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型号：XAPE4259-S63 编号：C50675545

封装：SOT-363

品牌：XINLUDA(信路达)

XAPE4259-S63 SPDT大功率Soi+Cmos 10 MHz–3.0 GHz射频开关

5+
￥0.6232
50+
￥0.4912
150+
￥0.4252
500+
￥0.3757
3000+
￥0.3361

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型号：HX4259-63-ST 编号：C48031087

封装：SOT-363

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4259-63-ST为10MHz-3GHz反射型RF开关，低压CMOS控制，+33.5dBm压缩点，采用UltraCMOS SOI工艺

5+
￥0.95526 ￥1.0614
50+
￥0.75564 ￥0.8396
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￥0.67014 ￥0.7446
500+
￥0.5634 ￥0.626
3000+
￥0.51588 ￥0.5732
6000+
￥0.48735 ￥0.5415

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型号：XA2188-AS79 编号：C50202048

封装：SOT-363

品牌：XINLUDA(信路达)

XA2188-AS79是单刀双掷射频开关。内部电路结构简单，推荐的工作频率范围为20MHz至4GHz，具有低插入损耗和超低直流功耗。提供6引脚超小型SOT-363封装，适用于高密度表面贴装应用。

10+
￥0.352
100+
￥0.28
300+
￥0.244

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型号：PE42482A-X 编号：C5121458

封装：QFN-24

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一款采用HaRP™技术增强的吸收式单刀八掷（SP8T）射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间的特点，非常适合用于无线基础设施和高达8 GHz的无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。如果射频端口上没有直流电压，则不需要隔直电容。采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

1+
￥47.37
10+
￥41.6
30+
￥38.09

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型号：QPC6324TR13 编号：C3031783

封装：QFN-20

品牌：Qorvo

QPC6324是一款绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SPDT）开关，专为4G/5G无线基础设施应用及其他高性能通信系统而设计。它具备高隔离度、出色的线性度和功率处理能力。RF端口无需隔直电容。该设计为非反射式，在关断状态下，RFX端口端接至50 Ω。QPC6324与+1.8 V逻辑兼容。QPC6324采用符合RoHS标准的紧凑型4x4 mm QFN无引脚表面贴装封装。

数据手册

1+
￥10.91
10+
￥10.64
30+
￥10.46

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型号：BAR6404WH6327XTSA1 编号：C5311586

封装：SOT-323-3(SC-70)

品牌：Infineon(英飞凌)

该RF PIN二极管专为需要承受大RF电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

数据手册

5+
￥0.788
50+
￥0.7689
150+
￥0.7562

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型号：BGS14M8U9E6327XUSA1 编号：C17322623

封装：ULGA-9(1.1x1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款单刀四掷 (SP4T) 高功率开关，采用紧凑的 9 引脚封装。针对高达 7.125 GHz 的 5G 和其他蜂窝应用进行了优化。具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高功率处理能力，适用于 5G 和 LTE 4G 应用，如 5G SRS、上行载波聚合、高功率用户设备 (HPUE Class 2)。

1+
￥2.86
10+
￥2.79
30+
￥2.74

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型号：A6RS-161RF 编号：C6116702

封装：-

品牌：OMRON(欧姆龙)

1+
￥56.12
10+
￥48.63
48+
￥44.07

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型号：PE42359SCAA 编号：C726164

封装：SC-70-6

品牌：pSemi(游隼半导体)

该射频开关设计用于覆盖从 10 MHz 到 3 GHz 的广泛应用范围。这款反射式开关将板载 CMOS 控制逻辑与低电压 CMOS 兼容控制接口集成在一起，可使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称 +3 伏电源电压时，典型输入 1 dB 压缩点可达 +33.5 dB。还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了 AEC-Q100 2 级认证。采用 pSemi 的 UltraCMOS 工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅 (SOI) 技术的专利变体，兼具砷化镓的性能以及经济性和集成性。

1+
￥6.87
10+
￥6.71
30+
￥6.61

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型号：MADRCC0005 编号：C6085522

封装：SOIC-8

品牌：MACOM

M/A-COM的MADRCC0005是一种单通道驱动器，用于将TTL控制输入转换为GaAs FET微波开关和衰减器的互补栅极电压。高速模拟CMOS技术被用来在中等至高速度下实现低功耗，涵盖了大多数微波开关应用。

1+
￥37.3
10+
￥36.48
30+
￥35.93

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型号：RFX2411N 编号：C2649470

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：SKYWORKS

RFX2411N是一款完全集成的单芯片、单裸片射频前端集成电路（RFelC(p)），它集成了无线Zigbee技术应用和智能能源应用所需的所有射频功能。RFX2411N架构在一款CMOS单芯片器件中集成了发射/接收和分集切换电路，以及功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和相关匹配网络，并具备谐波抑制功能。该器件还具备旁路模式，可为系统实现提供最大的灵活性

15+
￥25.397772
100+
￥21.911803
1000+
￥20.168819

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型号：ADG751ARTZ-REEL7 编号：C209513

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

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单价：
￥22.626 / 个

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型号：ADG752BRTZ-REEL7 编号：C206639

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

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100+
￥55.44
1000+
￥53.928

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型号：ADG751ARMZ 编号：C657631

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

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单价：
￥23.6952 / 个

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型号：ADG752BRMZ 编号：C657634

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

数据手册

1+
￥27.06
20+
￥25.96
100+
￥25.3
200+
￥24.64
500+
￥24.2

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型号：PE42562A-X 编号：C24834148

封装：QFN-24

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一款采用HaRP™技术增强的吸收式SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以实现无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，适用于高达8 GHz的测试与测量以及无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。如果射频端口上不存在直流电压，则无需阻塞电容。采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

1+
￥77.05
10+
￥74.76

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型号：MADR-009150 编号：C6986631

封装：PQFN-16(3x3)

品牌：MACOM

MADR-009150开关驱动器设计用于与MACOM的高功率和高电压PIN二极管开关配合使用。该驱动器具有互补输出，可以为SPDT PIN二极管开关提供高达200 mA的偏置电流。反向偏置电压可以选择在20 V到50 V之间的任何电压。此开关驱动器可以通过标准3.3 V TTL逻辑轻松控制。在驱动100 pF电容负载时，该驱动器具有典型的<200 ns延迟，并且静态电流低。此驱动器采用无铅3 mm 16引脚PQFN封装，并提供卷带和卷盘包装，适用于大批量应用。

1+
￥114.31
10+
￥109.23
30+
￥100.42
100+
￥92.74

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型号：WLAN3002CZ 编号：C1849587

封装：QFN-8-EP(1.5x1.5)

品牌：NXP(恩智浦)

WLAN3002C是一款完全集成的MMIC低噪声放大器，带有RX-TX SP2T开关，适用于4.9 GHz至5.925 GHz ISM频段的WLAN应用。采用NXP高性能QUBiC第八代SiGe:C技术制造。

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1+
￥2.0834
10+
￥1.645
30+
￥1.4571
100+
￥1.2227
500+
￥1.1183
1000+
￥1.0557

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型号：A6RS-162RF-P 编号：C6110542

封装：-

品牌：OMRON(欧姆龙)

1+
￥7.04
10+
￥5.88
30+
￥5.24

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型号：PE42412A-X 编号：C22444761

封装：QFN-32(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一种采用HaRP技术增强的吸收式SP12T RF开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间的特点，适用于无线基础设施和高达8 GHz的无线应用中的滤波器组切换和RF信号路由。如果RF端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容。采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能，这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

1+
￥78.39
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￥74.93
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￥68.94
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