DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMP2120U-7 编号：C560272

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（$R_{DS(ON)}$）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5639
50+
￥0.455
150+
￥0.4006
500+
￥0.3598
3000+
￥0.3261

有货

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型号：DMP2004VK-7 编号：C145114

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5666
50+
￥0.4502
150+
￥0.392
500+
￥0.3484
3000+
￥0.3134

有货

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型号：AS324MTR-E1 编号：C110472

封装：SOIC-14

品牌：DIODES(美台)

AS324/324A 由四个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成。它们专为单电源供电而设计，也可采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路

数据手册

5+
￥0.575739 ￥1.1289
50+
￥0.36736 ￥0.896
150+
￥0.246822 ￥0.7962
500+
￥0.208196 ￥0.6716
2500+
￥0.191022 ￥0.6162
4000+
￥0.180699 ￥0.5829

有货

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型号：AP2331W-7 编号：C460346

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AP2331是一款单通道限流集成高端功率开关，专为热插拔应用而优化。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并为承受重容性负载和可能发生短路的应用提供全面的保护解决方案。它具备反向电流阻断、过流、过温和短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能

数据手册

5+
￥0.5924
50+
￥0.4674
150+
￥0.405
500+
￥0.3581
3000+
￥0.3129
6000+
￥0.2941

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型号：BAS40W-05-7-F 编号：C134372

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

1对共阴极

数据手册

5+
￥0.6053
50+
￥0.5086
150+
￥0.4603
500+
￥0.4241
3000+
￥0.3951

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型号：BZT52C4V3LP-7 编号：C5248673

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥0.6078
50+
￥0.4893
150+
￥0.4301
500+
￥0.3857

有货

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型号：D5V0F2U3LP08-7B 编号：C2960356

封装：X-FDFN-3

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和 MP3 播放器。

数据手册

5+
￥0.6083
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￥0.5547
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￥0.528
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￥0.5079
2500+
￥0.4918
5000+
￥0.4838

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型号：DMP2045UQ-13 编号：C5359507

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6134
50+
￥0.5215
150+
￥0.4822
500+
￥0.433
2500+
￥0.4112
5000+
￥0.398

有货

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型号：DESD5V2S2UT-7 编号：C460593

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：260瓦峰值脉冲功率 (tp = 8x20μs)。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电30kV，接触放电30kV。 MIL-STD 883(ESD)，人体模型(HBM) 10kV。低反向漏电流，IR < 1μA。单向配置。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.6164
50+
￥0.4898
150+
￥0.4264
500+
￥0.3789
3000+
￥0.3409

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型号：D5V0F1U2LP-7B 编号：C445029

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±20kV，接触放电 ±15kV。 1通道ESD保护。典型通道输入电容低至0.5pF。低外形封装（最大0.53mm）和超小PCB占位面积（最大1.08 * 0.53mm），适用于紧凑型便携式电子产品。通常用于高速端口，如USB 2.0、IEEE1394、串行ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅且完全符合ReHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.6594
50+
￥0.5904
150+
￥0.5559
500+
￥0.53
2500+
￥0.5093

有货

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型号：SD103CW-13-F 编号：C5244993

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这些是采用SOD123封装的0.2A、20V/30V/40V肖特基整流器。

10+
￥0.6641
100+
￥0.5325
300+
￥0.4667
1000+
￥0.4174
5000+
￥0.378

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型号：B340AF-13 编号：C172880

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ B340AF是一款3A、40V的单整流器，DIODES™ B345AF是一款3A、45V的单整流器，它们均采用薄型SMAF封装。该器件具有低正向压降（VF），且在高温下具有出色的反向漏电流稳定性，非常适合用于一般整流应用，例如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。

数据手册

5+
￥0.703
50+
￥0.5566
150+
￥0.4834
500+
￥0.4285
2500+
￥0.3484

有货

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型号：SMAJ58CA-13-F 编号：C134998

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7089
50+
￥0.5633
150+
￥0.4904
500+
￥0.4358
2500+
￥0.3921

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型号：AS78L12RTR-G1 编号：C96176

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

适用于各种应用，包括本地、板载调节。具备内部限流、热关断保护和安全区补偿功能，几乎不受输出过载影响。若提供足够散热，可提供高达 100mA 的输出电流。有 TO-92（散装或弹药包装）、SOT-89 和 SOIC-8 封装。

数据手册

5+
￥0.7138
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￥0.5632
150+
￥0.4879
1000+
￥0.3849
2000+
￥0.3397
5000+
￥0.3171

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型号：1SMB5939B-13 编号：C5244674

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：3.0W。非常适合自动组装。标称齐纳电压范围：6.2V-200V。标准Vz公差：45%。人体模型静电放电等级：3级（>16kV）。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.7267
50+
￥0.7136
150+
￥0.7048
500+
￥0.696

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型号：SMAJ28A-13-F 编号：C134977

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7578
50+
￥0.6219
150+
￥0.554
500+
￥0.503
2500+
￥0.4623

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型号：74LVCE1G04W5-7 编号：C842483

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

74LVCE1G04是一款具有标准图腾柱输出的单反相器门电路。该器件设计用于电源电压范围为1.4V至5V的工作环境。

数据手册

5+
￥0.758694 ￥0.8158
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￥0.541658 ￥0.6526
150+
￥0.41683 ￥0.571
500+
￥0.372154 ￥0.5098
3000+
￥0.336384 ￥0.4608
6000+
￥0.318499 ￥0.4363

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型号：MMBD4448HCQW-7-F 编号：C460096

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：5mA时最大0.72V。低反向电流：70V时最大100nA。快速反向恢复：最大4ns。低电容：最大3.5pF。小表面贴装封装。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

数据手册

5+
￥0.7632
50+
￥0.6215
150+
￥0.5506
500+
￥0.4975
3000+
￥0.4474

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型号：SMAJ14A-13-F 编号：C134952

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7665
50+
￥0.626
150+
￥0.5558
500+
￥0.5031
2500+
￥0.4171

有货

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型号：74LVC1G08Z-7 编号：C842517

封装：SOT-553-5

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。

数据手册

5+
￥0.781014 ￥0.8398
50+
￥0.557594 ￥0.6718
150+
￥0.429094 ￥0.5878
500+
￥0.383104 ￥0.5248
2500+
￥0.346312 ￥0.4744
4000+
￥0.327916 ￥0.4492

有货

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型号：DFLS220L-7 编号：C211432

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。专利联锁夹设计，具有高浪涌电流能力。高电流能力和低正向压降。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.818
50+
￥0.6376
150+
￥0.5474
500+
￥0.4797
3000+
￥0.4256

有货

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型号：B3100-13-F 编号：C134447

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达100A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层，符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥0.8363
50+
￥0.6518
150+
￥0.5596
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￥0.4904
3000+
￥0.4351

有货

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型号：FMMT497TA 编号：C80781

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

-

数据手册

5+
￥0.8479
50+
￥0.6857
150+
￥0.6046
500+
￥0.5438

有货

立即购买

型号：SMAJ17A-13-F 编号：C134963

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8617
50+
￥0.6867
150+
￥0.5993
500+
￥0.5337
2500+
￥0.4812

有货

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型号：AP22818AKBWT-7 编号：C5157840

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

DIODES AP22816/17/18 是一款单通道、限流型集成高端电源开关，专为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合 USB 标准，使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间，可增强整个系统的稳健性，还集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

数据手册

5+
￥0.8994
50+
￥0.7314
150+
￥0.6474
500+
￥0.5844
3000+
￥0.513

有货

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型号：AS324AMTR-G1 编号：C2060350

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

AS324/324A 由四个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成。它们专为单电源供电而设计，也可采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路

数据手册

5+
￥0.918368 ￥1.0436
50+
￥0.652782 ￥0.8369
150+
￥0.508912 ￥0.7484
500+
￥0.433772 ￥0.6379
2500+
￥0.400316 ￥0.5887
4000+
￥0.380256 ￥0.5592

有货

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型号：AP7365-18WG-7 编号：C460402

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款600mA、可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该设备包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，设备开启。低压差和低静态电流特性使其适用于如电池供电设备等低功耗应用。典型静态电流约为35μA。内置电流限制和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。该设备具有0.8V至5.0V的可调输出，以及0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V和3.9V的固定输出版本。有SOT25、SOT89、SOT223和UDFN2020-6封装。

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