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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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特性:BVceo >40V。 Ic = 200mA 高集电极电流。 一对本质匹配的 NPN 晶体管。 电流增益(hFE)匹配度为 2%。 基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。 在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用:电流镜。 差分和仪表放大器
数据手册
  • 5+

    ¥1.3436
  • 50+

    ¥1.0901
  • 150+

    ¥0.9814
  • 500+

    ¥0.8458
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:电机控制、变压器驱动开关、直流 - 直流转换器、电源管理功能、不间断电源。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3818
    • 50+

      ¥1.1013
    • 150+

      ¥0.9811
    • 500+

      ¥0.8311
    • 2500+

      ¥0.7644
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降,高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下,文件编号E525394。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3831
    • 50+

      ¥1.1397
    • 150+

      ¥1.0354
    • 1500+

      ¥0.9052
  • 有货
  • 特性:225W 峰值脉冲功率耗散(10μs x 1000μs 波形)。 5.0V 至 220V 关态电压。 出色的钳位能力。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的产品可供选择
    数据手册
    • 5+

      ¥1.392
    • 50+

      ¥1.1082
    • 150+

      ¥0.9865
    • 500+

      ¥0.8347
    • 3000+

      ¥0.7672
  • 有货
  • 适合保护敏感的汽车电路,以防ISO7637-2中定义的浪涌,并根据ISO10605防止静电放电。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4373
    • 50+

      ¥1.1347
    • 150+

      ¥1.005
    • 500+

      ¥0.8432
    • 2500+

      ¥0.7712
  • 有货
  • 适用于保护敏感的汽车电路,使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响,并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.463
    • 50+

      ¥1.1693
    • 150+

      ¥1.0435
    • 500+

      ¥0.8864
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 60V。 高连续集电极电流:IC = 3A。 峰值脉冲电流:ICM 高达 6A。 功耗:2W。 低饱和电压:VCE(sat) < 300mV @ 1A。 互补 PNP 类型。应用:负载管理功能。 电机控制
    数据手册
    • 5+

      ¥1.474
    • 50+

      ¥1.1745
    • 150+

      ¥1.0461
    • 500+

      ¥0.8859
  • 有货
  • P沟道,-30V,-3A,77mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4923
    • 50+

      ¥1.1821
    • 150+

      ¥1.0492
    • 500+

      ¥0.8834
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,效率高。 浪涌过载额定值达50A峰值。 适合自动化组装。 无铅涂层,符合RoHS标准。 绿色模塑料(无卤素和锑)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5497
    • 50+

      ¥1.264
    • 150+

      ¥1.1415
    • 500+

      ¥0.9887
    • 3000+

      ¥0.9206
  • 有货
  • 这种紧凑的SOD323封装肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合,包括大电流工作、极低的泄漏电流和低正向电压,确保适用于需要在较高温度(高于 +85°C)下高效运行的应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5686
    • 50+

      ¥1.2693
    • 150+

      ¥1.141
    • 500+

      ¥0.981
  • 有货
  • B2100AF是一款2A、100V的单整流器,采用薄型SMAF封装。该器件正向压降(VF)低,且在高温下具有出色的反向漏电流稳定性,非常适合用于一般整流应用,如:升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6062
    • 50+

      ¥1.3228
    • 150+

      ¥1.2013
    • 500+

      ¥1.0497
    • 2500+

      ¥0.9823
    • 5000+

      ¥0.9418
  • 有货
  • 74AHCT595是一款先进的高速CMOS器件,其引脚与74LS低功耗肖特基类型器件兼容。一个8位移位寄存器在移位寄存器时钟(STCP)的每个正跳变沿从串行输入(DS)接收数据。当复位功能(MR(上划线))置为低电平时,会将所有移位寄存器的值置为零,且该操作与所有时钟无关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6709
    • 50+

      ¥1.3624
    • 150+

      ¥1.2302
    • 500+

      ¥1.0653
  • 有货
  • 适用于保护敏感的汽车电路,使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响,并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6884
    • 50+

      ¥1.3633
    • 150+

      ¥1.224
    • 500+

      ¥1.0501
  • 有货
  • 是高性能、高功率因数、高效率和高电流的精密降压-升压和反激式可调光LED控制器/驱动器,适用于可控硅调光LED灯应用。该拓扑结构可在较宽的线路和负载调节范围内提供精确的输出电流。宽开关频率工作在边界传导模式(BCM),以简化EMI/EMC设计和测试,满足最新的监管标准。控制器搭配外部MOSFET可支持高达25W的更高输出功率应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7581
    • 50+

      ¥1.4053
    • 150+

      ¥1.2541
    • 500+

      ¥1.0655
    • 2500+

      ¥0.9815
  • 有货
  • 特性:BVDSS > 60V。 RDS(on) ≤ 2.5Ω @ VGS = 10V。 最大连续漏极电流 ID = 200mA。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7657
    • 50+

      ¥1.476
    • 150+

      ¥1.3518
    • 500+

      ¥1.1969
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗,高效率。 浪涌过载额定值达100A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层,符合RoHS标准。 绿色模塑化合物(无卤素和锑)
    数据手册
    • 1+

      ¥1.84
    • 10+

      ¥1.62
    • 30+

      ¥1.52
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 高连续电流:IC = 2A。 峰值脉冲电流:ICM = 6A。 低饱和电压:VCE(SAT) < 300mV @ 1A。 互补PNP类型。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8574
    • 50+

      ¥1.445
    • 150+

      ¥1.2683
    • 1000+

      ¥1.0245
  • 有货
  • 特性:降低超低正向压降(VF),提高效率,运行更凉爽。 降低高温反向泄漏,提高高温运行时对热失控故障的可靠性。 采用专利沟槽超级势垒整流器(SBR)技术,封装高度小于1.4mm,适用于薄型应用。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,为“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    • 5+

      ¥1.8604
    • 50+

      ¥1.5166
    • 150+

      ¥1.3693
    • 500+

      ¥1.1855
  • 有货
  • 是一款具有高输出电压精度的低压差稳压器,包括电压基准、误差放大器、限流电路和一个用于开启/关闭的使能输入。通过集成电阻网络,可以提供固定输出电压版本。凭借其超低静态电流,适用于低功耗手持设备、可穿戴设备以及其他需要延长电池更换时间的电池供电设备。有SOT23、SOT25和X2-DFN1010-4(B型)封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8956
    • 50+

      ¥1.5048
    • 150+

      ¥1.3374
    • 500+

      ¥1.1284
    • 3000+

      ¥1.0354
  • 有货
  • VBR=64.4V VC=93.6V IPP=16A 双向
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9602
    • 50+

      ¥1.6009
    • 150+

      ¥1.4469
    • 500+

      ¥1.2548
  • 有货
  • 特性:NPN + PNP组合。 BVCEO > 20 (-20)V。 BVEBO > 7 (-7)。 连续集电极电流 IC = 4 (-3.5)A。 VCE(sat) < 50 (-65)mV @ 1A。 RCE(sat) = 35 (54)mΩ。应用:MOSFET和IGBT栅极驱动。 电机驱动
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9713
    • 50+

      ¥1.5719
    • 150+

      ¥1.4007
    • 500+

      ¥1.1872
    • 3000+

      ¥1.0921
    • 6000+

      ¥1.035
  • 有货
  • 是一款正电压调节器IC,具有宽输入电压范围、高精度、低压差、限流和超低静态电流等特性,适用于各种USB和便携式设备及仪器应用。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.8V、3.0V、3.3V、3.6V、4.15V、4.4V和5.0V固定输出电压版本。采用节省空间的SOT25和SOT89(选项2)封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.034
    • 50+

      ¥1.5787
    • 150+

      ¥1.3836
    • 500+

      ¥1.1401
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 额定电压达800V PRV。 适用于印刷电路板。 采用模制塑料,结构可靠。 UL认证编号E94661。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,是“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0494
    • 50+

      ¥1.6324
    • 140+

      ¥1.4537
    • 490+

      ¥1.2308
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0737
    • 50+

      ¥1.675
    • 150+

      ¥1.5041
    • 500+

      ¥1.291
  • 有货
  • 该双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0857
    • 50+

      ¥1.6808
    • 150+

      ¥1.5073
    • 500+

      ¥1.2909
  • 有货
  • 该肖特基势垒阵列设计用于多种配置,具有低泄漏性能。这通过仅需一个组件降低了组件放置成本。设计满足 AEC-Q101 要求。配置非常适合用作:极性保护二极管。两条数据线的轨到轨数据线保护。多路复用电路。高效、低电流桥式整流电路。续流二极管。开关二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥2.09
    • 10+

      ¥1.87
    • 30+

      ¥1.78
    • 100+

      ¥1.66
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降,高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 专为表面贴装应用设计。 UL列于认可元件索引中,文件编号E525394。 无铅涂层;符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2362
    • 50+

      ¥1.8075
    • 150+

      ¥1.6238
  • 有货
  • 特性:极低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导率。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。应用:DC-DC 转换器。 移动通讯
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2966
    • 50+

      ¥1.8289
    • 150+

      ¥1.6284
    • 500+

      ¥1.3783
  • 有货
  • AL6562A 是一种电流模式功率因数校正控制器,设计用于过渡模式下工作。凭借其优异的线性性能乘法器,确保设备在宽输入电压范围内具有优异的总谐波失真(THD)。输出电压通过误差放大器和精确的1%内部电压参考(Tj = +25°C)进行控制。AL6562A 设计符合严格的节能标准,具有低启动电流,并且在进入待机模式时可以低电流消耗运行。过压保护电路增加了系统的鲁棒性,使设备能够承受启动和负载断开时产生的瞬态。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.342
    • 50+

      ¥1.9461
    • 150+

      ¥1.7765
    • 500+

      ¥1.5648
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 80V。 连续集电极电流 IC = 1.5A。 低等效导通电阻 RCE(SAT) = 90mΩ。 功耗 625mW。 hFE 高达 5A 时仍有高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用:DC-DC 模块。 电源管理功能
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3496
    • 50+

      ¥1.9265
    • 150+

      ¥1.7451
    • 500+

      ¥1.5189
  • 有货
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