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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

PNP 50V 100mA

型号：NSVMUN5111DW1T3G 编号：C463398

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

数据手册

5+
￥0.4481
50+
￥0.3901
150+
￥0.3611
500+
￥0.3393
2500+
￥0.3219
5000+
￥0.3132

有货

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独立式耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V

型号：MMSZ9V1T1G 编号：C132795

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

10+
￥0.4637
100+
￥0.3758
300+
￥0.3319
3000+
￥0.2629

有货

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1个P沟道耐压:8V 电流:1.4A

型号：NTS2101PT1G 编号：C140583

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.4959
100+
￥0.3999
300+
￥0.3519
3000+
￥0.2658
6000+
￥0.237
9000+
￥0.2226

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:50uA@1.0V

型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.6259
50+
￥0.5386
150+
￥0.5011
500+
￥0.4544
2500+
￥0.4001
5000+
￥0.3876

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.37A

型号：NTS4101PT1G 编号：C68182

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.6273
50+
￥0.5215
150+
￥0.4686
500+
￥0.4289
3000+
￥0.3972

有货

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NPN 电流:800mA 电压:45V

型号：BC33725TA 编号：C236942

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于开关和放大器应用。适用于AF驱动级和低功率输出级。与BC327/BC328互补

数据手册

5+
￥0.6406
50+
￥0.5014
150+
￥0.4318
500+
￥0.3796
2000+
￥0.3378
4000+
￥0.3169

有货

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5V 100mA 30V

型号：MC78L05ABDR2G 编号：C7371

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，该设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

数据手册

5+
￥0.9034
50+
￥0.7003
150+
￥0.6132
500+
￥0.5046
2500+
￥0.4563
5000+
￥0.4272

有货

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12V 100mA 27V

型号：MC78L12ABDR2G 编号：C232656

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器适合多种需要最高100 mA稳压电源的应用。与更高功率的MC7800和MC78M00系列类似，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，MC78L00设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备在输出阻抗和静态电流方面有显著的性能优势。

数据手册

5+
￥0.9293
50+
￥0.7276
150+
￥0.6412
500+
￥0.5333
2500+
￥0.4651
5000+
￥0.4363

有货

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独立式耐压:9.1V 电流:5uA@7V

型号：1SMB5924BT3G 编号：C53166

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0091
50+
￥0.7988
150+
￥0.6937
500+
￥0.6149
2500+
￥0.5518
5000+
￥0.5202

有货

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TinyLogic UHS带施密特触发输入的双缓冲器

型号：NC7WZ17L6X 编号：C457663

封装：MicroPaK-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ17 是一款来自 TinyLogic 产品超高速（UHS）系列的双缓冲器，带有施密特触发输入。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的工作电压范围为 1

数据手册

5+
￥1.0294
50+
￥0.9076
150+
￥0.8554
500+
￥0.7903
2500+
￥0.6438
5000+
￥0.6264

有货

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独立式耐压:16V 电流:1uA@12.2V

型号：1SMB5930BT3G 编号：C235979

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0824
50+
￥0.8447
150+
￥0.7428
500+
￥0.6157
2500+
￥0.5471
5000+
￥0.5132

有货

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独立式耐压:36V 电流:1uA@27.4V

型号：1SMB5938BT3G 编号：C48869

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0973
50+
￥0.8629
150+
￥0.7625
500+
￥0.6372
2500+
￥0.5357
5000+
￥0.5022

有货

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独立式耐压:3.6V 电流:75uA@1V

型号：1SMB5914BT3G 编号：C129230

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1186
50+
￥0.8671
150+
￥0.7593
500+
￥0.6248
2500+
￥0.5649
5000+
￥0.529

有货

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超高速双反相器，带施密特触发器输入

型号：NC7WZ14L6X 编号：C118211

封装：UFDFN-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ14 是一款带施密特触发器输入的双逆变器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列，采用节省空间的 SC70 6 引线封装。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 VCC 运行电压任何。施密特触发器输入在 5V 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。

数据手册

5+
￥1.1243
50+
￥0.9109
150+
￥0.8194
500+
￥0.7053
2500+
￥0.6545
5000+
￥0.624

有货

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独立式耐压:30V 电流:0.5uA

型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1639
50+
￥0.9386
150+
￥0.8421
500+
￥0.7216
2500+
￥0.6133
5000+
￥0.5811

有货

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独立式耐压:8.2V 电流:5uA@1V

型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥1.1652
50+
￥0.9132
150+
￥0.8052
500+
￥0.6704
2500+
￥0.6104
5000+
￥0.5744

有货

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低失调电压双比较器

型号：LM2903VDR2G 编号：C91736

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

电压-输入失调（最大值）7mV

数据手册

5+
￥1.1687
50+
￥0.9093
150+
￥0.7981
500+
￥0.6593
2500+
￥0.5976
5000+
￥0.5605

有货

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独立式耐压:3.9V 电流:25uA@1V

型号：1SMB5915BT3G 编号：C152473

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2122
50+
￥0.9527
150+
￥0.8415
500+
￥0.6369
2500+
￥0.5751
5000+
￥0.538

有货

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单电源双运算放大器

型号：NCV2904DR2G 编号：C152295

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这些双运算放大器采用了为四运算放大器优化的电路设计，具有低功耗、共模输入电压范围扩展至地/VEE 以及单电源或双电源供电的特点。LM358 系列相当于半个 LM324。在单电源应用中，相较于标准运算放大器类型，这些放大器具有多个显著优势

数据手册

5+
￥1.258
50+
￥1.0089
150+
￥0.9022
500+
￥0.7691
2500+
￥0.5856
5000+
￥0.55

有货

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六路反相器

型号：MC14069UBDR2G 编号：C36955

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的，以尽量减少传播延迟。

数据手册

5+
￥1.2777
50+
￥0.9954
150+
￥0.8745
500+
￥0.7236
2500+
￥0.6564
5000+
￥0.616

有货

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单向ESD 3.3V截止

型号：ESD7C3.3DT5G 编号：C233386

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

ESD7CxxD系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。因其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

5+
￥1.2786
50+
￥1.0389
150+
￥0.9362
500+
￥0.8081
2500+
￥0.6218
5000+
￥0.5876

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:750mA

型号：MGSF1N02LT1G 编号：C236202

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥1.4339
50+
￥1.1197
150+
￥0.985
500+
￥0.817
3000+
￥0.6425
6000+
￥0.5976

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：MBRS240LT3G 编号：C8165

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

在金属 - 硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具备采用氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频开关电源；续流二极管和极性保护二极管

数据手册

5+
￥1.4622
50+
￥1.1334
150+
￥0.9925
500+
￥0.8167
2500+
￥0.7385
5000+
￥0.6915

有货

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独立式耐压:7.5V 电流:5uA@6V

型号：1SMB5922BT3G 编号：C50528

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.4818
50+
￥1.1967
150+
￥1.0745
500+
￥0.922
2500+
￥0.7366
5000+
￥0.6959

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1A

型号：NDS332P 编号：C258217

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑电源管理、便携式电子设备和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速高压侧开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.518
50+
￥1.2055
150+
￥1.0716
500+
￥0.9045
3000+
￥0.8301
6000+
￥0.7855

有货

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四路2输入与门，高性能硅栅CMOS

型号：MC74ACT08DR2G 编号：C233452

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：输出源/灌电流：24 mA。 -ACT08具有与TTL兼容的输入。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.5656
50+
￥1.2531
150+
￥1.1191
500+
￥0.8954
2500+
￥0.821
5000+
￥0.7763

有货

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：15A@8/20us

型号：SD12CT1G 编号：C328100

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

SD12C旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态事件的影响。出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，使该器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。

数据手册

5+
￥1.6599
50+
￥1.2855
150+
￥1.125
500+
￥0.9248
3000+
￥0.8357

有货

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单向ESD 6.5V截止

型号：MA3075WALT1G 编号：C233442

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥1.7508
50+
￥1.3949
150+
￥1.2424
500+
￥1.0521
3000+
￥0.9195
6000+
￥0.8687

有货

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单比较器

型号：LM311DR2G 编号：C231850

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该器件能够在5.0 V至30 V的单电源或±15 V的双电源（运算放大器常用电源）下工作，这使得LM211/LM311成为一款真正通用的比较器。此外，该器件的输入可以与系统地隔离，而输出可以驱动以地、VCC或VEE电源为参考的负载。这种灵活性使得它能够驱动DTL、RTL、TTL或MOS逻辑电路。输出还能在50 mA电流下切换高达50 V的电压，因此，LM211/LM311可用于驱动继电器、指示灯或螺线管。

数据手册

5+
￥1.7549
50+
￥1.456
150+
￥1.3279
500+
￥1.1222
2500+
￥1.051
5000+
￥1.0083

有货

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电压:20V 电流:4A

型号：MBRS320T3G 编号：C236151

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.8312
50+
￥1.4265
150+
￥1.2531
500+
￥1.0367
2500+
￥0.9403
5000+
￥0.8825

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

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成员网站：

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