ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMS4177PR2G 编号：C99787

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V P 沟道功率 MOSFET。

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￥2.2804
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型号：MUR460RLG 编号：C16377

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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￥1.8801
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型号：MC33202DR2G 编号：C43122

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33201/2/4系列运算放大器在输入和输出端均支持轨到轨操作。输入信号的幅度可比电源轨高200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨50 mV。这种轨到轨操作使用户能够充分利用可用的电源电压范围

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￥1.8937
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￥1.4679
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型号：NCP1117LPST33T3G 编号：C146799

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCP1117LP是一款低压差（LDO）正电压固定或可调模式稳压器，输出能力为1 A。与早期的行业标准三端可调稳压器相比，这款LDO能显著降低压差，同时提高输出电压精度和温度稳定性。这些器件具备输出电流限制、安全工作区补偿和热关断保护功能，非常适合为众多消费和工业产品供电，方便设计师使用

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型号：MBRS3200T3G 编号：C86674

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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型号：MC74VHC14DR2G 编号：C233550

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC14 是一款先进的高速 CMOS 施密特逆变器，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还保持 CMOS 低功耗。引脚配置和功能与 MC74VHC04 相同，但输入存在迟滞，通过其施密特触发器功能，VHC14 可用作线路接收器，接收缓慢的输入信号。该内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。输入耐压达 7V，支持 5V 系统到 3V 系统的接口。

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￥2.0678
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￥1.6142
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型号：MC74ACT125DR2G 编号：C113254

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

输出源/汲

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型号：MUR420RLG 编号：C13431

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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￥2.1165
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型号：FDS9435A 编号：C87670

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 25V) 的电源管理应用进行了优化。

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型号：MMBT589LT1G 编号：C242272

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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￥2.2114
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型号：UC3842BD1R2G 编号：C7114

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC - DC转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有经过微调的振荡器，可实现精确的占空比控制、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器，以及非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，如带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出死区时间，以及用于单脉冲计量的锁存器。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级提供了独立的电源和接地引脚。UCX842B的欠压锁定（UVLO）阈值为16 V（开启）和10 V（关闭），非常适合离线转换器。UCX843B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5 V（开启）和7.6 V（关闭）。

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型号：MC14051BDTR2G 编号：C274656

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

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型号：MC79M12BDTRKG 编号：C126400

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

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型号：MC74ACT244DTR2G 编号：C233595

封装：ETSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

设计用作内存地址驱动器、时钟驱动器和面向总线的收发器，可提高印刷电路板密度。

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型号：FDC5612 编号：C236886

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此，该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。

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￥2.5899
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型号：MBRM120ET1G 编号：C152484

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基POWERMITE采用肖特基势垒原理，具有势垒金属和外延结构，可实现最佳的正向电压降-反向电流权衡。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计，POWERMITE的热性能与SMA相同，同时占地面积小50%，并提供行业内最低的高度轮廓，< 1.1mm。因其尺寸小，适用于便携式和电池供电产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA和PCMCIA卡。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“Oring”和其他对性能和尺寸要求苛刻的应用。

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￥2.6415
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型号：CAT24C32YI-GT3 编号：C94264

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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￥2.66
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￥1.4
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型号：ES3D 编号：C241735

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

3.0A快速恢复整流器

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￥2.8
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型号：LM317BD2TR4G 编号：C173771

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

LM317是一款可调式三端正电压稳压器，能够在1.2 V至37 V的输出电压范围内提供超过1.5 A的电流。这款电压稳压器使用极为简便，仅需两个外部电阻即可设定输出电压。此外，它采用了内部限流、热关断和安全区补偿功能，基本可防止器件损坏

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￥3.05
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￥2.37
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型号：MOC3020M 编号：C86911

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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￥3.08
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￥2.18
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￥1.7
1000+
￥1.61

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型号：1N5339BRLG 编号：C5306

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥3.15
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￥2.53
30+
￥2.27
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￥1.93
500+
￥1.78
1000+
￥1.7

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型号：NCP161ASN330T1G 编号：C892187

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

是一款线性稳压器，能够提供450 mA的输出电流。专为满足射频和模拟电路的要求而设计，可提供低噪声、高电源抑制比、低静态电流和非常好的负载/线路瞬态响应。该器件设计为与1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器配合使用。有两种厚度的超小型0.35P、0.65mm×0.65mm芯片级封装（CSP）和XDFN4 0.65P、1mm×1mm封装可供选择。

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1+
￥3.37
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￥2.41
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￥2.05
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￥1.83
1000+
￥1.73

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型号：H11L1M 编号：C16587

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥3.4
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￥2.65
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￥2.34
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￥1.94
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

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型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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1+
￥3.41
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￥2.75
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￥2.47
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￥2.11
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￥1.48
1000+
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型号：FDS6675BZ 编号：C188503

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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1+
￥3.55
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￥2.87
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￥2.53
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￥2.19
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￥1.78
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￥1.68

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型号：NCP1252ADR2G 编号：C80800

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1252 控制器提供了构建专用于 ATX 电源和任何正向应用的成本高效且可靠的 AC-DC 开关电源所需的一切内容。由于使用内部固定的计时器，NCP1252 可以在不依赖辅助 Vcc 的情况下检测输出过载。欠压输入针对低输入电压提供保护，提高了转换器安全性。最后，SOIC-8 封装节省 PCB 空间，是成本敏感项目的首选方案。

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1+
￥3.59
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￥2.91
30+
￥2.62
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￥2.26
500+
￥2.09
1000+
￥1.79

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型号：CAT24C256YI-GT3 编号：C146734

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256是一款256kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、低功耗CMOS技术、工业和扩展温度范围。

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1+
￥3.67
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￥2.93
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￥2.61
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￥2.21
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￥2.03
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￥1.93

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型号：NTF2955T1G 编号：C17265

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。

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1+
￥3.76
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￥2.95
30+
￥2.6
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￥2.17
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￥1.86
1000+
￥1.74

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型号：DF06S 编号：C105154

封装：SDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

随着提高电源效率、浪涌额定值、可靠性和减小尺寸的迫切需求，该系列在性能方面树立了标准。设计提供了50 A的浪涌额定值，这对于提高可靠性和效率很重要。高效设计努力降低电路电阻，但这可能导致浪涌电流增加，因此需要高浪涌电流额定值来维持或提高可靠性。设计还通过在25℃时实现1.5 A下最大1.1 V的正向电压VF，提高了效率。较低的VF也支持更凉爽和高效的运行。最后，该系列采用SDIP表面贴装形式，与竞争设备相比，减少了电路板空间和体积要求。

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1+
￥3.88
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￥3.2
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￥2.85
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￥2.51
500+
￥2.08
1500+
￥1.98

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型号：NCV20074DTBR2G 编号：C411222

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

NCx2007x系列运算放大器可实现轨到轨输出操作，带宽为3 MHz，有单通道、双通道和四通道配置可供选择。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3 MHz的带宽。NCx2007x可在低至2 V的电源电压下工作

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￥4.71
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