DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DFLS130-7 编号：C150474

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗、高效率。高浪涌能力。高电流能力和低正向压降。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，可靠性高

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5+
￥1.2999
50+
￥1.0271
150+
￥0.9102
500+
￥0.7643

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型号：DRTR5V0U4S-7 编号：C460056

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电±15kV，接触放电±8kV。 4通道ESD保护。典型通道输入电容低至1.0pF。常用于高速端口，如USB 2.0、IEEE1394、串行ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥1.3024
50+
￥1.0096
150+
￥0.8841
500+
￥0.7275
3000+
￥0.6578

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型号：ZXM61N03FTA 编号：C155249

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代高密度MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合高效、低电压的电源管理应用。

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5+
￥1.3148
50+
￥1.057
150+
￥0.9465
500+
￥0.8087
3000+
￥0.7473

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型号：ZXTN26070CV-7 编号：C460144

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 70V。 IC = 2.0A 连续电流。 ICM = 5A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VLow(sat) < 30mV @ 100mA。 Rsat = 130mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥1.375 ￥2.75
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￥0.984 ￥2.46
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￥0.696 ￥2.32
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￥0.651 ￥2.17
500+
￥0.627 ￥2.09
1000+
￥0.612 ￥2.04

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型号：B2100AF-13 编号：C134440

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

B2100AF是一款2A、100V的单整流器，采用薄型SMAF封装。该器件正向压降（VF）低，且在高温下具有出色的反向漏电流稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。

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5+
￥1.3829
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￥1.0805
150+
￥0.9509
500+
￥0.7892
2500+
￥0.7172
5000+
￥0.674

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型号：2DA1971-7 编号：C531173

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用：高压开关

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￥1.4995
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￥1.1904
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￥1.0579
1000+
￥0.8927
2000+
￥0.8191

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型号：AP7331-18WG-7 编号：C155293

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该器件包含传输元件、误差放大器、带隙、限流和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于低功耗应用，例如电池供电设备。典型静态电流约为65μA。内置限流和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。提供SOT25和DFN2020-6封装。

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5+
￥1.5466
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￥1.2387
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￥1.1067
500+
￥0.9421

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型号：DXT696BK-13 编号：C3001630

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 180V。连续集电极电流高，Ic = 0.5A。脉冲峰值电流，IcM = 1A。高增益器件，在 Ic = 100mA 时 > 500。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。应用：电压调节晶体管。启动开关

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￥1.672 ￥2.09
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￥1.288 ￥1.84
30+
￥1.044 ￥1.74
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￥0.966 ￥1.61
500+
￥0.93 ￥1.55
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￥0.906 ￥1.51

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型号：ES3B-13-F 编号：C780848

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达 100A 峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件

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5+
￥1.7169
50+
￥1.363
150+
￥1.2113
500+
￥1.0221

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型号：DMTH4007LPSQ-13 编号：C3289394

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、直流-直流转换器、负载开关。

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￥1.76
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￥1.45
30+
￥1.29
100+
￥1.14
500+
￥1.04
1000+
￥0.99

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型号：SMCJ28A-13-F 编号：C135158

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=31.1V VC=45.4V IPP=33A 单向

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5+
￥1.7994
50+
￥1.393
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￥1.2188
500+
￥1.0015

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型号：DMP4051LK3-13 编号：C397952

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥1.8099
50+
￥1.4634
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￥1.3148
500+
￥1.1296

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型号：ZXTR2105FQ-7 编号：C211385

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXTR2105FQ 单片集成了一个晶体管、一个齐纳二极管和一个电阻，可作为线性稳压器使用。该器件在 15mA 电流下可提供 5V 的标称输出电压。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计

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5+
￥1.8144
50+
￥1.4046
150+
￥1.229
500+
￥1.0099
3000+
￥0.9123

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型号：DFLS230-7 编号：C110495

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥1.849848 ￥2.0328
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￥1.330749 ￥1.6429
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￥1.047818 ￥1.4758
500+
￥0.899783 ￥1.2673
3000+
￥0.833895 ￥1.1745
6000+
￥0.794348 ￥1.1188

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型号：SMCJ24CA-13-F 编号：C135155

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=26.7V VC=38.9V IPP=38.6A 双向

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5+
￥1.9484
50+
￥1.5658
150+
￥1.4018
500+
￥1.1972
3000+
￥1.1061

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型号：SMCJ15A-13-F 编号：C135138

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=16.7V VC=24.4V IPP=61.5A 单向

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5+
￥2.0353
50+
￥1.6507
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￥1.4858
500+
￥1.2801

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型号：SDM160S1FQ-7 编号：C460957

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

SDM160S1FQ是一款采用SOD123F封装的单整流器。该器件具有低正向压降（VF）、低功耗和高效率的特点，非常适合用于一般整流应用，可作为：升压二极管、阻塞二极管。

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5+
￥2.0473
50+
￥1.6335
150+
￥1.4562
500+
￥1.2349

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型号：DMN30H4D0L-13 编号：C5711702

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

5+
￥2.077
50+
￥1.6486
150+
￥1.465
500+
￥1.2359
2500+
￥1.1339

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型号：ZXM62P03E6TA 编号：C461130

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合用于高效电源管理应用。

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1+
￥2.1755 ￥2.29
10+
￥1.7425 ￥2.05
30+
￥1.455 ￥1.94
100+
￥1.3575 ￥1.81
500+
￥1.275 ￥1.7
1000+
￥1.245 ￥1.66

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型号：SMCJ26A-13-F 编号：C135156

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=28.9V VC=42.1V IPP=35.6A 单向

数据手册

5+
￥2.3353
50+
￥1.8314
150+
￥1.6154
500+
￥1.3459

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型号：DMT31M6LPS-13 编号：C526582

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥2.4485 ￥4.15
10+
￥1.8522 ￥3.78
30+
￥1.404 ￥3.6
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￥1.3338 ￥3.42
500+
￥1.2909 ￥3.31
1000+
￥1.2675 ￥3.25

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型号：PI3B3257LEX 编号：C2674819

封装：TSSOP-16

品牌：DIODES(美台)

是 3.3 伏、四路 2:1 复用器/解复用器，具有三态输出，引脚和功能与 PI74FCT257T、74F257 和 74ALS/AS/LS257 兼容。输入可以通过低导通电阻 (5Ω) 连接到输出，且无额外的接地反弹噪声或传播延迟。

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1+
￥2.45
10+
￥2.15
30+
￥1.99
100+
￥1.84
500+
￥1.75
1000+
￥1.7

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型号：AH3322-SA-7 编号：C25822655

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

用于消费家电、个人护理应用中的接近、位置和液位感应。设计经过优化，可在3.0V至28V的电源范围内工作。采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，在整个工作范围内提供可靠解决方案。器件在电源上有一个带齐纳钳位的反向阻断二极管，输出有过流限制和齐纳钳位

1+
￥2.46
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￥1.95
30+
￥1.73
100+
￥1.45
500+
￥1.33
1000+
￥1.26

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型号：ZXMN6A07ZTA 编号：C151606

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

N沟道,60V,1.9A,250mΩ@10V

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1+
￥2.51
10+
￥1.94
30+
￥1.7
100+
￥1.4
500+
￥1.26
1000+
￥1.18

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型号：ZHCS400QTA 编号：C460116

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款采用SOD323封装的紧凑型肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合，包括大电流工作、极低漏电流和低正向电压，确保其适用于需要在较高温度（高于+85°C）下高效运行的应用。该器件已通过AEC - Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持。

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5+
￥2.5147
50+
￥2.0938
150+
￥1.9135
500+
￥1.6884

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型号：AL5809-30P1-7 编号：C154738

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

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