DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：74LVC2G32HD4-7 编号：C526352

封装：DFN-8(1x2)

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G32 是一款双路二输入或门。两个门电路均采用推挽输出，设计工作电源范围为 1.65V 至 5V。

数据手册

5+
￥0.9618
50+
￥0.7484
150+
￥0.6569
500+
￥0.5428
2500+
￥0.4793

有货

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型号：B290-13-F 编号：C134446

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环芯片结构。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达60A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：引脚处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9669
50+
￥0.7941
150+
￥0.7078
500+
￥0.643
3000+
￥0.5814

有货

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型号：S3M-13-F 编号：C460944

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9726
50+
￥0.7685
150+
￥0.681
500+
￥0.5719

有货

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型号：74LVC1G14FZ4-7 编号：C526341

封装：X2-DFN1410-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。

数据手册

5+
￥0.9746
50+
￥0.8587
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￥0.8091
500+
￥0.7471
2500+
￥0.7195

有货

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型号：HDS10M-13 编号：C2987006

封装：SMD-4P

品牌：DIODES(美台)

适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。

数据手册

5+
￥0.9929
50+
￥0.8065
150+
￥0.7133
500+
￥0.6434

有货

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型号：MMDT2227Q-7-F 编号：C460103

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个2222A型（NPN）和一个2907A型（PNP）。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用。通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，在IATF16949认证工厂生产

数据手册

5+
￥0.9934
50+
￥0.7878
150+
￥0.6997
500+
￥0.5898
3000+
￥0.5368

有货

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型号：MMBD4448HSDW-7-F 编号：C211392

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：5mA时最大0.72V。低反向电流：70V时最大100nA。快速反向恢复：最大4ns。低电容：最大3.5pF。小表面贴装封装。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

数据手册

5+
￥0.999
50+
￥0.8025
150+
￥0.7042
500+
￥0.6305
3000+
￥0.5715

有货

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型号：AH1912-W-7 编号：C2152988

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH1912是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1912非常适合用于电池供电的消费产品、燃气或水表、烟雾探测器和物联网设备。更宽的供电电压范围（1.6V至5.5V）可延长电池工作时间，并支持低电压系统微控制器，为系统设计提供了极大的灵活性

数据手册

5+
￥1.0087
50+
￥0.8071
150+
￥0.7207
500+
￥0.6129
3000+
￥0.5609

有货

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型号：2DB1182Q-13 编号：C176911

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电压。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.018065 ￥1.5195
50+
￥0.7638 ￥1.34
150+
￥0.593657 ￥1.2631
500+
￥0.548584 ￥1.1672
2500+
￥0.528515 ￥1.1245
5000+
￥0.516436 ￥1.0988

有货

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型号：74LV08AT14-13 编号：C842475

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

74LV08A提供四个独立的2输入与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围

5+
￥1.03664 ￥1.0912
50+
￥0.81719 ￥0.9614
150+
￥0.67935 ￥0.9058
500+
￥0.6273 ￥0.8364
2500+
￥0.604125 ￥0.8055
5000+
￥0.59025 ￥0.787

有货

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型号：DMP3085LSD-13 编号：C155216

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.0449
50+
￥0.8311
150+
￥0.7395
500+
￥0.6252
2500+
￥0.5743

有货

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型号：74LVC08AT14-13 编号：C460511

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

74LVC08A提供四个独立的2输入与门。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围

数据手册

5+
￥1.049
50+
￥0.8586
150+
￥0.7634
500+
￥0.692

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型号：D4V5H1U2LP1610-7 编号：C5157834

封装：UDFN1610-2

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合，使其非常适合保护单条线路免受高浪涌电流和其他瞬态影响。这些坚固的二极管可以安全地吸收 ±30kV 的重复 ESD 冲击，而不会降低性能。此外，它可以在极低的钳位电压下安全地消散 90A 的 8/20μs 浪涌电流（IEC 61000-4-5）。

数据手册

5+
￥1.0577
50+
￥0.8499
150+
￥0.7608
500+
￥0.6497
2500+
￥0.5755

有货

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型号：AZ1117IH-5.0TRG1 编号：C108496

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压进行了优化。该器件提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在±1%以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用可能导致的结温过高。有1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻。也有一个可调版本，可以用两个外部电阻设置输出电压。有行业标准的SOT223和TO252-2封装。

数据手册

5+
￥1.0677
50+
￥0.8349
150+
￥0.7351
500+
￥0.6107
2500+
￥0.5552
4000+
￥0.522

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型号：FMMT491ATA 编号：C110504

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 Icm = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A，以保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

数据手册

5+
￥1.1071
50+
￥0.8724
150+
￥0.7551
500+
￥0.6671

有货

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型号：APX811-40UG-7 编号：C155533

封装：SOT-143

品牌：DIODES(美台)

APX811/812用于微处理器监控电路，以监测电源。这些电路执行单一功能：只要Vcc电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在Vcc升至复位阈值以上后，至少保持240ms的复位状态。提供适用于各种电源电压工作的复位阈值

数据手册

5+
￥1.11304 ￥1.3913
50+
￥0.85729 ￥1.2247
150+
￥0.69198 ￥1.1533
500+
￥0.63852 ￥1.0642
3000+
￥0.61476 ￥1.0246
6000+
￥0.60048 ￥1.0008

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型号：ZXTN619MATA 编号：C460147

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 68mΩ，低等效导通电阻。 HFE 规定至 6A，高电流增益保持。低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.1137
2500+
￥0.8798

有货

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型号：DFLZ12-7 编号：C700437

封装：PowerDI123

品牌：DIODES(美台)

特性：1W功率耗散（FR-4 PCB）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥1.1493
50+
￥0.93
150+
￥0.836
500+
￥0.7188

有货

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型号：APX803S-23SA-7 编号：C2067713

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX803S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与5.0V、3.3V、3.0V和2.5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，实现了出色的电路可靠性和低成本。这些电路执行单一功能：在上电时以及每当VCC电源电压降至预设阈值以下时，它们会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后的一段固定时间内保持该信号

数据手册

5+
￥1.1513
50+
￥0.9297
150+
￥0.8348
500+
￥0.7163

有货

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型号：FMMT38CTA 编号：C13966

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

NPN,Vceo=60V,Ic=300mA

数据手册

5+
￥1.1523
50+
￥0.9294
150+
￥0.8339
500+
￥0.7146

有货

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型号：SMBJ12A-13-F 编号：C135038

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=13.3V VC=19.9V IPP=30.2A 单向

数据手册

5+
￥1.1697
50+
￥0.9315
150+
￥0.8294
500+
￥0.702

有货

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型号：B240AQ-13-F 编号：C134441

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥1.1878
50+
￥0.9474
150+
￥0.8444
500+
￥0.7158
2500+
￥0.6586
5000+
￥0.6243

有货

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型号：74LVC14AS14-13 编号：C176927

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

74LVC14A提供六个独立的施密特触发反相缓冲器。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围。输入可承受5.5V电压，允许该器件在混合电压环境中使用

数据手册

5+
￥1.2023
50+
￥0.9903
150+
￥0.8994
500+
￥0.786

有货

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型号：DMMT5551-7-F 编号：C445514

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于低功率放大和开关。本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.2028
50+
￥0.9504
150+
￥0.8422
500+
￥0.7073

有货

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型号：B320-13-F 编号：C134448

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥1.2109
50+
￥0.9823
150+
￥0.8843
500+
￥0.762

有货

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型号：DMC2053UVT-7 编号：C397937

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.2564
50+
￥1.0098
150+
￥0.9041
500+
￥0.7723
3000+
￥0.7136

有货

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型号：SMBJ150A-13-F 编号：C92317

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：600W 峰值脉冲功率耗散。 5.0V 至 200V 关态电压。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.267
50+
￥1.0053
150+
￥0.8932
500+
￥0.7532
3000+
￥0.6909

有货

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型号：1N5408G-T 编号：C526212

封装：DO-201AD

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达125A峰值。无铅表面处理；符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.2761
50+
￥1.0083
150+
￥0.8935
1200+
￥0.7503

有货

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型号：SMBJ16CAQ-13-F 编号：C1974058

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

适用于保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO7637 - 2 中规定的浪涌影响，并能根据 ISO10605 标准抵御静电放电。

数据手册

5+
￥1.3006
50+
￥1.1597
150+
￥1.0993
500+
￥1.024
3000+
￥0.9904

有货

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型号：AP2141WG-7 编号：C500761

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP2141和AP2151是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能。漏极开路标志输出端具备7ms的消抖能力，可防止误报过流，且无需任何外部元件。所有器件提供SO - 8、MSOP - 8EP、SOT25和UDFN2018 - 6封装。

数据手册

5+
￥1.3187
50+
￥1.0509
150+
￥0.9361
500+
￥0.7929
3000+
￥0.7291

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