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描述

价格(含税)

库存

操作

1.2kV 160A

型号：NGTB40N120FL3WG 编号：C411217

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

数据手册

1+
￥19.79
10+
￥16.87
30+
￥14.31
100+
￥12.45
500+
￥11.6
1000+
￥11.24

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:52A

型号：FCH072N60F 编号：C352884

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥22.18
10+
￥19.1
30+
￥15.52
90+
￥13.66
450+
￥12.81
900+
￥12.43

有货

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100V 200mA

型号：1N4148TA 编号：C124481

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

数据手册

50+
￥0.1008
500+
￥0.0792
1500+
￥0.0672
5000+
￥0.0544
25000+
￥0.0481
50000+
￥0.0448

有货

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50V 200mA

型号：BAV74LT1G 编号：C82481

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1814
200+
￥0.1441
600+
￥0.1235
3000+
￥0.1111
9000+
￥0.1003
21000+
￥0.0945

有货

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100V 200mA

型号：BAS16XV2T1G 编号：C152479

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

特性：高速开关应用。引脚镀层：100%雾锡（Tin）。合格的回流温度：260℃。极小的SOD-523封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.2023
200+
￥0.16
600+
￥0.1365
3000+
￥0.1109
9000+
￥0.0986
21000+
￥0.092

有货

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电压:30V 电流:100mA

型号：BAT54ALT1G 编号：C92068

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该共阳极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.203
200+
￥0.1583
600+
￥0.1335
3000+
￥0.1086
9000+
￥0.0957
21000+
￥0.0887

有货

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PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC857ALT1G 编号：C163726

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2102
200+
￥0.1667
600+
￥0.1426
3000+
￥0.124
9000+
￥0.1115
21000+
￥0.1047

有货

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100V 200mA

型号：BAV70WT1G 编号：C93031

封装：SOT-323-3

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2322
200+
￥0.1838
600+
￥0.1568
3000+
￥0.1407
9000+
￥0.1267

有货

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单向ESD 5V截止峰值脉冲电流：8.7A

型号：ESD9X5.0ST5G 编号：C87910

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.2528
200+
￥0.2046
600+
￥0.1778
2000+
￥0.1618
8000+
￥0.1293
16000+
￥0.1218

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：BZX84B5V1LT1G 编号：C236173

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.2801
100+
￥0.2279
300+
￥0.2019
3000+
￥0.1754
6000+
￥0.1598

有货

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NPN 电流:500mA 电压:45V

型号：BC817-16LT1G 编号：C94373

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2868
200+
￥0.2274
600+
￥0.1944
3000+
￥0.1431
9000+
￥0.1259

有货

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100V 200mA

型号：SBAS16XV2T1G 编号：C327512

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

特性：高速开关应用。引脚镀层：100%雾锡（锡）。合格回流温度：260°C。极小的SOD-523封装。S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.3034
100+
￥0.2522
300+
￥0.2267
3000+
￥0.2075
6000+
￥0.1921
9000+
￥0.1845

有货

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独立式耐压:75V 电流:0.045uA@52.5V

型号：MM3Z75VC 编号：C891646

封装：SOD-323F

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V至75V。VZ公差选择为 ±5%（C系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅

数据手册

5+
￥0.334486 ￥0.4582
50+
￥0.255717 ￥0.4059
150+
￥0.201241 ￥0.3797
500+
￥0.190853 ￥0.3601
3000+
￥0.182532 ￥0.3444
6000+
￥0.178345 ￥0.3365

有货

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100V 215mA

型号：SBAV99LT1G 编号：C152481

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

数据手册

10+
￥0.3439
100+
￥0.2723
300+
￥0.2365
3000+
￥0.1903
6000+
￥0.1688
9000+
￥0.1581

有货

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独立式耐压:13V 电流:0.5uA@9.9V

型号：MMSZ5243BT1G 编号：C188411

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3465
100+
￥0.2842
300+
￥0.253
3000+
￥0.2205
6000+
￥0.2018
9000+
￥0.1925

有货

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250V 200mA

型号：MMSD103T1G 编号：C232610

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-123 表面贴装封装，适合自动插装。

数据手册

20+
￥0.3664
200+
￥0.288
600+
￥0.2445
3000+
￥0.2019
9000+
￥0.1792
21000+
￥0.167

有货

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1个P沟道耐压:25V 电流:0.46A

型号：FDV304P 编号：C10884

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。

数据手册

10+
￥0.3686
100+
￥0.2942
300+
￥0.257
3000+
￥0.2167
6000+
￥0.1944
9000+
￥0.1832

有货

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100V 200mA

型号：SMMSD4148T1G 编号：C132796

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

数据手册

10+
￥0.3743
100+
￥0.3045
300+
￥0.2696
3000+
￥0.2237
6000+
￥0.2027
9000+
￥0.1923

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:3uA@2V

型号：MMSZ4V7T1G 编号：C9995

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

10+
￥0.3775
100+
￥0.3098
300+
￥0.2759
3000+
￥0.2505
6000+
￥0.2302
9000+
￥0.22

有货

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独立式耐压:2.5V 电流:100uA@1V

型号：MMSZ5222BT1G 编号：C150078

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3839
100+
￥0.3083
300+
￥0.2705
3000+
￥0.2341

有货

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双NPN偏置电阻晶体管

型号：MUN5214DW1T1G 编号：C94403

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

数据手册

10+
￥0.4082
100+
￥0.3182
300+
￥0.2731
3000+
￥0.2394
6000+
￥0.2124
9000+
￥0.1989

有货

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PNP 30V 500mA

型号：MMBTA64LT1G 编号：C232607

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极达林顿晶体管适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.4791
100+
￥0.3934
300+
￥0.3505
3000+
￥0.3183
6000+
￥0.2926

有货

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100V 200mA

型号：MMBD1205 编号：C236936

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.5319
50+
￥0.4276
150+
￥0.3754
500+
￥0.3363
3000+
￥0.305
6000+
￥0.2893

有货

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独立式耐压:56V 电流:1uA@42.6V

型号：1SMB5943BT3G 编号：C179562

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.5797
50+
￥0.5037
150+
￥0.4656
500+
￥0.4371
2500+
￥0.4143
5000+
￥0.4029

有货

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独立式耐压:1.8V 电流:7.5uA@1V

型号：SZMMSZ4678T1G 编号：C513070

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.6732
50+
￥0.5484
150+
￥0.486
500+
￥0.4392
3000+
￥0.3386

有货

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：3.6A@8/20us

型号：ESD8011MUT5G 编号：C462721

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8011静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。

数据手册

5+
￥0.7705
50+
￥0.6193
150+
￥0.5437
500+
￥0.487
2500+
￥0.4416
5000+
￥0.4095

有货

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电压:60V 电流:1A

型号：MBRA160T3G 编号：C49187

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性二极管

数据手册

5+
￥0.8265
50+
￥0.6474
150+
￥0.5579
500+
￥0.4907
2500+
￥0.437
5000+
￥0.4101

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:3.5A

型号：NTR4171PT1G 编号：C146715

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

30 V，3.5 A，75 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23

数据手册

5+
￥0.8903
50+
￥0.6886
150+
￥0.5878
500+
￥0.5121
3000+
￥0.4516
6000+
￥0.4213

有货

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ESD 16V截止

型号：SZESD7462N2T5G 编号：C604773

封装：X2DFN-2(0.6x1)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7462旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

5+
￥0.9108
50+
￥0.8976
150+
￥0.8888
500+
￥0.88

有货

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电压:30V 电流:1A

型号：MBRA130LT3G 编号：C82067

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。该肖特基整流器具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥0.9115
50+
￥0.7259
150+
￥0.6331
500+
￥0.5635
2500+
￥0.4417
5000+
￥0.4138

有货

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