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24V 1A

型号：MC7824CD2TR4G 编号：C50515

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

1+
￥4.74
10+
￥3.78
30+
￥3.29
100+
￥2.81
500+
￥2.53
800+
￥2.38

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自主型USB Type-C控制器，支持Super Speed开关控制

型号：FUSB301TMX 编号：C132290

封装：TMLP-10(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

完全自主的Type-C控制器，优化用于<15W应用。支持Type-C版本1.1和1.0，CC逻辑检测，源模式、接收模式、双角色端口模式等。

数据手册

1+
￥5.32
10+
￥4.24
30+
￥3.7
100+
￥3.17
500+
￥2.85
1000+
￥2.68

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.5
30+
￥3.95
100+
￥3.41
500+
￥2.87
1000+
￥2.7

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800mV~3.6V 1.5A 5.5V

型号：NCP59748MN1ADJTBG 编号：C464052

封装：DFN10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP59748 是一款双轨极低压差电压稳压器，能够提供超过 1.5 A 的输出电流，在满载电流下的典型压差为 60 mV。

数据手册

1+
￥5.68
10+
￥4.58
30+
￥4.02
100+
￥3.32
500+
￥2.99
1000+
￥2.83

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NPN 电流:8A 电压:80V

型号：MJD44H11G 编号：C36608

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥6.13
10+
￥5.03
30+
￥4.48
100+
￥3.6
500+
￥3.28
1000+
￥3.11

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16V电机驱动芯片

型号：LV8548MC-AH 编号：C19950

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

电机驱动器，正向/反向，低饱和电压，12V

数据手册

1+
￥6.31
10+
￥5.4
30+
￥4.95
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￥4.5
500+
￥3.99
1000+
￥3.85

有货

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电压:45V 电流:7.5A

型号：MBR1545CTG 编号：C2722

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

数据手册

1+
￥6.4
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￥5.25
50+
￥4.19
100+
￥3.61
500+
￥3.27
1000+
￥3.09

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通用电压监测器

型号：MC33161DR2G 编号：C233686

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34161/MC33161是通用电压监测器，适用于各种电压感应应用。这些器件为电路设计人员提供了一种经济的正负电压检测解决方案。该电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54 V参考电压和两个能够吸收超过10 mA电流的开集电极输出组成。每个比较器通道可通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些器件要完全正常工作所需的最小电源电压，对于正电压感应为2.0 V，对于负电压感应为4.0 V。

数据手册

1+
￥6.89
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￥5.54
30+
￥4.87
100+
￥4.21
500+
￥3.81
1000+
￥3.6

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1个P沟道耐压:100V 电流:15A

型号：FDMC86139P 编号：C463243

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。

数据手册

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￥6.89
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￥5.67
30+
￥5
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￥4.25
500+
￥3.91
1000+
￥3.76

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2个N沟道耐压:30V 电流:17A 32A

型号：FDPC5018SG 编号：C464164

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

数据手册

1+
￥7
10+
￥5.75
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￥5.13
100+
￥4.34
500+
￥3.97
1000+
￥3.78

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200mA 45V

型号：CS8182YDFR8G 编号：C156197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CS8182是一款单片集成式低压差跟踪稳压器，旨在提供可调节的缓冲输出电压，该电压可紧密跟踪（±10mV）参考输入。输出电流最高可达200 mA，且可配置为高于、低于或等于参考电压。该器件设计用于在2.8 V至45 V的宽电压范围内工作，同时仍能保持出色的直流特性

数据手册

1+
￥7.3598 ￥7.51
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￥5.412 ￥6.15
30+
￥4.212 ￥5.4
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￥3.549 ￥4.55
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￥3.2604 ￥4.18
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￥3.1278 ￥4.01

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:33A

型号：FDB33N25TM 编号：C241752

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥7.47
10+
￥6.18
30+
￥5.53
100+
￥3.77
500+
￥3.38
800+
￥3.18

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1.2kV 5.3A

型号：HGTD1N120BNS9A 编号：C462776

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

HGTD1N120BNS9A 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

数据手册

1+
￥8.57
10+
￥7.17
30+
￥6.4
100+
￥5.52
500+
￥5.14
1000+
￥4.96

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电压:200V 电流:10A

型号：MBRB20200CTT4G 编号：C236141

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

数据手册

1+
￥8.74
10+
￥7.15
30+
￥6.28
100+
￥5.3
500+
￥4.86
800+
￥4.66

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隔离式大电流IGBT栅极驱动器

型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

数据手册

1+
￥12.97
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￥11.35
30+
￥9.94
100+
￥8.93
500+
￥8.48
1000+
￥8.28

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降压型 3A 4.5V~40V

型号：LM2596DSADJR4G 编号：C99046

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2596稳压器是一款单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。它能够驱动3.0 A的负载，具备出色的线性和负载调节能力。该器件有可调输出版本，并且内部经过补偿，可减少外部元件数量，从而简化电源设计

数据手册

1+
￥14.41
10+
￥12.11
30+
￥10.68
100+
￥9.21
500+
￥8.54
800+
￥8.26

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耐压:600V 电流:30A 反向恢复时间：45ns

型号：RHRP3060 编号：C11772

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP3060 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

数据手册

1+
￥16.48
10+
￥14.34
50+
￥11.9
100+
￥10.52
500+
￥9.9
800+
￥9.63

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:28A

型号：FDA28N50 编号：C105685

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥19.66
10+
￥16.76
30+
￥15.04
90+
￥13.29
450+
￥12.49
900+
￥12.13

有货

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100V 200mA

型号：BAV70TT1G 编号：C232586

封装：SC-75

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2094
200+
￥0.1717
600+
￥0.1507
3000+
￥0.1001
9000+
￥0.0892
21000+
￥0.0833

有货

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50V 100mA

型号：MMUN2133LT1G 编号：C86182

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

数据手册

20+
￥0.2174
200+
￥0.1754
600+
￥0.1521
3000+
￥0.1127

有货

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PNP 电流:500mA 电压:45V

型号：BC807-16LT3G 编号：C232631

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2283
200+
￥0.1757
600+
￥0.1465
2000+
￥0.1289
10000+
￥0.1137
20000+
￥0.1055

有货

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独立式耐压:39V 电流:0.1uA@30V

型号：MMSZ5259BT1G 编号：C235987

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.2416
100+
￥0.1888
300+
￥0.1624
3000+
￥0.1426
6000+
￥0.1268
9000+
￥0.1188

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:5uA@4V

型号：MMSZ5234BT1G 编号：C194181

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.249792 ￥0.2602
100+
￥0.179052 ￥0.2082
300+
￥0.138548 ￥0.1823
3000+
￥0.123728 ￥0.1628
6000+
￥0.111872 ￥0.1472
9000+
￥0.105944 ￥0.1394

有货

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耐压:5.1V 电流:5uA@2.0V

型号：1N5231B 编号：C895239

封装：DO-204

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

10+
￥0.254
100+
￥0.2001
500+
￥0.1641
1000+
￥0.1439
5000+
￥0.1277

有货

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独立式耐压:8.2V 电流:0.7uA

型号：MM3Z8V2T1G 编号：C130143

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.2628
100+
￥0.2081
300+
￥0.1807
3000+
￥0.1523
6000+
￥0.1359
9000+
￥0.1277

有货

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电压:30V 电流:200mA

型号：BAT54XV2T5G 编号：C146759

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2634
100+
￥0.2098
300+
￥0.183
1000+
￥0.1629
5000+
￥0.1468
8000+
￥0.1388

有货

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电压:70V 电流:70mA

型号：BAS70LT1G 编号：C232585

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.3024
100+
￥0.2367
300+
￥0.2039
3000+
￥0.1793
6000+
￥0.1596
9000+
￥0.1497

有货

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NPN 30V 300mA

型号：MMBTA14LT1G 编号：C232604

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.3025
100+
￥0.2424
300+
￥0.2124
3000+
￥0.1899
6000+
￥0.1718
9000+
￥0.1628

有货

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单路同相缓冲器，漏极开路输出

型号：NL17SZ07DFT2G 编号：C113255

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ07是一款高性能单路同相缓冲器，具有漏极开路输出，工作电源电压范围为1.65至5.5 V。输出级为具备过压容限的漏极开路结构

数据手册

10+
￥0.33
100+
￥0.2628
300+
￥0.2292
3000+
￥0.204
6000+
￥0.1839
9000+
￥0.1738

有货

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耐压:12V 电流:0.1uA@9V

型号：NZ9F12VT5G 编号：C463408

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

这一系列齐纳二极管采用SOD-923表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

5+
￥0.342285 ￥0.3603
50+
￥0.29971 ￥0.3526
150+
￥0.260625 ￥0.3475
500+
￥0.2568 ￥0.3424

有货

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