射频开关_厂家_价格_品牌_库存

型号：JSW2-63DR+ 编号：C7420381

封装：QFN-12-EP

品牌：Mini-Circuits

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￥17.52
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￥14.7
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￥12.93

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型号：LX3416 编号：C42453797

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：LingChip(灵芯微)

GPIO，SP6T

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型号：ATR5179 编号：C42410816

封装：SOT-363

品牌：杭州中科微

ATR5179是一款采用pHEMT GaAs工艺制作的单刀双掷开关单芯片，芯片内部电路结构简单，该芯片的推荐工作频率为20MHz-4GHz，开关芯片采用单电源供电控制，有非常低的电流功耗，开关开启工作时有非常低的插入损耗。芯片含有两个控制端口，三个射频端口。V1和V2两个控制端口的电压互为反相，状态不同的时候对应不同的开关通路。

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型号：LX1660LE 编号：C42453804

封装：QFN-20-EP(2.4x2.4)

品牌：LingChip(灵芯微)

MIPI，SP10T

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￥1.0939
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型号：HX13351-378-SQ 编号：C22392173

封装：QFN-6(1x1)

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX13351-378-SQ是一款单刀双掷（SPDT）天线开关模块，设计用于0.03GHz至7.125GHz的频率范围。该模块具有低插入损耗、高隔离度，并在低供电电压下保持出色的线性度。

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型号：LX1660 编号：C42453803

封装：QFN-20-EP(2.4x2.4)

品牌：LingChip(灵芯微)

MIPI，SP10T

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型号：BGS 16MA12 E6327 编号：C534213

封装：QFN-12-EP(1.1x1.9)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款SP6T射频开关是基于LTE和WCDMA的多模手机的理想解决方案。它覆盖了LTETx功率和6GHz，适用于非常广泛的应用。它具有DC-freeRF端口，外部DC阻塞电容器仅在外部施加DC电压时需要。其内置MIPIRFFE2.0控制器完全符合行业标准。

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型号：BGSA200ML9E6327XTSA1 编号：C20189652

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

BGSA200ML9是一种通用的接地并联2x单刀单掷(2xSPST)射频天线调谐开关。它优化了低电容和低导通电阻，适用于高达8.25GHz的应用，特别适合天线调谐。

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型号：SKY13270-92LF 编号：C2654735

封装：SC-70-6

品牌：SKYWORKS

是一款pHEMT GaAs FET单刀双掷（SPDT）高线性开关。这款宽带开关设计用于20 MHz至2.7 GHz的系统，这些系统需要极高的线性度、低控制电压、高隔离度、低插入损耗和超小型封装尺寸。该设备可以用正电压、负电压或两者的组合来控制。设备内的RF信号路径是完全双向的。采用紧凑、低成本的2.00 x 1.25 mm、6引脚SC-70封装。

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型号：SKYA21024 编号：C3304177

封装：QFN-6(1x1)

品牌：SKYWORKS

SKYA21024是一款单刀双掷(SPDT)开关，适用于预功率放大器(PA)的模式切换，特别是在蜂窝或WLAN应用中。使用先进的开关技术，SKYA21024在所有切换路径上保持低插入损耗和高隔离度。

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型号：PE42422MLAA-Z 编号：C500477

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42422是一款基于HaRPTM技术增强的SPDT反射式射频开关，设计用于覆盖从5到6000MHz的广泛频率范围。该开关集成了板载CMOS控制逻辑和低电压CMOS兼容控制接口，无需外部组件。

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型号：SKY13438-374LF 编号：C5258860

封装：XFDFN-6(1.5x1.5)

品牌：SKYWORKS

SKY13438-374LF是一款pHEMTGaAs双刀双掷(DPDT)开关，设计用于2.4和6.0GHz双频段无线局域网应用。该开关提供高线性度、低插入损耗和高隔离度。

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型号：BGSC4331MN10E6327XTSA1 编号：C50342433

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：MASWSS0115TR-3000 编号：C3304186

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：MACOM

MASWSS0115是一款GaAsPHEMTMMIC单刀双掷(SPDT)开关，采用低成本、无铅SC-70(SOT-363)表面贴装塑料封装。该器件适用于需要非常小尺寸和低成本的应用，如双频系统中的滤波器组、单频LNA、转换器等。此部分可用于所有工作频率高达3GHz的系统，包括PCS、GSM、DCS、蓝牙和其他接收链应用。

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型号：QPC6014TR7 编号：C20754670

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：Qorvo

是一款绝缘硅 (SOI) 单刀单掷 (SPST) 吸收式开关，适用于蜂窝、3G、LTE 等高性能通信系统。提供高隔离度，具备出色的线性度和功率处理能力。RF 端口无需隔直电容。设计为非反射式，在关断状态下 RF2 端口端接 50 欧姆。与 +1.8V 正逻辑兼容。

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型号：SKY13322-375LF 编号：C151465

封装：XFDFN-10(2x3)

品牌：SKYWORKS

SKY13322-375LF是一款GaAsFETI/C单刀四掷（SP4T）射频开关，适用于多频段电信应用，最高可达6GHz。

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型号：QPC6324SR 编号：C22398931

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：Qorvo

是一款绝缘体上硅 (SOI) 单刀双掷 (SPDT) 开关，设计用于 4G/5G 无线基础设施应用和其他高性能通信系统。它具有高隔离度、出色的线性度和功率处理能力。RF 端口无需隔直电容。该设计为非反射式，使得 RFX 端口在关断状态下终端电阻为 50Ω。与 +1.8V 逻辑兼容。采用符合 RoHS 标准的紧凑型 QFN 4×4mm 表面贴装无引脚封装。

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型号：AS183-92LF 编号：C2654768

封装：SC-70-6

品牌：SKYWORKS

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型号：VSWA2-63DR+ 编号：C17624546

封装：QFN-16(4x4)

品牌：Mini-Circuits

VSWA2-63DR+是一款高隔离度吸收型单刀双掷射频开关，内置CMOS驱动器，可在单正电源电压下工作，典型电流消耗为12μA。适用于50Ω系统的500-6000MHz宽带操作，也可在75Ω系统中使用，但回波损耗会有所下降。该开关在300kHz至500MHz范围内具有反射开关性能。封装为4mmx4mmx0.9mm，MSL1等级，ESD防护等级为1A。

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型号：F2932NBGP 编号：C3304167

封装：QFN-16(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高可靠性、低插入损耗、50Ω的单刀双掷（SP2T）吸收式射频开关，适用于多种无线和其他射频应用。该设备覆盖了从50 MHz到8000 MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外，还能在为未使用的射频输入端口提供50Ω端接的同时，实现高线性度和高隔离性能。使用2.7V至5.5V的单正电源电压，支持使用3.3V或1.8V控制逻辑的三种状态。

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型号：ADG918BCPZ-REEL7 编号：C207683

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

宽带、43dB隔离(1GHz)、CMOS1.65V至2.75V、2:1Mux/SPDT开关

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型号：MASWSS0180TR-3000 编号：C17428769

封装：SOIC-8

品牌：MACOM

是一款采用无铅SOIC 8引脚表面贴装塑料封装的GaAs MMIC SPDT端接开关。该开关非常适合需要极低功耗的应用。典型应用包括无线电和蜂窝设备、PCM、GPS、光纤模块和其他电池供电的无线电设备等系统中的发射/接收切换、开关矩阵和滤波器组。采用成熟的1微米工艺制造的单片GaAs MMIC。该工艺具有全芯片钝化功能，可提高性能和可靠性。

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型号：PE42482A 编号：C726151

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42482是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SP8T射频开关，支持10MHz到8GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，适用于无线基础设施和无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。

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￥52.64
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￥46.18
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￥42.24

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型号：JSW3-272DR+ 编号：C37232478

封装：QFN-14(2x2)

品牌：Mini-Circuits

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型号：BGT24ATR11E6433XUMA1 编号：C2151902

封装：VQFN-32(4.5x5.5)

品牌：Infineon(英飞凌)

BGT24ATR11是一款用于24GHzISM频段的硅锗射频收发器MMIC。它基于24GHz的基本电压控制振荡器，包括可切换的频率预分频器，输出频率为1.5GHz和23kHz。主要RF输出提供典型11dBm的信号功率，辅助LO输出可用于提供LO信号给独立的接收组件。内置低噪声放大器提供低噪声系数，RC多相滤波器用于LO正交相位生成。

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