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首页 > 热门关键词 > 射频开关
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高隔离SPDT非反射开关、9kHz-13GHz
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  • 1+

    ¥44.26
  • 10+

    ¥38.88
  • 30+

    ¥31.88
  • 100+

    ¥29.13
  • 有货
  • PE4259UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。这款反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑,具有低电压CMOS兼容控制接口,可以通过单针或互补控制输入进行控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.9
    • 10+

      ¥3.31
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      ¥2.22
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      ¥2.15
  • 有货
  • AS179-92LF是一款基于pHEMTGaAsFET的单刀双掷(SPDT)开关,具有低插入损耗和正电压操作,且功耗极低。该器件采用紧凑、低成本的2.00x1.25mm、6引脚SC-70封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.47
    • 10+

      ¥7.11
    • 30+

      ¥6.36
    • 100+

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    • 500+

      ¥5.13
    • 1000+

      ¥4.58
  • 有货
  • GaAspHEMT单刀三掷(SP3T)天线开关,工作频率范围为20MHz至6.0GHz。通过三个控制电压在天线(RFC信号)和RF1、RF2、RF3端口之间进行切换。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.56
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      ¥10.16
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      ¥9.39
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      ¥7.92
    • 1000+

      ¥7.75
  • 有货
  • 是一款GaAs单刀双掷(SPDT)开关,工作频率范围为直流至3GHz,采用低成本的SO1-363无铅塑料封装。具有低插入损耗和极低的直流功耗。该开关可用于许多无线数字通信系统,如IEEE 802.11b/g无线局域网和蓝牙,用于收发选择或天线分集功能。
    • 5+

      ¥0.8725
    • 50+

      ¥0.6877
    • 150+

      ¥0.5953
    • 500+

      ¥0.526
    • 3000+

      ¥0.4705
    • 6000+

      ¥0.4428
  • 有货
  • 是一款通用射频MOS功率开关,设计用于覆盖从0.05到6 GHz的广泛高功率应用,主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与GaAs技术不同,仅当外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流隔直电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造,兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性,包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸非常小,仅为0.7×1.1 mm²,最大高度为0.31 mm。
    • 5+

      ¥1.8576
    • 50+

      ¥1.4561
    • 150+

      ¥1.284
    • 500+

      ¥1.0693
    • 2500+

      ¥0.9737
    • 5000+

      ¥0.9163
  • 有货
  • AS169-73是一款低成本的SOT-6塑料封装ICFETSPDT开关,具有低插入损耗和高隔离度,适用于多种电信应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥7.9
    • 50+

      ¥6.58
    • 150+

      ¥5.86
    • 500+

      ¥4.75
    • 3000+

      ¥4.38
    • 6000+

      ¥4.22
  • 有货
  • SKY13453-385LF是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于蜂窝和WLAN应用中的预功率放大器模式切换。采用先进的开关技术,该开关在所有切换路径上保持低插入损耗和高隔离度。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.09
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.36
    • 100+

      ¥2.09
    • 500+

      ¥1.97
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • XA17-G4K是一款采用pHEMTGaAs工艺制造的单刀双掷射频开关。内部电路结构简单,推荐的工作频率范围为20MHz至4GHz,具有低插入损耗和超低直流功耗。提供6引脚超小型SOT-363封装,适用于高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6744
    • 50+

      ¥0.5325
    • 150+

      ¥0.4616
    • 500+

      ¥0.4084
    • 3000+

      ¥0.3416
    • 6000+

      ¥0.3203
  • 有货
  • SKY13351-378LF是一款pHEMTGaAsFETI/C开关,适用于传输/接收应用。通过将RF公共端(INPUT,引脚5)连接到OUTPUT1或OUTPUT2端口(引脚1或3),可以实现低损耗路径(即在VCTL1或VCTL2引脚上施加正电压)。该开关在隔离端口上呈现反射短路。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.71
    • 30+

      ¥4.23
    • 100+

      ¥3.76
    • 500+

      ¥3.48
    • 1000+

      ¥2.97
  • 有货
  • 是一款双频单刀四掷开关,所有射频输出端口均集成50Ω匹配。射频路径上需要外部直流阻断电容。开关可在-40℃至90℃的温度范围内工作。开关由两个CMOS/TTL兼容的控制电压输入(VC1和VC2)控制。根据施加到控制引脚的逻辑电压电平,RFC引脚通过低插入损耗路径连接到四个开关射频输出(RF1至RF4)之一,而RFC引脚与其他RF引脚之间的路径处于隔离状态。隔离端口端接至50Ω负载。采用小型14引脚、1.6×1.6×0.45mm QFN封装。
    • 1+

      ¥13.59
    • 10+

      ¥11.8
    • 30+

      ¥10.68
    • 100+

      ¥8.65
    • 500+

      ¥8.13
    • 1000+

      ¥7.91
  • 有货
  • 是一款pHEMT GaAs单刀双掷(SPDT)开关。该设备的工作频率范围为0.05至3.0 GHz,具有低插入损耗和高隔离特性。
    • 5+

      ¥0.61254 ¥0.6806
    • 50+

      ¥0.48726 ¥0.5414
    • 150+

      ¥0.42462 ¥0.4718
    • 500+

      ¥0.37764 ¥0.4196
    • 2500+

      ¥0.34002 ¥0.3778
    • 5000+

      ¥0.32121 ¥0.3569
  • 有货
  • RF MOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。任意2个端口都可作为分集天线的终端,可处理高达30 dBm的功率。这款单电源芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过开关的...
    数据手册
    • 5+

      ¥1.224
    • 50+

      ¥0.972
    • 150+

      ¥0.864
    • 500+

      ¥0.7293
    • 2500+

      ¥0.5661
    • 5000+

      ¥0.53
  • 有货
  • SKY13585-679LF是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于WLAN应用中的模式切换。采用先进的开关技术,保持低插入损耗和高隔离度。
    • 1+

      ¥3.58
    • 10+

      ¥2.91
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.24
    • 500+

      ¥2.04
    • 1000+

      ¥1.94
  • 有货
  • SKY13330-397LF是一款CMOS硅绝缘体(SOI)单刀双掷(SPDT)射频开关。其高线性和低插入损耗使其成为WCDMA手机和数据卡应用的理想选择。
    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥3.18
    • 100+

      ¥2.99
    • 500+

      ¥2.75
    • 1000+

      ¥2.7
  • 有货
  • 是一款单刀六掷(SP6T)开关,专为在100 MHz至3.0 GHz频率范围内运行的分集应用而设计。其RF性能经过优化,可确保低插入损耗,从而满足所有3G/LTE标准的严格要求。只要没有直流电压施加到任何RF路径上,就不需要外部直流阻隔电容器。与RFFE串行控制兼容,从天线端口到任何Rx端口的每条路径都具有低插入损耗,同时在相对和相邻路径之间保持高隔离度
    • 1+

      ¥4.536 ¥5.04
    • 10+

      ¥3.681 ¥4.09
    • 30+

      ¥3.249 ¥3.61
    • 100+

      ¥2.826 ¥3.14
    • 500+

      ¥2.574 ¥2.86
    • 1000+

      ¥2.448 ¥2.72
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  • GaAsMMICT/R开关,DC-4GHz
    数据手册
    • 1+

      ¥11.25
    • 10+

      ¥9.53
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    • 500+

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    • 1000+

      ¥6.2
  • 有货
  • 100MHz至3.0GHz的高性能SP4T射频开关,采用UltraCMOs工艺技术。该开关包含4个相同的WEDGE/CDMA兼容传输路径,适用于各种GSM和WCDMA移动应用以及其他无线应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.99
    • 10+

      ¥10.18
    • 30+

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    • 500+

      ¥7.35
    • 1000+

      ¥7.12
  • 有货
  • MASW-007107是一款采用无铅2mm8引脚PDFN封装的宽带GaAspHEMTMMICSPDT开关。典型应用包括WLANIEEE802.11a+b/g和MIMO,以及其他需要超快速切换速度的测试设备。设计用于低插入损耗,此SPDT开关在8.0GHz以下保持低损耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.68
    • 10+

      ¥10.67
    • 30+

      ¥9.4
    • 100+

      ¥8.11
    • 500+

      ¥7.53
    • 1000+

      ¥7.28
  • 有货
  • HX179-92-ST是一种专为L、S频段设计的GaAsMMICSPDT开关,适用于移动电话和其他L、S频段应用。它具有紧凑的6引脚超小型封装,适合高密度表面贴装。
    • 5+

      ¥0.65808 ¥0.7312
    • 50+

      ¥0.52731 ¥0.5859
    • 150+

      ¥0.46197 ¥0.5133
    • 500+

      ¥0.41292 ¥0.4588
    • 3000+

      ¥0.37368 ¥0.4152
    • 6000+

      ¥0.35406 ¥0.3934
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