ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：S1MFL 编号：C604670

封装：SOD-123F

品牌：onsemi(安森美)

表面通用整流器

数据手册

5+
￥0.92
50+
￥0.7357
150+
￥0.6436
500+
￥0.5745
3000+
￥0.4844

有货

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型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0014
50+
￥0.7773
150+
￥0.6812
500+
￥0.5613
2500+
￥0.508
5000+
￥0.4759

有货

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型号：NCV2903DR2G 编号：C231830

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源供电时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。

数据手册

5+
￥1.004
50+
￥0.772
150+
￥0.6726
500+
￥0.5485
2500+
￥0.4933
5000+
￥0.4602

有货

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型号：MC78L05ACDR2G 编号：C7372

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，该设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

数据手册

5+
￥1.0721
50+
￥0.8453
150+
￥0.7481
500+
￥0.5635
2500+
￥0.5095
5000+
￥0.477

有货

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型号：1SMA5939BT3G 编号：C238874

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0798
50+
￥0.8581
150+
￥0.763
500+
￥0.6444
2500+
￥0.5476
5000+
￥0.5159

有货

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型号：FDN340P 编号：C75469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

数据手册

5+
￥1.1012
50+
￥0.8965
150+
￥0.8087
500+
￥0.6992
3000+
￥0.5777
6000+
￥0.5485

有货

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型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1038
50+
￥0.9148
150+
￥0.8203
500+
￥0.7495
2500+
￥0.6841
5000+
￥0.6557

有货

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型号：NC7SZ74L8X 编号：C184651

封装：UFQFN-8(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5V 这一极宽的 Vcc 工作电压范围内保持较低的静态功耗。

数据手册

5+
￥1.1599
50+
￥1.0287
150+
￥0.9724
500+
￥0.9022
2500+
￥0.6938
5000+
￥0.675

有货

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型号：1SMB5917BT3G 编号：C89739

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1828
50+
￥0.9431
150+
￥0.8404
500+
￥0.7123
2500+
￥0.6096
5000+
￥0.5753

有货

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型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1909
50+
￥0.9346
150+
￥0.8247
500+
￥0.6877
2500+
￥0.5758
5000+
￥0.5391

有货

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型号：MURS140T3G 编号：C21243

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1943
50+
￥0.9448
150+
￥0.8379
500+
￥0.7045
2500+
￥0.5604
5000+
￥0.5247

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型号：1SMB5951BT3G 编号：C152508

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1947
50+
￥0.9327
150+
￥0.8203
500+
￥0.6802
2500+
￥0.6178
5000+
￥0.5803

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型号：MC78M15CDTRKG 编号：C95992

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

数据手册

5+
￥1.2072
50+
￥0.9493
150+
￥0.8388
500+
￥0.6406
2500+
￥0.5792
5000+
￥0.5424

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型号：MC14081BDR2G 编号：C52342

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

B系列逻辑门采用P沟道和N沟道增强型器件构建在单一的单片结构中（互补金属氧化物半导体，即CMOS）。它们主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

数据手册

5+
￥1.2119
50+
￥0.9447
150+
￥0.8303
500+
￥0.6874
2500+
￥0.6238
5000+
￥0.5857

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型号：MC79L05ACDR2G 编号：C154823

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

负电压 -5V 100mA

数据手册

5+
￥1.2153
50+
￥0.9387
150+
￥0.8201
500+
￥0.6722
2500+
￥0.5593
5000+
￥0.5198

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型号：NVR5124PLT1G 编号：C417287

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。60V，230 mΩ，单 N 沟道逻辑电平，SOT?23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥1.223
50+
￥0.9803
150+
￥0.8763
500+
￥0.7466
3000+
￥0.6888
6000+
￥0.6541

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型号：1SMB5945BT3G 编号：C238937

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.235
50+
￥0.9809
150+
￥0.872
500+
￥0.7362
2500+
￥0.6757
5000+
￥0.6394

有货

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型号：LM358ADR2G 编号：C84725

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

通用双通道运放，LM358A系列，LM358高精密度版本

数据手册

5+
￥1.2633
50+
￥0.9843
150+
￥0.8647
500+
￥0.7154
2500+
￥0.649
5000+
￥0.6091

有货

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型号：FDG6303N 编号：C512895

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

数据手册

710+
￥0.8814
1420+
￥0.85202
2840+
￥0.83733
5680+
￥0.80795

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型号：LM317MBSTT3G 编号：C152536

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

数据手册

5+
￥1.4054
50+
￥1.0978
150+
￥0.9659
500+
￥0.7683
2500+
￥0.6951
4000+
￥0.6511

有货

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型号：MC78M05ABDTRKG 编号：C148320

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

数据手册

5+
￥1.417
50+
￥1.1095
150+
￥0.9777
500+
￥0.7853
2500+
￥0.7121
5000+
￥0.6682

有货

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型号：MGSF1N02LT1G 编号：C236202

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥1.4339
50+
￥1.1197
150+
￥0.985
500+
￥0.817
3000+
￥0.6425
6000+
￥0.5976

有货

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型号：NUP4114HMR6T1G 编号：C260431

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高级别的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。新型NUP4114是一款低电容ESD二极管阵列，旨在保护通信系统、计算机和计算机外设等敏感电子设备，使其免受ESD事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速I/O数据线。NUP4114的集成设计在单个封装（TSOP - 6）中集成了低电容转向二极管和ESD二极管。该器件可保护电源线免受过压情况影响，避免损坏电源和任何下游组件。

数据手册

5+
￥1.4951
50+
￥1.159
150+
￥1.0149
500+
￥0.8351
3000+
￥0.7551
6000+
￥0.7071

有货

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型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.61
50+
￥1.297
150+
￥1.1628
500+
￥0.9955
3000+
￥0.8521
6000+
￥0.8074

有货

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型号：NCV1117ST50T3G 编号：C156196

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥1.6278
50+
￥1.2649
150+
￥1.1094
500+
￥0.9154
2500+
￥0.829
4000+
￥0.7771

有货

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型号：MC14049BDR2G 编号：C7574

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049B 六反相器/缓冲器和 MC14050B 六同相缓冲器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。这些互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 即可实现逻辑电平转换

数据手册

5+
￥1.6461
50+
￥1.3191
150+
￥1.179
500+
￥0.9432
2500+
￥0.8654
5000+
￥0.8186

有货

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型号：FOD817A3SD 编号：C128788

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.6579
50+
￥1.3158
150+
￥1.1692
1000+
￥0.8358
2000+
￥0.7544
5000+
￥0.7055

有货

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型号：MBRM120LT1G 编号：C32150

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基POWERMITE采用肖特基势垒原理，结合势垒金属和外延结构，实现了正向电压降和反向电流的最佳平衡。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计，POWERMITE的热性能与SMA相同，同时占地面积小50%，高度低于1.1mm，是行业内高度较低的产品之一。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电的产品。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“或”操作，以及任何对性能和尺寸要求严格的应用。

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