DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMP6110SVT-7 编号：C461098

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

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型号：PDS3200-13 编号：C154732

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低正向压降。极低漏电流。高度稳定的氧化钝化结。高正向浪涌电流能力。无铅表面处理，符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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型号：ZTX458STZ 编号：C2759905

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：400V VCE0。 0.5A 连续电流。 Ptot = 1W

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型号：AH180-PG-B 编号：C443886

封装：SIP-3

品牌：DIODES(美台)

AH180是一款微功耗全极霍尔效应开关，专为手机、个人数字助理（PDA）和便携式个人电脑（PC）等便携式和电池供电设备而设计。基于两个霍尔效应板和斩波稳定架构，AH180在整个工作范围内提供可靠的解决方案。为了适配便携式和电池供电设备，该设计经过优化，可在2.5V至5.5V的电源电压范围内工作，在3V电源供电时仅消耗24μW的功率

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￥2.4065
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型号：SMCJ26A-13-F 编号：C135156

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=28.9V VC=42.1V IPP=35.6A 单向

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型号：PAM8014AZR 编号：C2938317

封装：U-WLB1313-9

品牌：DIODES(美台)

PAM8014是一款3.2W单声道无滤波器D类放大器，具有高电源抑制比（PSRR）和差分输入，可消除噪声和射频整流。效率超过90%以及占用PCB面积小等特性，使PAM8014 D类放大器非常适合便携式应用。输出采用无滤波器架构，在提供高性能、简单且低成本系统的同时，最大限度地减少了外部组件数量和PCB面积。PAM8014具备短路保护和热关断功能。PAM8014采用U-WLB1313-9封装。

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型号：ZXTP720MATA 编号：C508271

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压（- 220mV 最大 @-1A）。 RSAT = 104mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，高电流增益保持。低轮廓 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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型号：DMN3008SFG-7 编号：C384563

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

N沟道 30V 62A

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型号：AL5809-30QP1-7 编号：C2678648

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

是一款恒流线性LED驱动器，为LED驱动提供了经济高效的双引脚解决方案。它在较宽的电压和温度范围内具有出色的温度稳定性，为20ppm/℃，电流精度为±5%。它有多种固定输出电流版本，无需外部电流设置电阻，为LED的线性驱动提供了简单的解决方案。它支持LED链的高端和低端驱动。当两端电压达到约1.5V后，经过短暂延迟后开启。其输入和输出引脚之间的最大额定电压为60V，使其能够承受汽车应用中可能出现的高峰瞬态电压。采用热性能良好的PowerDI123（B型）封装。已通过AEC-Q100认证，符合汽车应用标准，支持生产件批准程序（PPAP）。

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型号：AL8863SP-13 编号：C2157845

封装：ESOP-8

品牌：DIODES(美台)

AL8863 是一款降压 DC/DC 控制器，设计用于驱动具有高输出电流的 LED。该器件的工作输入电压范围为 4.5V 至 60V。LED 的串联连接可提供相同的 LED 电流，从而实现均匀的亮度并消除对镇流电阻的需求。AL8863 的开关频率范围为 50kHz 至 1MHz。宽工作频率范围允许更灵活的组件选择，并且以高达 1MHz 的频率工作，可以使用更小的外部组件，从而最小化 PCB 尺寸和驱动板。AL8863 的输出电流通过连接到 VIN 和 CSN 输入引脚之间的外部电阻设置。通过将 PWM 信号施加到 DIM 输入引脚来实现调光。可以使用从 DIM 引脚到地之间的外部电容器调整启动时间。AL8863 采用热增强型 SO-8EP 封装。

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型号：FCX605TA 编号：C155228

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 120V。低饱和电压 < 1.5V @ 1A。达林顿晶体管 DFE > 2k @ 1A。 IC = 1A 高连续集电极电流。符合无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。应用：各种驱动功能。灯具

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型号：AH49FNTR-G1 编号：C176936

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH49F是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。其集成电路具有低噪声输出特性，因此无需使用外部滤波元件

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￥3.09
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型号：AL5809-40P1-7 编号：C2653361

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

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型号：DGD21904MS14-13 编号：C526567

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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型号：DMPH6050SK3Q-13 编号：C461102

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，支持生产件批准程序（PPAP），适用于以下领域：发动机管理系统、车身控制电子设备、DC-DC转换器。

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型号：ZVN2106A 编号：C500798

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：60 伏 VDs。 RDS(on)=2Ω

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型号：DMC3025LSDQ-13 编号：C5148568

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于直流电机控制和直流-交流逆变器。

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￥3.27
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型号：DMPH6050SK3-13 编号：C260900

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

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￥3.31
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型号：ZXT790AKTC 编号：C73185

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高连续集电极电流：IC = -3A。峰值脉冲电流：ICM = -6A。高增益器件：>200 @ -1A。典型RCE(SAT) = 83mΩ。低饱和电压。应用：DC-DC转换器。 MOSFET栅极驱动器

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￥3.3156 ￥6.14
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￥1.2546 ￥3.69

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型号：DMP6023LFGQ-13 编号：C672173

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有PPAP支持，适用于背光电源管理功能和DC-DC转换器。

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￥3.42
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￥2.93
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￥2.62

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型号：FZT757TA 编号：C526632

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。IC = -0.5A 持续电流。ICM = -1A 峰值脉冲电流。互补 NPN 类型：FZT657。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

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￥3.5
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型号：AP63357DV-7 编号：C2158014

封装：VDFN3020-13

品牌：DIODES(美台)

AP63356/AP63357 是一款 3.5A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 3.8V 至 32V。该器件完全集成了一个 74mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 40mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP63356/AP63357 器件最大程度减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

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￥2.85
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￥2.5
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￥1.94
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型号：ZXCT1109SA-7 编号：C82765

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1107/09/10是高端单极性电流检测监视器。这些器件在检测负载电流时无需中断接地层。宽共模输入电压范围、低静态电流，再加上SOT23封装，使其适用于一系列应用，包括适配器、汽车以及由工业24V电源轨供电的系统

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￥3.64
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￥2.9
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￥1.95
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型号：ZXMP6A18KTC 编号：C154895

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）支持，适用于以下场景:断开开关。电机控制

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￥3.75
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￥3.06
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￥2.71
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￥2.37
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￥2.16
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￥2.05

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型号：SBR20A300CTFP-G 编号：C526745

封装：ITO-220AB-3

品牌：DIODES(美台)

这种超级势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、升压二极管、阻塞二极管。

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￥3.84
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￥3.48
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￥3.29
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￥3.11
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￥2.94

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型号：ZX5T951GTA 编号：C460272

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。高连续集电极电流：IC =-5.5A。峰值脉冲电流：ICM =-15A。低饱和电压：VCE(sat) <-70mV @-1A。低等效导通电阻：RSAT = 39mΩ。高增益保持：hFE 指定至-10A。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器

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￥3.84
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￥3.09
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￥2.78
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￥2.38
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￥2.2

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型号：AL8843QSP-13 编号：C510553

封装：SOIC-8-EP

品牌：DIODES(美台)

是一种迟滞模式的DC-DC降压转换器，用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联的LED。该器件可在4.5V至40V的输入电源下工作，并提供高达3A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件，该转换器可提供高达60W的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流检测电路，使用外部电阻设置标称平均输出电流

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￥2.33
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￥2.1
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￥1.98

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型号：ZXTN2020FTA 编号：C460288

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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￥3.94
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￥3.26
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￥2.92
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￥2.59
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￥2.39
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￥2.29

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型号：AP63356DV-7 编号：C2157973

封装：VDFN3020-13

品牌：DIODES(美台)

AP63356/AP63357 是一款 3.5A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 3.8V 至 32V。该器件完全集成了一个 74mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 40mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP63356/AP63357 器件最大程度减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

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￥4.14
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￥3.49
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￥3.17
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￥2.85
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￥2.65
1000+
￥2.55

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型号：ZX5T851GTA 编号：C460271

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat)<-60mV @-1A。 RSAT = 35mΩ 低等效导通电阻。 nFE 指定至 10A 高增益保持。应用：应急照明电路。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器

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￥4.22
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￥3.44
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￥3.05
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￥2.67
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