ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MBRD360T4G 编号：C10667

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器用作开关电源、逆变器和其他电感开关电路中的输出整流器、续流、保护和转向二极管。

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型号：FQD13N06LTM 编号：C236914

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：NDT3055L 编号：C274612

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些逻辑电平 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换，在这些应用中需要快速开关、低线路功耗和抗瞬态能力

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型号：NTD3055-094T4G 编号：C179612

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。

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型号：D45H11G 编号：C28091

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关，如输出和驱动器级。

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型号：FQD2N100TM 编号：C74765

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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型号：FSUSB30MUX 编号：C11143

封装：MSOP-10

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB30是一款低功耗、2端口高速USB 2.0开关，配置为DPDT开关，优化用于切换两个高速(480Mbps)或一个高速和全速(12Mbps)源。

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型号：NTD6416ANLT4G 编号：C114874

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 100V 19A 74 mΩ 单 N 沟道，DPAK，逻辑电平

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型号：CAT809RTBI-GT3 编号：C43445

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

微处理器电压监控，阀值电压=2.63V

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型号：NCL30188BDR2G 编号：C603428

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCL30188 是一款专为隔离和非隔离“智能调光”恒流LED驱动器设计的控制器。它支持反激式、升降压和SEPIC拓扑结构。其专有的电流控制算法可提供接近于1的功率因数，并从初级侧紧密调节恒定的LED电流，从而消除了对次级侧反馈电路或光耦合器的需求。NCL30188 采用SOIC8封装，适合非常紧凑、空间效率高的设计。该控制器高度集成，所需外部元件数量极少，并包含一系列强大的安全保护功能以简化设计。为了确保在高温下可靠运行，还提供了一个用户可配置的电流折返电路。主要特性包括：- 准谐振峰值电流模式控制- 带有初级侧反馈的恒流控制- 典型±2%的LED恒流精度- 功率因数校正- 线路前馈以提高调节精度- 低启动电流（典型值13 μA）- 宽Vcc范围- 300 mA / 500 mA图腾柱驱动器，带12 V栅极箝位- 强大的保护功能，如Vcc过电压保护、可编程过电压/LED开路保护、逐周期峰值电流限制、绕组短路保护、次级二极管短路保护、输出短路保护、短路电流检测保护、用户可编程NTC热折返、热关断、Vcc欠压锁定和掉电保护NCL30188 与 NCL30088 引脚兼容，提供了相同的优点，同时提高了数字电流控制算法的分辨率，将LED电流量化纹波降低了75%。该器件适用于整体式LED灯泡和灯管、LED光源、LED驱动器/电源以及LED照明电子控制装置。它包含了全面的安全和保护功能，以确保稳健可靠的运行。

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型号：FDD9509L-F085 编号：C605022

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道，PowerTrench MOSFET，-40 V，-100 A，4.4 mΩ

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型号：EMI8142MUTAG 编号：C605388

封装：XDFN-10(1.4x2.2)

品牌：onsemi(安森美)

EMI814x 系列是业界首款集成了静电放电（ESD）保护功能的共模滤波器（CMF）。如今，差分信号输入/输出（I/O）端口可在一个封装内同时实现共模滤波和 ESD 保护

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型号：NCP4305DDR2G 编号：C2892150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4305 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4305 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

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型号：RFD14N05LSM9A 编号：C464112

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。

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型号：NCV4274ADT50RKG 编号：C233416

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

NCV4274和NCV4274A是一款精密微功耗电压调节器，输出电流能力为400 mA，有DPAK、D2PAK和SOT - 223封装可选。根据不同版本，输出电压精度在±2.0%或±4.0%以内，输入电压最高可达40 V时，最大压差为0.5 V。其特点是静态电流低，在1 mA负载下仅消耗150 μA电流

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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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型号：D44H11G 编号：C88479

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关，如输出和驱动器级。

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型号：FDD6637 编号：C114384

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 RDS(on) 和优化的 BVdss 能力，为应用带来卓越性能优势。

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型号：MUR1520G 编号：C150062

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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￥6.23
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型号：MBR1045G 编号：C79734

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

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￥6.31
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￥5.27
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型号：LV8548MC-AH 编号：C19950

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

电机驱动器，正向/反向，低饱和电压，12V

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￥3.99
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型号：NCP1397BDR2G 编号：C362061

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)

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￥5.95
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￥3.61
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型号：MC33151DR2G 编号：C233738

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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￥7.32
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￥4.14
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￥3.98

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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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1+
￥8.23
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￥7.07
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￥3.56
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￥3.42

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型号：NCP1236BD65R2G 编号：C145142

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1236 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电 (DSS) 功能。此器件与之前的 NCP12xx 系列可实现引脚兼容。DSS 功能可激活内部启动电流源使其在瞬变期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。凭借内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入，此控制器非常适合那些将部件成本作为关键限制因素的转换器。另外，该控制器还包括一个新型高电压电路，组合了启动电流源和欠电压检测器，能够感应来自整流交流线路或直流滤波大电压的输入电压。该高电压感应电路还用于过功率保护目的。过功率保护、超载保护和其他保护功能提高了最终应用的安全性和可靠性。

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￥8.54
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￥7.13
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￥5.49
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￥4.31
1000+
￥4.14

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型号：RHRP8120 编号：C11770

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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