射频开关_厂家_价格_品牌_库存

型号：HSWA4-63DR+ 编号：C7421700

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Mini-Circuits

该器件是一款30MHz至6GHz宽带吸波射频开关，采用CMOS工艺制造，具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间。封装为4x4mm24引脚QFN，支持单电源供电。

1+
￥39.55
10+
￥34.01
30+
￥30.64

有货

立即购买

型号：PE42553B-Z 编号：C471160

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42553是一款增强型吸收式SPDT射频开关，支持广泛的频率范围和其他高性能无线应用。它具有改进的功率处理能力，连续波(CW)为36dBm，脉冲功率在50Ω@8GHz时为38dBm。无需阻断电容器即可正常工作。

数据手册

1+
￥29.3
10+
￥25.05
30+
￥22.52

有货

立即购买

型号：F2972NEGK 编号：C1558621

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

F2972是一款单刀双掷（SP2T）反射式射频开关，具有高线性和宽频带。该器件从5MHz到1.8GHz支持下游电缆调制解调器DOCSIS3.1应用，并可扩展至10GHz以支持多种无线RF应用。

数据手册

1+
￥34.54
10+
￥29.61
30+
￥26.68

有货

立即购买

型号：ADG919BRMZ-REEL7 编号：C657704

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADG919是一款采用CMOS工艺制造的宽带射频开关，提供高隔离度和低插入损耗。该器件在1GHz时具有43dB的隔离度和0.8dB的插入损耗，适用于无线通信和高速滤波器选择等应用。

数据手册

1+
￥36.54
10+
￥35.74
30+
￥35.2

有货

立即购买

型号：F2933NBGP 编号：C17328790

封装：QFN-16(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

F2933是一款高可靠性、低插入损耗的50ΩSP2T吸收型射频开关，设计用于多种无线和其他RF应用。该设备覆盖从50MHz到8000MHz的宽频率范围。

1+
￥38.26
10+
￥33.15
30+
￥30.05

有货

立即购买

型号：M3SWA-2-50DRB+ 编号：C3303718

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：Mini-Circuits

M3SWA-2-50DRB+是一款高隔离快速切换吸收式GaAsPHEMTSPDT开关，内置驱动器。它在+5V和-5V电源下工作，具有单个TTL兼容控制端口。设计用于宽带操作，封装在一个小巧的3.25mmx3.25mm、8引脚封装中。

1+
￥63.57
10+
￥54.34
30+
￥48.72

有货

立即购买

型号：PE42582A-X 编号：C500479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42582是一款增强型吸收式SP8T射频开关，支持从9kHz到8GHz的频率范围。外部Vss引脚可用于旁通内部负电压发生器，使该设备适用于滤波器组切换和RF信号路由。PE42582采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，具有高线性度和优异的谐波性能。

数据手册

1+
￥120.85
10+
￥116.43
30+
￥108.77

有货

立即购买

型号：MASW-011030-14040T 编号：C17555417

封装：HQFN-16(7x7)

品牌：MACOM

MASW-011030是一种高功率PIN二极管SP3T开关，采用公共阳极配置，工作频率范围为30MHz至3GHz。具有低插入损耗和优秀的线性度，低直流功耗。该器件能够在基板温度为85°C时处理100瓦连续波输入功率。

1+
￥244.51
30+
￥233.24

有货

立即购买

型号：WS7872DE-6/TR 编号：C2939864

封装：DFN-6-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7872DE-6/TR是一个单刀双掷（SPDT）开关，具有高线性性能和低插入损耗，适用于WLAN应用，如802.11a/b/g/n。提供紧凑的无引脚扁平封装（DFN）1.0x1.0mm²。

数据手册

5+
￥0.2809
50+
￥0.2744
150+
￥0.27
500+
￥0.2657

有货

立即购买

型号：AW13418RQNR 编号：C5125809

封装：QFN-14L(2x2)

品牌：AWINIC(艾为)

AW13418RQNR是一款宽带射频开关，支持2G/3G/4G天线分集系统，具有低插入损耗和高隔离度。

10+
￥0.3578
100+
￥0.283
300+
￥0.2456

有货

立即购买

型号：WS7854QA-9/TR 编号：C2941912

封装：QFN-9(1.1x1.1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7854QA是单刀四掷(SP4T)开关，适用于3G/4G/5G路由和分集应用。高线性性能和低插入损耗使其成为WCDMA/LTE手机和数据卡的理想选择。提供紧凑的QFN1.1x1.1mm²封装。

数据手册

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

立即购买

型号：DAN235UT106 编号：C703607

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小尺寸封装。低高频正向电阻。应用：高频开关

数据手册

5+
￥0.5947
50+
￥0.4747
150+
￥0.4147
500+
￥0.3697

有货

立即购买

型号：BAR66E6327 编号：C439778

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

浪涌保护装置，专为反并联连接中的浪涌过电压钳位而设计。无铅（符合 RoHS 标准）封装

数据手册

5+
￥0.7076
50+
￥0.6925
150+
￥0.6824

有货

立即购买

型号：BAR6404WH6327XTSA1 编号：C5311586

封装：SOT-323-3(SC-70)

品牌：Infineon(英飞凌)

该RF PIN二极管专为需要承受大RF电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

数据手册

5+
￥0.8004
50+
￥0.7805
150+
￥0.7672

有货

立即购买

型号：BA591,115 编号：C139448

封装：SOD-323

品牌：NXP(恩智浦)

是平面、高性能的频段切换二极管，采用非常小的SOD323 (SC-76) SMD塑料封装。

数据手册

1+
￥0.9718
10+
￥0.782
30+
￥0.6872
100+
￥0.60984 ￥0.616
600+
￥0.533907 ￥0.5393
1200+
￥0.505692 ￥0.5108
1800+
￥0.499851 ￥0.5049
4200+
￥0.49599 ￥0.501

有货

立即购买

型号：SKY85605-11 编号：C2654765

封装：QFN-16(2.3x2.3)

品牌：SKYWORKS

1+
￥3.1914 ￥3.94
10+
￥2.7406 ￥3.86
30+
￥2.318 ￥3.8
100+
￥2.2814 ￥3.74

有货

立即购买

型号：AS179-92LF 编号：C83422

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：SKYWORKS

AS179-92LF是一款基于pHEMTGaAsFET的单刀双掷(SPDT)开关，具有低插入损耗和正电压操作，且功耗极低。该器件采用紧凑、低成本的2.00x1.25mm、6引脚SC-70封装。

数据手册

1+
￥3.94
10+
￥3.26
30+
￥2.92

有货

立即购买

型号：BGS14PN10E6327 编号：C22438870

封装：LGA-10(1.5x1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥6.12
10+
￥4.89
30+
￥4.28

有货

立即购买

型号：SKY13438-374LF 编号：C5258860

封装：XFDFN-6(1.5x1.5)

品牌：SKYWORKS

SKY13438-374LF是一款pHEMTGaAs双刀双掷(DPDT)开关，设计用于2.4和6.0GHz双频段无线局域网应用。该开关提供高线性度、低插入损耗和高隔离度。

数据手册

1+
￥9.61
10+
￥8.02
30+
￥7.15
100+
￥5.9849 ￥6.17
500+
￥5.5581 ￥5.73
1000+
￥5.3738 ￥5.54

有货

立即购买

型号：HMC221BE 编号：C1526247

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

HMC221B是一款单刀双掷（SPDT）射频开关，工作频率范围为10kHz至3GHz，采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关在3GHz以下的插入损耗小于0.8dB，适用于要求低插入损耗和小型化的接收器和滤波器切换应用。

数据手册

1+
￥18.17
10+
￥17.73
50+
￥17.43

有货

立即购买

型号：PE42442A-Z 编号：C470913

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42442是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关，设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有四个对称的射频端口，最高工作频率可达6GHz，并且集成了CMOS解码器，支持1.8VCMOS控制接口。

数据手册

1+
￥28.12
10+
￥23.89
30+
￥21.37
100+
￥18.83
500+
￥17.65
1000+
￥17.13

订货

我要订货

型号：PE426482A-X 编号：C38744450

封装：QFN-24(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

1+
￥45.02
10+
￥39.02
30+
￥35.36

有货

立即购买

型号：F2914NBGK8 编号：C3304616

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高可靠性、低插入损耗、50Ω的单刀四掷（SP4T）吸收式射频开关，适用于包括无线通信在内的多种射频应用。该设备覆盖50MHz至8000MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外，还具有出色的线性度和隔离性能，同时为未使用的射频输入端口提供50Ω端接。还包括一项正在申请专利的恒定阻抗（KZ）功能，可提高系统热切换的耐用性，最大限度减少压控振荡器（VCO）中的本振牵引，并降低分配网络中的相位和幅度变化

1+
￥54.23
10+
￥46.15
30+
￥41.23

有货

立即购买

型号：ADRF5300BCCZN 编号：C1020356

封装：LGA-20(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADRF5300是一款24GHz到32GHz的反射型SPDT射频开关，采用单正电源3.3V供电，并集成了负电压发生器(NVG)。该器件具有低插入损耗、高隔离度和高RF输入功率处理能力。

数据手册

1+
￥220.19
30+
￥209.55

有货

立即购买

型号：M3SWA2-34DR+ 编号：C33062043

封装：QFN-16(3x3)

品牌：Mini-Circuits

是一款GaAs MMIC SPDT吸收式开关，带有内部驱动器，设计用于从直流到30 GHz的宽带操作。该开关能够在很宽的频率范围内实现快速的纳秒级切换，且栅极延迟效应最小。该型号具有出色的隔离度、高线性度，能够承受+27 dBm的射频输入功率。它采用3x3 mm的小型QFN封装，便于集成到紧凑的组件中。