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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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描述
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电压:40V 电流:3A
型号：B340B-13-F 编号：C85099
封装：SMB(DO-214AA)
品牌：DIODES(美台)
特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗，高效率。 浪涌过载额定值达125A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
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    1对共阳极 耐压:6.8V
    型号：AZ23C6V8-7-F 编号：C5199762
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双齐纳二极管共阳极配置。 功率耗散额定值：300mW。 非常适合自动插入。 同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。 提供共阴极样式。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该器件符合JEDEC高可靠性标准
    数据手册

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    单通道限流电源开关
    型号：AP2151WG-7 编号：C110464
    封装：SOT-25-5
    品牌：DIODES(美台)
    AP2141和AP2151是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能
    数据手册

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    降压型 2A 4.2V~18V
    型号：AP62200TWU-7 编号：C2895288
    封装：TSOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    AP62200/AP62201/AP62200T是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为4.2V至18V。该器件完全集成了一个90mΩ的高端功率MOSFET和一个65mΩ的低端功率MOSFET，可提供高效的降压式DC - DC转换。由于采用恒定导通时间（COT）控制，AP62200/AP62201/AP62200T器件能够实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，同时将外部元件数量减至最少，使用起来十分便捷
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    双施密特触发器反相器
    型号：74AUP2G14DW-7 编号：C526337
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    高级超低功耗（AUP）CMOS 逻辑系列专为便携式应用的低功耗和延长电池续航而设计。74AUP2G14 由两个带标准推挽输出的施密特触发器反相器组成，设计可在 0.8V 至 3.6V 的电源电压范围内工作。该器件针对使用 IOFF 的部分掉电应用进行了全面规格定义
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    升压型 500mA 2.6V~16V
    型号：AP3012KTR-E1 编号：C460356
    封装：SOT-23-5
    品牌：DIODES(美台)
    AP3012是一款高功率、定频、基于电感的电流模式PWM升压转换器。该转换器工作在高频（1.5MHz），因此可以使用小型、薄型电感。AP3012内置过压保护（OVP），当输出电压超过29V的过压保护阈值时，器件将进入关断模式
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：DPBT8105-7 编号：C443634
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 适用于中功率放大和开关。 高集电极电流额定值。 有互补版本。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色器件”。 符合AEC-Q101高可靠性标准
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    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：BCP55TA 编号：C460002
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流和低Vce(sat)
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    耐压:39V 电流:100nA@27.3V
    型号：BZT52C39LP-7 编号：C5248667
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小无铅表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高

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    单向TVS 6V截止 峰值脉冲电流：38.8A
    型号：SMAJ6.0A-13-F 编号：C110522
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：D1213A-02WL-7 编号：C1973169
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气 ±15 kV，接触 ±8 kV。 2 通道 ESD 保护。 低通道输入电容。 通常用于高速端口，如 USB 2.0、IEEE1394、Serial ATA、DVI、HDMI、PCI。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    12V 100mA 36V
    型号：AS78L12RTR-G1 编号：C96176
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    适用于各种应用，包括本地、板载调节。具备内部限流、热关断保护和安全区补偿功能，几乎不受输出过载影响。若提供足够散热，可提供高达 100mA 的输出电流。有 TO-92（散装或弹药包装）、SOT-89 和 SOIC-8 封装。
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    P沟道 耐压:30V 电流:7.1A
    型号：DMP3056LSS-13 编号：C110502
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低导通电阻：45mΩ @ VGS = +10V；65mΩ @ VGS = +4.5V。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性
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    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：DXT5551-13 编号：C155212
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 160V。Ic = 600mA 高集电极电流。互补 PNP 型。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件
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    电压:30V 电流:30mA
    型号：SDM03U40Q-7 编号：C526763
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 适用于低逻辑电平应用。 低电容。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS DC-DC转换器。 续流二极管
    数据手册

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    耐压:5.6V 电流:1uA@2.0V
    型号：BZX84C5V6S-7-F 编号：C5248738
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-39V。 超小型表面贴装封装。 无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

    • 5+

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    单向TVS 45V截止 峰值脉冲电流：5.5A
    型号：SMAJ45A-13-F 编号：C134989
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7503

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      ￥0.4442
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    电压:20V 电流:2A
    型号：B220-13-F 编号：C110480
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达500A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接：端子处+260℃/10秒。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7543

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      ￥0.6096

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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：1A@8/20us
    型号：D1213A-04V-7 编号：C460589
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 4 通道 ESD 保护。 典型通道输入电容低至 0.85pF。 通常用于高速端口，如 USB 2.0、IEEE1394、串行 ATA、DVI、HDMI、PCI。 完全无铅，完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7603

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      ￥0.3787
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:2.2A
    型号：DMN3200U-7 编号：C461018
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低导通电阻：90mΩ @ VGS = 4.5V。110mΩ @ VGS = 2.5V。200mΩ @ VGS = 1.5V。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 ESD保护栅极。 快速开关速度。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 5+

      ￥0.768

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    1个P沟道 耐压:12V 电流:6.6A
    型号：DMP1245UFCL-7 编号：C332301
    封装：X1-DFN1616-6
    品牌：DIODES(美台)
    特性：典型离板高度为 0.5mm，非常适合薄型应用。 低 RDS(ON) 可最大限度地降低传导损耗。 PCB 占位面积为 2.56mm²。 3kV ESD 保护栅极，可防止人体静电放电。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保型器件。应用：电池断开开关。 用于电源管理功能的负载开关
    数据手册

    • 1+

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    独立式 耐压:12V 电流:1uA@9.1V
    型号：SMAZ12-13-F 编号：C110523
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.78

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      ￥0.6348

    • 150+

      ￥0.5622
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:450mA
    型号：DMC2990UDJQ-7 编号：C3033299
    封装：SOT-963
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：通用接口、开关电源管理功能、模拟开关、互补对增强型MOSFET。
    数据手册

    • 3840+

      ￥0.481712

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    耐压:6.8V 电流:0.5uA@5.0V
    型号：DDZX6V8C-7 编号：C3445957
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常尖锐的击穿特性。 在FR-4 PCB上的功耗为300mW。 齐纳电压（Vz）的公差非常小。 非常适合自动化组装过程。 极低的泄漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准。 有单独数据手册的汽车级兼容部件（DDZX5V1BQ）
    数据手册

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    恒压恒流控制器
    型号：AP4306AKTR-G1 编号：C500796
    封装：SOT-23-6
    品牌：DIODES(美台)
    AP4306是一款高度集成的解决方案，适用于恒压/恒流模式的开关电源（SMPS）应用。 AP4306包含一个1.21V电压基准源、一个用于电流检测电路的低电压基准源和两个运算放大器。1.21V电压基准源与一个运算放大器结合，构成了适用于适配器和电池充电器的理想电压控制器。低电压基准源与另一个运算放大器结合，构成了用于输出低端电流检测的理想电流限制器。 除了其电流控制环路的参考电压较低外，AP4306在功能和电气特性上与AP4305完全兼容。因此，与AP4305相比，AP4306在诸如低功率充电器等开关电源应用中可实现更高的功率效率。 AP4306采用SOT26封装。
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    NPN 电流:1.5A 电压:40V
    型号：ZXTN25040DFLTA 编号：C460142
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    采用先进的工艺能力实现高电流增益保持，非常适合需要高脉冲电流的应用。
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    1对共阳极 耐压:5.6V 电流:1uA
    型号：AZ23C5V6W-7-F 编号：C3001616
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
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    PNP 电流:1A 电压:60V
    型号：DSS5160V-7 编号：C526594
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 提供互补NPN类型。 低集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)。 表面贴装封装，适合自动组装。 超小型表面贴装封装。 无铅/RoHS合规。 “绿色设备”
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    独立式 耐压:20V 电流:500nA@15.2V
    型号：SMAZ20-13-F 编号：C442456
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    2个独立式 耐压:5.1V 电流:5uA@2.0V
    型号：MMBZ5231BS-7-F 编号：C5205170
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 超小型表面贴装封装中的双隔离齐纳二极管。 非常适合自动化组装工艺。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
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