射频开关_厂家_价格_品牌_库存

封装：QFN-20-EP(2.4x2.4)

是一款具有移动行业处理器接口 (MIPI) 的绝缘体上硅 (SOI) 单刀十掷 (SP10T) 天线开关，需要极低的插入损耗、高隔离度和高线性度性能。采用紧凑的 2.4mm x 2.4mm、20 引脚表面贴装四方扁平无引脚 (QFN) 封装。

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￥1.4473
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￥1.1449
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型号：BAP64LX,315 编号：C5196176

封装：SOD-882D

品牌：NXP(恩智浦)

平面 PIN 二极管,采用 SOD882D 无引脚超小型塑料贴片封装。

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型号：ASWD-S2-0002-T 编号：C47342120

封装：DFN-6(0.8x1.2)

品牌：ABRACON

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￥1.58

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型号：NJG1684ME2(TE1) 编号：C7498727

封装：EQFN12-E2_1.8X1.8mm

品牌：Nisshinbo

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￥2.27
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￥2.18

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型号：BGSA14M3N10E6327XTSA1 编号：C24387454

封装：TSNP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥2.61
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￥2.56
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￥2.52

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型号：BGSX22G6U10E6327XTSA1 编号：C3302985

封装：ULGA-10

品牌：Infineon(英飞凌)

这是一个双刀双掷（DPDT）射频开关，通过GPIO接口进行控制。开关支持高达39dBm的峰值功率，具有低插入损耗和高端口隔离度，最高工作频率可达7.125GHz。快速切换速度使其适用于5G-SRS应用。

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￥3.09
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￥3.02
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￥2.98

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型号：BGSA149MN10E6327XTSA1 编号：C17502207

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

BGSA149MN10由4个低导通电阻/低关断电容串联开关和4个接地并联开关组成，支持按需开启反射或短路反射端口行为。这一特性有助于减少天线工程师在处理不希望的天线共振或提高天线效率时的调试时间。

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￥3.34
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￥3.27
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￥3.22

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型号：BGSA144ML10E6327XTSA1 编号：C17407957

封装：TSLP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

BGSA144ML10是一种单刀四掷(SP4T)天线调谐开关，专为高达7.125GHz的射频应用优化。

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￥4.64
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型号：BGSX22G5A10E6327 编号：C3304085

封装：UFQFN-10

品牌：Infineon(英飞凌)

专为 LTE 和 WCDMA 三天线应用而设计。此双刀双掷开关（DPDT）在射频端口之间提供低插入损耗和低谐波生成，并具有高隔离度。通过 GPIO 接口控制开关。片上控制器允许电源电压范围为 1.65V 至 3.4V。该开关具有直接连接电池功能和无直流的射频端口。与砷化镓技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流阻隔电容。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度，包括固有的更高 ESD 鲁棒性。尺寸非常小，仅为 1.1×1.5 mm²，最大厚度为 0.55 mm。

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￥4.75
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￥3.82
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￥3.35

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型号：BGSA149M2N10E6327XTSA1 编号：C22408517

封装：TSNP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥5.59
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￥5.47
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型号：BGSX33M5U16E6327XTSA1 编号：C3304768

封装：ULGA-16(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

BGSX33M5U16RFCMOS开关专为LTE和5GFR1三天线应用设计。此三极三掷（3P3T）交叉开关提供低插入损耗和低谐波生成。开关通过MIPIRFFE控制接口控制，允许从1.65到1.95V的电源电压。

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￥6.58
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￥6.41
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￥6.3

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型号：BGSA406MN10E6327XTSA1 编号：C47090722

封装：TSNP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥7.42
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￥7.26
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型号：BGS 16GA14 E6327 编号：C534212

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款单刀八掷 (SP8T) 分集开关模块，针对高达 3.8 GHz 的无线应用进行了优化。作为引脚和功能兼容的 SP3T-SP8T 产品系列的一部分，旨在满足芯片组参考设计的要求。采用微型 ATSLP 封装，包含一个带集成 GPIO 接口的高功率 CMOS SP8T 开关。是基于 LTE 和 WCDMA 的多模式手机的理想解决方案。开关通过 GPIO 接口控制，具有无直流的 RF 端口，与 GaAs 技术不同，仅在外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容。

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￥13.5
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￥11.58
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型号：F2970NCGK 编号：C1526250

封装：VQFN-20-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

F2970是一种高可靠性、低插入损耗、75Ω吸收型SP2T射频开关，设计用于多种电缆系统和其他射频应用。该器件覆盖从5MHz到3000MHz的宽频率范围，提供低插入损耗和高隔离性能，同时为未选端口提供75Ω终端。

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￥15.6
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￥15.2
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￥14.93

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型号：F2910NBGP 编号：C5116375

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥16.85
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￥16.46
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￥16.2

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型号：BGSA400ML10E6327XTSA1 编号：C3302431

封装：TSLP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款多功能的接地旁路4x单刀单掷（4xSPST）射频天线调谐开关。针对低C_OFF和低R_ON进行了优化，可支持高达7.125GHz的应用。适用于天线调谐应用，该芯片集成了片上CMOS逻辑和电源调节功能。其数字控制接口符合MIPI2.1 RFFE规范，每个开关掷可以单独编程，也可以在同一RFFE命令帧中一起编程。由于其4状态USID_SEL引脚的独特功能，最多可以使用同一RFFE总线控制4个相同的设备。

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￥18.67
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型号：VSW2-33-10W+ 编号：C7394051

封装：SMD-6P

品牌：Mini-Circuits

VSW2-33-10W+是一款高功率反射型SPDT射频开关，具有正控制电压，典型工作电流为20μA。它设计用于50-3000MHz的宽频带操作，适用于50Ω系统。

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￥29.43
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￥28.74
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￥28.28

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型号：PE42452A-Z 编号：C2151925

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42452是一种增强型HaRP技术的吸收式SP5T射频开关，适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有五个对称的吸收式射频端口，高隔离度和快速切换时间。

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￥36.77
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型号：MASW-011120-TR1000 编号：C3303773

封装：HQFN-20(5x5)

品牌：MACOM

MASW-011120是一款宽带、高功率、高线性度的PIN二极管收发开关，适用于0.03-6.0GHz的高功率应用。该设备采用行业标准的无铅5mmHQFN塑料封装。

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￥126.55
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￥120.44

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型号：MASW-011030-14040T 编号：C17555417

封装：HQFN-16(7x7)

品牌：MACOM

MASW-011030是一种高功率PIN二极管SP3T开关，采用公共阳极配置，工作频率范围为30MHz至3GHz。具有低插入损耗和优秀的线性度，低直流功耗。该器件能够在基板温度为85°C时处理100瓦连续波输入功率。

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￥244.51
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型号：RFASWA630ATF06 编号：C201765

封装：DFN-6(0.7x1.1)

品牌：Walsin(华新科)

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型号：AW13102DNR 编号：C5125901

封装：DFN-6(1x1)

品牌：AWINIC(艾为)

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型号：LX8631 编号：C42453793

封装：QFN-9(1.2x1.2)

品牌：LingChip(灵芯微)

GPIO，SP3T

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型号：WS7808QC-14/TR 编号：C506160

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7808QC是一款单刀八掷(SP8T)开关，包含8个相同的路径和一个GPIO控制器。该器件适用于WCDMA和LTE系统，最高工作频率可达3GHz。它采用紧凑的2.0mmx2.0mmx0.55mmQFN封装。

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10+
￥0.5541
100+
￥0.4629
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型号：RFASWA351ATF06 编号：C2992315

封装：DFN-6-EP(1x1)

品牌：Walsin(华新科)

该产品是一款双刀双掷（SPDT）射频开关，适用于0.5GHz至6.0GHz的频率范围，具有0.35~0.7dB的插入损耗和15~25dB的隔离度。

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￥0.6931
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￥0.549
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￥0.4769
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3000+
￥0.3628
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型号：RFASWAH9628ATF09 编号：C127670

封装：QFN-9(1.1x1.1)

品牌：Walsin(华新科)

应用：1.575GHz GPS频段应用。Bluetooth/WiFi频段应用。WIMAX频段应用。2.4GHz频段应用。5GHz频段应用。1558 ~ 1606 MHz GNSS频段应用。860~960MHz/1805~2025 MHz频段应用。MoCA / Docsis应用。LTE频段应用。ISM频段2.4GHz应用。ISM频段5GHz应用。GSM 850/GSM 900/ DCS1800/ PCS1900应用。892 MHz & 1.94GHz频段应用。高速传输线（USB2.0、IEEE1394、LVDS(mini)）用离散共模滤波器应用。2496 ~ 2690 MHz频段应用

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5+
￥0.83
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￥0.663
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￥0.5794
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￥0.5168
3000+
￥0.4667
6000+
￥0.4416

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型号：NJG1699MD7-TE1 编号：C3039927

封装：EQFN-14(1.6x1.6)

品牌：JRC

是一款GaAs高隔离度单刀四掷（SP4T）开关单片微波集成电路（MMIC），具有低插入损耗和极高的隔离度。在PC端口集成了直流阻断电容，集成电路中集成了静电放电（ESD）保护电路，以实现高ESD耐受性，采用超小超薄的EQFN14-D7封装。

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1+
￥6.53
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￥5.41
30+
￥4.85

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型号：KMS-560A(800) 编号：C32862704

封装：-

品牌：HRS(广濑)

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￥8.47
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￥8.28
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￥8.16

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型号：RF1602TR7 编号：C469025

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：Qorvo

RF1602是一款宽带单刀双掷（SPDT）射频开关，具有低插入损耗和高功率处理能力，同时功耗低。其出色的线性性能使其非常适合用于SV-LTE、WCDMA和CDMA应用。RF1602在射频端口之间提供非常高的隔离度，从而在发射和接收路径之间提供更大的分离。

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￥10.01
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￥9.78
30+
￥9.62
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￥9.47

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型号：BGS 14PN10 E6327 编号：C534209

封装：DFN-10(1.1x1.5)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高最大射频功率：40 dBm CW @ 900 MHz，室温。两个超低损耗端口（RF1 和 RF3）：0.19 dB @ f = 0.9 GHz，输入功率 = 38 dBm。0.29 dB @ f = 1.9 GHz，输入功率 = 38 dBm。0.51 dB @ f = 2.7 GHz，输入功率 = 33 dBm。1.20 dB @ f = 3.8 GHz，输入功率 = 33 dBm。1.90 dB @ f = 5.8 GHz，输入功率 = 33 dBm

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