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首页 > 热门关键词 > ADI驱动芯片
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高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器
数据手册
  • 1+

    ¥52.6205 ¥55.39
  • 10+

    ¥44.954 ¥47.32
  • 30+

    ¥40.28 ¥42.4
  • 100+

    ¥36.3565 ¥38.27
  • 有货
  • +3.3V/+5V、8通道、可级联的继电器驱动器,具有串行/并行接口
    数据手册
    • 1+

      ¥53.04
    • 10+

      ¥51.81
    • 30+

      ¥51
    • 100+

      ¥44.6602 ¥50.18
  • 有货
  • 采用 SOT-23 封装的 SMBus/I2C扇速控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥55.97
    • 10+

      ¥48.55
    • 30+

      ¥44.02
  • 有货
  • 是一种偏置生成系统,用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时,该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件,因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决,因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置,并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压,因此可以在任何电源电压下工作。
    数据手册
    • 10+

      ¥48
    • 1000+

      ¥41.04
    是一款四路高端栅极驱动器,允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它有四个独立的开关通道,每个通道包含一个完全自包含的电荷泵,无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。每个开关通道中还包括一个漏极检测比较器,用于检测开关电流。当超过预设电流水平时,开关将关闭。开关将关闭一段时间,该时间由外部定时电容器设置,然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在,这个循环将重复进行,直到故障消除,从而保护 MOSFET。专为恶劣的操作环境而设计,例如工业和汽车应用,这些环境中可能存在电源调节不佳和/或瞬态情况。该器件在 -15V 至 60V 的电源电压下不会受到损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥63.17
    • 10+

      ¥61.05
    • 14+

      ¥57.9975 ¥61.05
  • 有货
  • 一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流,消除了两个MOSFET的匹配要求,大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流,只要MOSFET的VDS不超过1.2V,就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入,在发生故障时将自动关闭,并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启,以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中,顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时,栅源电压内部限制为14.5V。
    • 1+

      ¥73.304 ¥74.8
    • 10+

      ¥70.7462 ¥72.19
  • 有货
  • 7A吸入电流、3A源出电流、12ns、SOT23 MOSFET驱动器、具有极小延时的微型MOSFET驱动器,提供较宽的源出/吸入电流
    • 1+

      ¥16.62
    • 10+

      ¥16.24
    • 30+

      ¥15.99
    • 100+

      ¥14.3864 ¥14.68
  • 有货
  • 特性:源极和漏极可提供高达4A的峰值电流。 快速20ns传播延迟和20ns上升/下降时间(驱动5000pF电容负载时)。 反相和同相输入之间以及通道之间的传播延迟时间最小化且匹配。 采用4V至15V单电源供电。应用:功率MOSFET开关。 电机控制
    • 1+

      ¥22.5081 ¥25.29
    • 10+

      ¥19.2596 ¥21.64
    • 30+

      ¥17.3372 ¥19.48
    • 100+

      ¥15.3792 ¥17.28
    • 500+

      ¥14.4803 ¥16.27
    • 1000+

      ¥14.0798 ¥15.82
  • 有货
  • 驱动两个高压侧N沟道MOSFET,电源电压高达100V。两个驱动器可以使用不同的接地参考,具有出色的抗噪声和瞬态能力。两个驱动器对称且相互独立,允许互补或非互补开关。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET。还具备欠压锁定(UVLO)、TTL/CMOS兼容输入和故障指示等功能。
    • 1+

      ¥25.25
    • 10+

      ¥24.63
    • 30+

      ¥24.23
  • 有货
  • 双路、功率MOSFET驱动器
    • 1+

      ¥26.964 ¥29.96
    • 10+

      ¥26.325 ¥29.25
    • 30+

      ¥25.902 ¥28.78
    • 100+

      ¥25.488 ¥28.32
  • 有货
  • 驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET,电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET,具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。
    • 1+

      ¥33.78
    • 10+

      ¥33
    • 30+

      ¥32.48
  • 有货
  • LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET,电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET,具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥35.38
    • 10+

      ¥34.45
    • 30+

      ¥33.83
  • 有货
  • 具有限流功能的高边开关控制器,非常稳健的高端控制器非常适合电机保持制动器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥39.07
    • 10+

      ¥38.05
    • 30+

      ¥37.36
  • 有货
  • 4.5V至36V全桥式直流电机驱动器、业界最简单,最灵活的4.5至36V DC-有刷电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥39.18
    • 10+

      ¥38.23
    • 30+

      ¥37.6
  • 有货
    • 1+

      ¥41.19
    • 10+

      ¥40.3
    • 30+

      ¥39.7
  • 有货
  • 快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥41.35
    • 10+

      ¥35.42
    • 30+

      ¥31.81
  • 有货
  • 单输出MOSFET驱动器旨在将TTL/CMOS输入转换为高压/大电流输出。低1.5Ω输出阻抗和6A峰值电流输出使其能够快速切换高电容功率MOSFET,提高效率。40ns的延迟时间和25ns的上升或下降时间(驱动2500pF至18V时)可最大程度减少MOSFET开关转换期间的功率损耗。逻辑输入轻松与CMOS或双极型开关模式控制器接口,因为其逻辑输入电流低于10μA
    • 1+

      ¥43.17
    • 10+

      ¥42.15
    • 50+

      ¥41.47
    • 100+

      ¥37.1189 ¥40.79
  • 有货
  • 125V/3A、高速、半桥MOSFET驱动器、增强散热型、8引脚SO封装,能够在+70°C环境温度下耗散1.9W功率
    • 1+

      ¥44.76
    • 10+

      ¥43.68
    • 30+

      ¥42.95
  • 有货
  • 是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器,可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵,可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关,使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容,非常适合需要快速导通和/或关断时间的高频开关应用或静态开关应用。采用热增强型 10 引脚 MSOP 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.16
    • 10+

      ¥40.64
    • 30+

      ¥36.67
  • 有货
    • 1+

      ¥47.87
    • 10+

      ¥41.09
    • 30+

      ¥36.96
  • 有货
  • MAX6650/MAX6651风扇控制器采用兼容SMBus/I²C的接口,来调节和监控内置转速计的5VDC/12VDC无刷风扇的转速。它们通过使用外部MOSFET或双极晶体管线性调节风扇两端的电压,自动使风扇的转速计频率(风扇转速)与风扇转速寄存器中预先编程的值相匹配。MAX6650通过监测单个风扇的转速计输出来调节其转速
    • 1+

      ¥48.28
    • 10+

      ¥41.36
    • 30+

      ¥37.14
  • 有货
  • MAX4426/MAX4427/MAX4428 是双路单片 MOSFET 驱动器,旨在将 TTL/CMOS 输入转换为高压/大电流输出。MAX4426 是双路反相功率 MOSFET 驱动器。MAX4427 是双路同相功率 MOSFET 驱动器,而 MAX4428 包含一个反相部分和一个同相部分。延迟时间几乎与 VDD 无关(参见典型工作特性)。大电流输出驱动器能够快速对即使是最大型功率 MOSFET 的栅极电容进行充电和放电,使其达到接近电源轨的毫伏级范围内。这可使功率 MOSFET 的导通电阻达到最小。MAX4426/MAX4427/MAX4428 的高速特性可将开关电源和 DC-DC 转换器中的功率损耗降至最低。
    数据手册
    • 单价:

      ¥65.62 / 个
  • 有货
    • 1+

      ¥56.11
    • 10+

      ¥54.81
    • 30+

      ¥53.94
  • 有货
    • 1+

      ¥32.28
    • 10+

      ¥31.53
    • 30+

      ¥31.03
  • 有货
  • 是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器,可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵,可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关,使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大的栅极电容,非常适合需要快速导通和/或关断时间的高频开关应用或静态开关应用。采用散热增强型 10 引脚 MSOP 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.59
    • 10+

      ¥31.77
    • 30+

      ¥31.23
  • 有货
  • 双路、高速、1.5A MOSFET驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥36.77
    • 10+

      ¥35.91
    • 30+

      ¥35.33
  • 有货
    • 1+

      ¥46
    • 10+

      ¥44.87
    • 30+

      ¥44.12
  • 有货
  • LT8309是一款次级侧同步整流驱动器,在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管,应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值,从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式(DCM)和临界传导模式(CrCM)下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件,实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥60.92
    • 10+

      ¥59
  • 有货
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