ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MBR1045G 编号：C79734

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

数据手册

1+
￥6.31
10+
￥5.27
50+
￥4.11
100+
￥3.59
500+
￥3.28
1000+
￥3.12

有货

立即购买

型号：NCP1397BDR2G 编号：C362061

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)

数据手册

1+
￥7.09
10+
￥5.95
30+
￥5.38
100+
￥3.95
500+
￥3.61
1000+
￥3.44

有货

立即购买

型号：MC33151DR2G 编号：C233738

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥7.32
10+
￥6.02
30+
￥5.31
100+
￥4.5
500+
￥4.14
1000+
￥3.98

有货

立即购买

型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

数据手册

1+
￥8.23
10+
￥7.07
30+
￥6.44
100+
￥5.72
500+
￥3.56
1000+
￥3.42

有货

立即购买

型号：NCP1236BD65R2G 编号：C145142

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1236 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电 (DSS) 功能。此器件与之前的 NCP12xx 系列可实现引脚兼容。DSS 功能可激活内部启动电流源使其在瞬变期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。凭借内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入，此控制器非常适合那些将部件成本作为关键限制因素的转换器。另外，该控制器还包括一个新型高电压电路，组合了启动电流源和欠电压检测器，能够感应来自整流交流线路或直流滤波大电压的输入电压。该高电压感应电路还用于过功率保护目的。过功率保护、超载保护和其他保护功能提高了最终应用的安全性和可靠性。

数据手册

1+
￥8.54
10+
￥7.13
30+
￥6.36
100+
￥5.49
500+
￥4.31
1000+
￥4.14

有货

立即购买

型号：RHRP8120 编号：C11770

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥8.71
10+
￥7.2
50+
￥6.25
100+
￥5.31
500+
￥4.9
800+
￥4.71

有货

立即购买

型号：MUR8100EG 编号：C23545

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快“E”系列，具有很高的反向能量吸收能力……适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管，此类先进器件具有下列特性：

数据手册

1+
￥8.72
10+
￥7.21
50+
￥6
100+
￥5.06
500+
￥4.64
1000+
￥4.46

有货

立即购买

型号：NCV8401BDTRKG 编号：C604055

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

NCV8401A/B是一款三端受保护的低端智能分立器件。其保护功能包括过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位。该器件具备保护功能，适用于恶劣的汽车环境

数据手册

1+
￥9.7
10+
￥8.17
30+
￥7.21
100+
￥6.23
500+
￥5.79
1000+
￥5.59

有货

立即购买

型号：CAT5115ZI-10-GT3 编号：C890423

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT5115 是一款单数字电位计，设计用于替代机械电位计和调整电位计。适用于自动化调整的高产量生产线，也适合在难以访问或位于危险或远程环境中的设备中使用。

数据手册

1+
￥9.74
10+
￥9
30+
￥8.54
100+
￥6.53
500+
￥6.32
1000+
￥6.23

有货

立即购买

型号：NCV887001D1R2G 编号：C604103

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8870是一款非同步升压控制器,驱动外部N通道MOSFET。采用峰值电流模式控制,具有内部斜率补偿。该器件包括内部调节器,为栅极驱动器供电。保护功能包括软启动、欠压锁定、逐周期限流、hiccup模式短路保护和热关断。此外,还具有低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率的功能。

数据手册

1+
￥9.85
10+
￥8.2537 ￥9.07
30+
￥6.9498 ￥8.58
100+
￥6.5448 ￥8.08
500+
￥6.3585 ￥7.85
1000+
￥6.2775 ￥7.75

有货

立即购买

型号：LV8731V-TLM-H 编号：C40157

封装：SSOP-44-EP-5.6mm

品牌：onsemi(安森美)

PWM恒流控制步进电机驱动器

数据手册

1+
￥15.72
10+
￥13.61
30+
￥12.29
100+
￥9.73
500+
￥9.12
1000+
￥8.85

有货

立即购买

型号：FQP55N10 编号：C899378

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。该先进MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥15.96
10+
￥13.77
50+
￥10.39
100+
￥8.99
500+
￥8.35
1000+
￥8.08

有货

立即购买

型号：FGH40N60SFDTU 编号：C49514

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥17.56
10+
￥14.85
30+
￥12.43
90+
￥10.69
450+
￥9.9
900+
￥9.56

有货

立即购买

型号：NCN5130MNTWG 编号：C513000

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

NCN5130 是一款收发器集成电路，适用于 KNX 双绞线网络 (KNX TP1?256)。NCN5130 同时嵌入了 PHY 和 MAC 层，用于处理总线上的发射和接收。它会从未调节的总线电压产生稳定的电压，用于自身电源需求以及为外部器件供电。NCN5130 确保了与总线的安全耦合和去耦合。通过模拟引脚可提供各种监控指标（总线电压、电流、温度...）。

数据手册