极管和极性保护二极管

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￥1.4622
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￥1.1334
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￥0.7385
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型号：1SMB5922BT3G 编号：C50528

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥1.4818
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￥1.1967
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￥1.0745
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￥0.922
2500+
￥0.7366
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型号：NDS332P 编号：C258217

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑电源管理、便携式电子设备和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速高压侧开关和线路内低功率损耗。

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￥1.5177
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￥1.2052
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￥1.0713
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￥0.9042
3000+
￥0.8298
6000+
￥0.7851

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型号：MC74ACT08DR2G 编号：C233452

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：输出源/灌电流：24 mA。 -ACT08具有与TTL兼容的输入。这些是无铅器件

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￥1.5656
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￥1.2531
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￥0.8954
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￥0.821
5000+
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型号：SD12CT1G 编号：C328100

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

SD12C旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态事件的影响。出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，使该器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。

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￥1.6599
50+
￥1.2855
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￥1.125
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￥0.9248
3000+
￥0.8357

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型号：MA3075WALT1G 编号：C233442

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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￥1.7508
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￥1.3949
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￥1.2424
500+
￥1.0521
3000+
￥0.9195
6000+
￥0.8687

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型号：LM311DR2G 编号：C231850

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该器件能够在5.0 V至30 V的单电源或±15 V的双电源（运算放大器常用电源）下工作，这使得LM211/LM311成为一款真正通用的比较器。此外，该器件的输入可以与系统地隔离，而输出可以驱动以地、VCC或VEE电源为参考的负载。这种灵活性使得它能够驱动DTL、RTL、TTL或MOS逻辑电路。输出还能在50 mA电流下切换高达50 V的电压，因此，LM211/LM311可用于驱动继电器、指示灯或螺线管。

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5+
￥1.7549
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￥1.456
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￥1.3279
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￥1.1222
2500+
￥1.051
5000+
￥1.0083

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型号：MBRS320T3G 编号：C236151

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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￥1.8312
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￥1.4265
150+
￥1.2531
500+
￥1.0367
2500+
￥0.9403
5000+
￥0.8825

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型号：PZT3904T1G 编号：C232396

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准

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5+
￥1.8547
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￥1.4608
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￥1.2919
1000+
￥1.0813
2000+
￥0.9875

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型号：MC78M18CDTRKG 编号：C115123

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

与流行的MC7800系列器件相同，只是其输出电流仅为MC7800系列的一半。与MC7800器件一样，三端稳压器适用于本地板载电压调节。内部电流限制、热关断电路和内部传输晶体管的安全区补偿相结合，使这些器件在大多数工作条件下都非常耐用。在有足够散热的情况下，最大输出电流为500mA。

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5+
￥1.9107
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￥1.4977
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￥1.3207
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￥1.0998
2500+
￥1.0015
5000+
￥0.9425

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型号：MC14516BDR2G 编号：C70412

封装：SOIC-16-150mil

品牌：onsemi(安森美)

MC14516B 同步正数/倒数二进制计数器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。此计数器可通过对预设输入（P0、P1、P2、P3）应用所需的二进制值，然后将预设启用 (PE) 置于高电平，来进行预设。计数方向通过向 UP/DOWN 输入应用高电平（用于正数）或低电平（用于倒数）来进行控制。计数器的状态基于时钟输入的正向转换来变化。级联可通过对每个计数器进行并行计时的同时，将输出进位条与下一阶段的输入进位条相联接来完成。通过对重置 (R) 引脚应用高电平，可将输出（Q0、Q1、Q2、Q3）重置为低电平状态。此 CMOS 计数器主要用于正数/倒数和差异计数。其他应用包括： (1) 需要低功耗和/或高抗扰性的频率合成器应用，(2) 模拟-数字和数字-模拟转换，以及 (3) 量级和符号生成。

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5+
￥1.9325
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￥1.5056
150+
￥1.3227
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￥1.0944
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5000+
￥0.9318

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型号：MC14106BDR2G 编号：C100035

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14106B六施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一的单片结构中。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。MC14106B可替代MC14069UB六反相器，以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行“整形”

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5+
￥1.9998
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￥1.5903
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￥1.4149
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￥1.0984
5000+
￥1.0399

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型号：CAT6219-330TDGT3 编号：C255621

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT6219是一款500 mA的CMOS低压差稳压器，在负载电流和线电压变化时能提供快速响应时间。快速启动功能允许使用外部旁路电容来降低整体输出噪声，且不会影响仅150 μs的开启时间。

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5+
￥2.001
50+
￥1.61
150+
￥1.4425
500+
￥1.2334
3000+
￥1.0643

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型号：MB1S 编号：C232821

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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5+
￥2.0122
50+
￥1.5838
150+
￥1.4002
500+
￥1.1712

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型号：NCP1117DT33T5G 编号：C152529

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调将参考/输出电压调整到 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作。器件采用 SOT-223 和 DPAK 封装。

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5+
￥2.0245
50+
￥1.5867
150+
￥1.399
500+
￥1.1419
2500+
￥1.0376
5000+
￥0.975

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型号：MC74HC14ADTR2G 编号：C152539

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC14A的引脚排列与LS14、LS04和HC04相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，可与LSTTL输出兼容。HC14A可有效改善缓慢的输入信号上升和下降时间，使波形更接近方波

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5+
￥2.0293
50+
￥1.6076
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￥1.4269
500+
￥1.2014
2500+
￥1.101
5000+
￥1.0408

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型号：NCP551SN33T1G 编号：C58434

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP551系列固定输出低压差线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。NCP551系列的特点是具有4.0 μA的超低静态电流。每个器件包含一个电压基准单元、一个误差放大器、一个PMOS功率晶体管、用于设置输出电压的电阻、电流限制和温度限制保护电路

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5+
￥2.1273
50+
￥1.6909
150+
￥1.5039
500+
￥1.2573
3000+
￥1.1534
6000+
￥1.091

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型号：NSV1C201MZ4T1G 编号：C86644

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器）中的 DC-DC 转换器和电源管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许这些双极晶体管器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

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5+
￥2.135
50+
￥1.7056
150+
￥1.5216
1000+
￥1.0667
2000+
￥0.9645
5000+
￥0.9031

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型号：BCP53-16T1G 编号：C82081

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于低功率表面贴装应用。

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5+
￥2.2646
50+
￥1.8612
150+
￥1.6883
1000+
￥1.3613

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型号：MJE182G 编号：C27681

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

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5+
￥2.2958
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￥1.8068
150+
￥1.5972
500+
￥1.2148
2500+
￥1.0983
5000+
￥1.0285

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型号：1N5338BRLG 编号：C5307

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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5+
￥2.4048
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￥1.9213
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￥1.7141
500+
￥1.3059
2500+
￥1.1908
4000+
￥1.1217

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型号：ES1JAF 编号：C896698

封装：DO-214AD

品牌：onsemi(安森美)

特性：快速开关速度：最大Trr 35 ns。超薄外形：最大高度1.0 mm。玻璃钝化结。 UL可燃性94V-0分类。 MSL 1。绿色模塑料。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

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1+
￥2.58
10+
￥2.01
30+
￥1.77
100+
￥1.46
500+
￥1.33
1000+
￥1.24

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型号：SURS8360BT3G 编号：C235755

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和保护二极管。

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.06
30+
￥1.82
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￥1.53
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

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型号：CAT24C128YI-GT3 编号：C238978

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 Kb的串行EEPROM，采用I²C接口，内部组织为16384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

数据手册

1+
￥2.63
10+
￥2.09
30+
￥1.87
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.38

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型号：NCP308SN180T1G 编号：C463587

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP308 系列属于安森美半导体监督电路系列。它适用于监督从 0.405 V 到 5.5 V 的系统电压，与手动重置 (/MR) 输入结合，发出有效低电平开漏/RESET 输入。该零件提供固定版本和内部可调版本。

数据手册

1+
￥2.69
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￥2.41
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￥2.27
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￥2.14
500+
￥1.68
1000+
￥1.64

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型号：MBRD835LT4G 编号：C28423

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器采用专利壁垒金属，适用于输出整流器、续流、保护和转向二极管、开关电源、逆变器和其他感应开关电路。

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1+
￥2.8
10+
￥2.23
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￥1.99
100+
￥1.68
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

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型号：MBRS4201T3G 编号：C145187

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

特性：正向电压低于任何超快整流器：在150℃时，VF < 0.61V。快速开关速度：反向恢复时间 (tRR) < 35 ns。软恢复特性：软度因子 (tb / ta) ≥ 1。高温下高度稳定。通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。 NRVB前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。应用：发动机和便利控制系统。电机控制

数据手册

1+
￥2.82
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￥2.19
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￥1.91
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￥1.58
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￥1.43
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￥1.33

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型号：NCL2801CDADR2G 编号：C497423

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCL2801 是一款电流模式 CRM 升压 PFC 控制集成电路，利用安森美半导体的 THD 增强技术可在更宽的运行范围内提供最佳等级的 THD 性能。能效和待机功率性能通过谷计数频率折回 (VCFF) 方法得以增强。

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1+
￥2.84
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￥2.21
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￥1.95
100+
￥1.61
500+
￥1.46
1000+
￥1.37

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型号：NCP1654BD200R2G 编号：C603659

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1654 是一款用于连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 步升预转换器的控制器。它在固定频率模式下控制电源开关导通时间 (PWM)，取决于瞬时线圈电流。该电路采用 SO-8 封装，最大程度减少了外部部件数量，并极大简化了 PFC 实施。它还集成了高安全性功能，使得 NCP1654 成为一款适用于有效输入功率失控箝位电路。

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1+
￥3.02
10+
￥2.66
30+
￥2.48
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￥2.31
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