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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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0.5A 双通道限流电源开关，带输出放电功能
型号：AP2152ASG-13 编号：C2149820
封装：SOP-8
品牌：DIODES(美台)
AP2142A 和 AP2152A 是双通道限流集成高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合 USB 标准，使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电
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  • 1+

    ￥4.31

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    ￥3.5

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    电压:200V 电流:10A
    型号：MBRD20200CT-13 编号：C155302
    封装：TO-252-3
    品牌：DIODES(美台)
    这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的严格要求。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.33

    • 10+

      ￥3.5

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    3.3V, 7通道模拟视频开关
    型号：PI3V713-AZLEX 编号：C2151022
    封装：TQFN-32-EP(3x6)
    品牌：DIODES(美台)
    专为切换VGA信号设计，具有7个通道用于VGA信号（R,G,B, Hsync, Vsync, DDC Data, 和 DDC CLK）。支持在笔记本和扩展坞之间切换视频端口。高带宽达1.7GHz，低串扰(-38dB)。
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
    型号：DMP3007SPS-13 编号：C397981
    封装：PowerDI5060-8
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.46

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    1个N沟道 耐压:250V 电流:230mA
    型号：ZVN4525E6TA 编号：C508256
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    这款250V增强型N沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格参数。它具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿现象。
    数据手册

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      ￥4.49

    • 10+

      ￥3.79

    • 30+

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      ￥2.62
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    20W单声道D类音频放大器
    型号：PAM8320RDR 编号：C2895159
    封装：SO-16-EP
    品牌：DIODES(美台)
    PAM8320是一款高效的20W单声道D类音频功率放大器，设计用于在桥接负载配置下驱动低至4Ω的扬声器。由于功耗低且效率高达95%，该器件在播放音乐时无需任何外部散热片。PAM8320具备短路保护、热关断、过压保护和欠压锁定功能。PAM8320采用SO - 16EP封装。

    • 1+

      ￥4.58

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      ￥3.44

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    NPN 120V 1A
    型号：ZTX605 编号：C443658
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：120 Volt VCEO。 1 Amp连续电流。 在Ic = 1 Amp时增益为2K。 Ptot = 1 Watt
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:5.9A
    型号：ZXMP10A18KTC 编号：C154723
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-100V,-3.8A,150mΩ@-10V
    数据手册

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      ￥4.97

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    NPN 电流:5A 电压:150V
    型号：FZT855TA 编号：C145106
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 150V。 高连续集电极电流：IC = 5A。 峰值脉冲电流：ICM = 10A。 极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。 低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。 高增益保持：hFE 规定至 10A。 互补 PNP 类型。 无铅涂层。 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，绿色器件
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      ￥5.2

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    PAM8904QJER
    型号：PAM8904QJER 编号：C531149
    封装：UQFN3030-16
    品牌：DIODES(美台)
    是一款压电发声器驱动器，可从3V电源驱动陶瓷/压电发声器或扬声器，输出18Vₚ₋ₚ。可编程电荷泵升压转换器使输出可在1倍、2倍和3倍模式下工作。升压转换器以1.0MHz的固定频率工作，使用最少的外部组件提供9V输出。独特的驱动技术确保最小输入电流、低EMI和高效率。为确保最大效率和电池寿命，具备自动待机功能，在无有效输入信号时使设备进入睡眠模式，也可强制关闭，仅在需要时启用IC。为保护IC和系统，具备过温关断、过流和短路保护功能。采用16引脚U-QFN3030-16（B型）封装，符合AEC-Q100 2级标准，支持PPAP。
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      ￥5.47

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    DisplayPort 1.3/1.4, HDMI 2.0 视频开关
    型号：PI3WVR13412ZHEX 编号：C2150846
    封装：TQFN-42(9x3.5)
    品牌：DIODES(美台)
    多标准视频开关，支持DisplayPort 1.3/1.4和HDMI 2.0，高速通道数据速率8.1 Gbps。
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      ￥6.9955 ￥8.23

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    降压型 3A 4.5V~40V
    型号：AP1501-K5G-13 编号：C9981
    封装：TO-263-5
    品牌：DIODES(美台)
    AP1501是一款完全集成的降压型DC/DC转换器，无需额外的驱动元件，即可驱动3A负载。AP1501的开关频率为150kHz，可使用小尺寸滤波元件。因此，它可减少电路板空间并降低物料清单成本
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      ￥7.3

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    输出1A 降压型驱动
    型号：ZXLD1360ET5TA 编号：C131112
    封装：TSOT-23-5
    品牌：DIODES(美台)
    是一款连续模式电感降压转换器，集成开关和高端电流检测功能。可在7V至30V的输入电源下工作，能高效驱动单个或多个串联LED，外部可调输出电流高达1mA。已通过AEC-Q100 1级认证，可在-40℃至125℃的环境温度下工作。输出电流可通过向ADJ引脚施加直流电压或PWM波形进行调节，使用PWM控制时输出电流可实现100:1的调节。向ADJ引脚施加0.2V或更低电压可关闭输出，并使设备进入低电流待机状态。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.35

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    耐压:8.2V 电流:0.7uA@1.0V
    型号：BZT52C8V2-13-F 编号：C3001623
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.123041 ￥0.3001

    • 100+

      ￥0.082398 ￥0.2658

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      ￥0.052227 ￥0.2487

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      ￥0.049518 ￥0.2358

    • 5000+

      ￥0.047355 ￥0.2255

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      ￥0.046284 ￥0.2204
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:180mA
    型号：DMP510DL-7 编号：C397953
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
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    • 10+

      ￥0.1569

    • 5000+

      ￥0.1344
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    PNP 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC856B-13-F 编号：C5126684
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常适合自动插入。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性
    数据手册

    • 10+

      ￥0.17719 ￥0.2726

    • 100+

      ￥0.141765 ￥0.2181

    • 300+

      ￥0.124085 ￥0.1909

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      ￥0.110825 ￥0.1705

    • 5000+

      ￥0.100165 ￥0.1541

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      ￥0.0949 ￥0.146
  • 有货
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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847B-7-F 编号：C459862
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和AP放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，是“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1906

    • 200+

      ￥0.1528

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      ￥0.1318

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      ￥0.1189
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    电压:40V 电流:250mA
    型号：SDM20U40-7 编号：C139439
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 可忽略的反向恢复时间。 低反向电容。 超小型表面贴装封装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 该产品符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1944

    • 200+

      ￥0.1554

    • 600+

      ￥0.1338

    • 3000+

      ￥0.112
  • 有货
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    1对共阴极 耐压:6.2V
    型号：DZ23C6V2-7-F 编号：C5244892
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

    • 10+

      ￥0.194688 ￥0.4056

    • 100+

      ￥0.154176 ￥0.3212

    • 300+

      ￥0.13392 ￥0.279

    • 3000+

      ￥0.118704 ￥0.2473

    • 6000+

      ￥0.10656 ￥0.222

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      ￥0.100512 ￥0.2094
  • 有货
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    独立式 耐压:6.2V 电流:3uA@1.0V
    型号：BZT52C6V2-7-F 编号：C397931
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2071

    • 200+

      ￥0.162

    • 600+

      ￥0.137

    • 3000+

      ￥0.122
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    100V 200mA
    型号：BAV99HDWQ-13 编号：C3009960
    封装：SOT-363-6
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 高反向击穿电压。 低泄漏电流。 低电容。 一个封装中有两个“BAV99”电路。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备PPAP能力

    • 10+

      ￥0.21224 ￥0.3032

    • 100+

      ￥0.18802 ￥0.2686

    • 300+

      ￥0.17591 ￥0.2513

    • 1000+

      ￥0.16681 ￥0.2383

    • 5000+

      ￥0.15953 ￥0.2279

    • 10000+

      ￥0.15589 ￥0.2227
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    130V 215mA
    型号：BAV116W-7-F 编号：C250440
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：表面贴装封装，非常适合自动插入。 极低的泄漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2235

    • 200+

      ￥0.1776

    • 600+

      ￥0.1521

    • 3000+

      ￥0.1218
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:820mA
    型号：DMG1013UW-7 编号：C211434
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    P 沟道,-20V,-820mA,1.5Ω@-1.8V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2394

    • 200+

      ￥0.1899

    • 600+

      ￥0.1624

    • 3000+

      ￥0.1459
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    NPN 50V 100mA
    型号：DDTC143TUA-7-F 编号：C5124977
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 内置偏置电阻，仅R1。 表面贴装封装，适合自动化组装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2447

    • 200+

      ￥0.1971

    • 600+

      ￥0.1707

    • 3000+

      ￥0.1495
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    独立式 耐压:4.7V 电流:2uA@2.0V
    型号：BZT52C4V7SQ-7-F 编号：C507915
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002W-7-F 编号：C139444
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
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    电压:80V 电流:500mA
    型号：MBR0580S1-7 编号：C177047
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    这款MBR0580S1是采用SOD123封装的单整流器。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。典型应用包括AC - DC和DC - DC转换器、电池反接保护、多电源电压“O形环”以及其他对性能和尺寸要求较高的应用
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    电压:40V 电流:200mA
    型号：BAS40-04-7-F 编号：C85101
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低正向压降和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，用于瞬态和静电放电保护，完全无铅镀层，符合RoHS标准，是“绿色”器件。
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    三态输出，单缓冲门
    型号：74LVC1G125SE-7 编号：C151022
    封装：SOT-353
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G125 是一款单通道、非反相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能 OE(overline) 引脚施加高电平时，输出进入高阻抗状态
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    N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：2N7002KQ-7 编号：C111971
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制。
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