射频开关_厂家_价格_品牌_库存

型号：MASW-007588-TR3000 编号：C17542283

封装：PQFN-12(3x3)

品牌：MACOM

MASW-007588是一款采用低成本、无铅3mm12-leadPQFN封装的GaAsPHEMTMMICSPDT开关。适用于需要非常小尺寸和低成本的应用。

1+
￥28.97
10+
￥28.33
30+
￥27.91

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型号：PE42451MLIAA-Z 编号：C2151903

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

高隔离度射频开关，工作频率为450-4000MHz，采用UltraCMOS工艺，具有五个对称的射频端口和非常高的隔离度。内置CMOS解码逻辑支持三针低电压CMOS控制接口和可选外部Vss控制功能。

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￥55.11
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￥47.49
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￥42.85

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型号：PE42412A-X 编号：C22444761

封装：QFN-32(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一种采用HaRP技术增强的吸收式SP12T RF开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间的特点，适用于无线基础设施和高达8 GHz的无线应用中的滤波器组切换和RF信号路由。如果RF端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容。采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能，这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

1+
￥78.39
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￥74.93
30+
￥68.94

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型号：MASW-008543-TR3000 编号：C3303976

封装：MSOP-8-EP

品牌：MACOM

MASW-008543是一款采用无铅塑料表面贴装封装的砷化镓单片开关，提供高隔离度，适用于广泛频率范围内的应用。

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￥118.21
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￥112.74
30+
￥103.26

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型号：PE42020A 编号：C726157

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42020是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT真直流射频开关，工作频率从零赫兹到8GHz，集成了射频、模拟和数字功能。它可以处理高达±10V的输入直流电压，并可以通过单个LZ引脚配置为50Ω吸收型或开反射型真直流开关。PE42020真直流射频开关在处理复杂的直流、射频/模拟和数字信号方面表现出色，特别适用于测试与测量(T&M)和自动测试设备(ATE)应用。

数据手册

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￥165.1
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￥157.3
30+
￥149.5

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型号：MASW-002103-13635P 编号：C17613387

封装：-

品牌：MACOM

MASW-002103-1363是一款单刀双掷（SPDT）、宽带、单片开关，使用两组串联和并联连接的PIN二极管。该器件设计用于高达20GHz的宽带、低至中等信号、高性能开关应用。

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￥332.22
30+
￥316.9

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型号：HMC232ALP4ETR 编号：C662558

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

GaAs，SPDT开关，非反射式，100MHz至12GHz

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￥236.716
10+
￥226.424
50+
￥222.3072

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型号：AW13508QNR 编号：C5125903

封装：WBQFN-14(2x2)

品牌：AWINIC(艾为)

5+
￥0.5079
50+
￥0.4967
150+
￥0.4892
500+
￥0.4817

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型号：AW13612FLR 编号：C5125904

封装：FCLGA-6

品牌：AWINIC(艾为)

AW13612FLR是一款单刀双掷（SPDT）射频开关，支持0.1到6GHz的宽带频率范围，具有高达39dBm的高功率处理能力，低插入损耗和高隔离度。

2+
￥0.5299
20+
￥0.518
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￥0.5102
200+
￥0.5023

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型号：MXD8512A 编号：C462317

封装：QFN-6(0.7x1.1)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8512A是一款基于CMOSSOI技术的单刀单掷(SPST)开关，具有高线性度和坚固性能，适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。

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5+
￥1.7987
50+
￥1.417
150+
￥1.2534

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型号：NJG1809ME7-TE1 编号：C3312859

封装：EQFN-18(2x2)

品牌：Nisshinbo

适用于LTE-U/LAA,WLAN和LTE应用的高功率SP4T射频开关MMIC。具有低插入损耗和高隔离度，快速切换时间，并集成了ESD保护装置。

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￥11.37
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￥11.11
30+
￥10.94

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型号：NT1822GVAE1S 编号：C45022393

封装：DFN1010-6

品牌：Nisshinbo

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￥11.57
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￥11.31
30+
￥11.15

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型号：HMC7992LP3DE 编号：C208307

封装：LFCSP-16(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

非反射式硅SP4T开关，0.1GHz至6.0GHz

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单价：
￥55.0044 / 个

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型号：MXD8638 编号：C285558

封装：LGA-9(1.2x1.2)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8638是一款CMOS硅绝缘体(SOI)单刀三掷(SP3T)射频开关，适用于GSM/WCDMA/LTE手机和数据卡应用。其高线性和低插入损耗使其成为理想选择。

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10+
￥0.2417
100+
￥0.1894
300+
￥0.1633

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型号：MXD8628 编号：C285552

封装：LGA-9(1.2x1.2)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8628是一款CMOS绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SP2T）射频开关，具有高线性度和低插入损耗，适用于GSM/WCDMA/LTE手持设备和数据卡应用。

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10+
￥0.2427
100+
￥0.1923
300+
￥0.1671

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型号：AW13418QNR 编号：C498344

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：AWINIC(艾为)

AW13418是一款低插入损耗和高隔离度的SP8T射频开关，支持2G/3G/4G天线分集系统。

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3000+
￥0.32544
6000+
￥0.320016
12000+
￥0.31188
24000+
￥0.29832

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型号：MXD8680Q 编号：C462315

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8680Q是一款低损耗、高隔离度的8位单刀多掷（SP8T）射频开关，适用于天线分集接收。

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50+
￥13.101545
200+
￥10.993652
500+
￥9.130321
1000+
￥7.68624

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型号：MXD8661H 编号：C285567

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8661H是一个低损耗、高功率的单刀六掷(SP6T)开关，适用于2G/3G/4G收发器应用。它具有优异的插入损耗和隔离性能，兼容+1.0V控制逻辑，无需外部直流阻断电容器。

数据手册

5+
￥0.7562
50+
￥0.7382
150+
￥0.7262
500+
￥0.7143

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型号：MXD8668C 编号：C462303

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8668C是一款低损耗、高隔离度的SP6T射频开关，适用于天线分集接收。兼容MIPI控制，支持多频段操作，无需外部直流阻断电容器。

数据手册

5+
￥1.9173
50+
￥1.5095
150+
￥1.3347
500+
￥1.1166
2500+
￥0.908
5000+
￥0.8497

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型号：HMC349AMS8GE 编号：C1526235

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关，100MHz至4GHz

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单价：
￥32.9832 / 个

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型号：HX13626-685-LGA 编号：C49181120

封装：LGA-9(1.1x1.1)

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

该产品是一款单刀四掷（SP4T）天线开关模块，专为多模宽带蜂窝应用而设计，支持100MHz至3.0GHz的UMTS、TD-SCDMA和LTE。其射频性能经过优化，具有低插入损耗和低谐波，可满足所有3G/LTE标准的严格要求。只要在任何射频路径上不施加直流电压，就不需要外部直流隔直电容。该模块在单个SDI芯片上集成了一个SP4T开关和一个GPIO控制器

1+
￥3.21
10+
￥2.54
30+
￥2.25
100+
￥1.9
500+
￥1.74
1000+
￥1.65

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型号：BGS 12PN10 E6327 编号：C534200

封装：DFN-10(1.1x1.5)

品牌：Infineon(英飞凌)

BGS12PN10是一款单刀双掷(SPDT)高功率射频开关，专为移动电话应用优化。与GaAs技术不同，0.1dB压缩点超过了开关最大输入功率水平，从而在所有信号水平下实现线性性能，外部DC阻断电容器仅在外部施加DC电压时才需要。

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1+
￥5.11
10+
￥4.16
30+
￥3.68
100+
￥3.08
500+
￥2.8
1000+
￥2.65

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型号：BGSX44MU18E6327XUSA1 编号：C3304091

封装：WLGA-18

品牌：Infineon(英飞凌)

RF CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器允许电源电压为1.65至1.95V。该开关具有直接连接电池的功能和无直流的RF端口。与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在RF端口使用外部直流阻断电容。该器件尺寸非常小，仅为2.0mm×2.4mm，厚度为0.63mm。