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封装：MSOP-8-EP

是一个高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于VIN电压高达80V的应用中。能够承受100V的瞬态电压并继续工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗，上拉峰值输出电流为1.1A，下拉输出阻抗为1.85Ω。具有与电源无关的TTL/CMOS兼容输入阈值，滞后为350mV，输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地95V的电压下工作。针对驱动（5V）逻辑电平FET进行了优化，并包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部MOSFET。采用热增强型8引脚MSOP封装。

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1+
￥53.67
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型号：LTC1693-2IS8#PBF 编号：C676438

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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1+
￥54.12
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￥36.8088 ￥37.56

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型号：LT1166CN8#PBF 编号：C662912

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

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￥46.341 ￥48.78

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型号：ADP3654ARDZ 编号：C1019475

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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￥5.8604 ￥5.98
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￥5.7232 ￥5.84
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￥5.635 ￥5.75
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￥5.0176 ￥5.12

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型号：LTC4442EMS8E#PBF 编号：C688566

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

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￥16.0823 ￥18.07
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￥15.7085 ￥17.65
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￥15.2101 ￥17.09

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型号：MAX31760AEE+ 编号：C400159

封装：QSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

高精度风扇速度控制器，带有非易失查找表、基于专属的查找表风扇控制器，平稳控制将风扇的可闻噪声降至最小

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￥25.06
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￥21.45
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￥19.29

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型号：LTC4444EMS8E#TRPBF 编号：C688575

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4444是一款高频高压栅极驱动器，可在同步DC/DC转换器中驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。这款强大的驱动器可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4444配置有两个独立电源输入

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￥32.29
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￥28.106 ￥30.55

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型号：LTC1693-1CS8#PBF 编号：C676432

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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￥29.5912 ￥31.48

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型号：MAX5064BATC+T 编号：C2677260

封装：TQFN-12-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

特性：高达125V输入操作。 8V至12.6V VDD输入电压范围。 2A峰值源电流和灌电流驱动能力。应用：电信半桥电源

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￥31.1885 ￥32.83

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型号：LTC4440ES6-5#TRMPBF 编号：C580911

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

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￥34.89
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￥26.77

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型号：LTC7001IMSE#PBF 编号：C581062

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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￥48.04
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型号：MAX6650EUB+T 编号：C2653545

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

风扇转速调节器和监控器，带有SMBus™/I²C兼容接口,风扇速度控制、监控电路，实现高性能热管理

1+
￥49.81
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￥43.12
30+
￥37.02
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￥31.584 ￥33.6

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型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

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￥54.35
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￥51.74
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￥50.15

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型号：LTC7000HMSE#PBF 编号：C690077

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。经过冷却期后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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￥61.55
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￥59.49
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￥58.3002 ￥59.49

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型号：MAX627CSA+T 编号：C2677344

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX626/7/8是双路单片功率MOSFET驱动器，旨在将TTL输入转换为高电压/电流输出。MAX626是双路反相功率MOSFET驱动器。MAX627是双路同相功率MOSFET驱动器，而MAX628包含一个反相部分和一个同相部分

1+
￥66.96
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￥57.67
30+
￥52.01
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￥42.0703 ￥47.27

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型号：LTC7000ARMSE#PBF 编号：C3717145

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

1+
￥68.8479 ￥74.03
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￥58.9713 ￥63.41
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￥52.9635 ￥56.95
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￥47.9136 ￥51.52

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型号：MAX4820ETP+ 编号：C1556575

封装：TQFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

+3.3V/+5V、8通道、可级联的继电器驱动器，具有串行/并行接口

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1+
￥75.74
10+
￥65.02
30+
￥58.48

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型号：LTC1693-1IS8#TRPBF 编号：C676435

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

驱动功率 N 沟道 MOSFET 高速运行。1.5A 峰值输出电流可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。包含两个同相驱动器或一个同相和一个反相驱动器，这些双驱动器电气隔离且独立。还具备一个单驱动器，带有输出极性选择引脚。所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入阈值，典型迟滞为 1.2V。它们可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部 MOSFET 的轨到轨 VCC 驱动。包含欠压锁定电路和热关断电路，激活时可禁用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动。

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1+
￥82.11
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￥74.7201 ￥82.11

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型号：VT1697SBFQX 编号：C2653491

封装：FCQFN-16(3.75x6)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

VT1697SB是一款功能丰富的智能从IC，旨在与Maxim的第七代主IC配合使用，以实现高密度多相电压调节器。最多六个智能从IC加上一个主IC可构成一个紧凑的同步降压转换器，该转换器可通过SMBus实现精确的各相电流和温度报告。这款智能从设备包含用于过热、VX短路、所有电源欠压锁定（UVLO）故障和主电源过压锁定（OVLO）故障的保护电路。如果检测到故障，从IC会立即关闭并向主IC发送故障信号。单片集成和先进的封装技术实现了各相实用的高开关频率，与其他实现方式相比，损耗显著降低。这款智能从设备旨在支持相数削减和不连续导通模式（DCM），以在宽负载电流范围内优化效率。高各相电流能力设计搭配低输出电容（COUT），可实现相数更少、占用空间更小的设计。VT1697SB采用带有顶部外露散热焊盘的FCQFN封装。顶部散热可改善向周围环境的热传递，降低PCB板和元件的温度。

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1+
￥96.957 ￥102.06
10+
￥92.2165 ￥97.07
30+
￥83.9895 ￥88.41
100+
￥76.8075 ￥80.85

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型号：LTC7003EMSE#TRPBF 编号：C690098

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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1+
￥24.1912 ￥27.49
10+
￥23.6368 ￥26.86
30+
￥23.2672 ￥26.44
100+
￥22.8888 ￥26.01

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型号：ADP3650JCPZ-RL 编号：C659215

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP3650 是一款双路高压 MOSFET 驱动器，专为驱动非隔离同步降压电源转换器中的两个 N 沟道 MOSFET（即两个开关）而优化。每个驱动器能够驱动 3000 pF 的负载，传播延迟为 45 ns，转换时间为 25 ns。其中一个驱动器可采用自举方式，并设计用于处理与浮动高端栅极驱动器相关的高电压转换速率

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1+
￥25.21
10+
￥21.6
30+
￥19.45
100+
￥16.2432 ￥17.28
500+
￥15.3032 ￥16.28
1000+
￥14.8802 ￥15.83

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型号：LTC7003HMSE#PBF 编号：C690099

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一种快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达60V的输入电压下工作。包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其无限期保持导通。强大的驱动器能够以非常短的转换时间轻松驱动大栅极电容，适用于高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在由外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型16引脚MSOP封装。

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1+
￥27.55
10+
￥26.88
30+
￥26.43
100+
￥25.4702 ￥25.99

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型号：LTC4440ES6#TRMPBF 编号：C360774

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

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1+
￥30.4
10+
￥29.66
30+
￥29.17

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型号：LTC1982ES6#TRMPBF 编号：C580471

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。

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1+
￥33.25
10+
￥32.44
30+
￥31.9
100+
￥29.4784 ￥31.36

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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1+
￥34.22
10+
￥29.32
30+
￥26.41
100+
￥21.5832 ￥23.46
500+
￥20.332 ￥22.1
1000+
￥19.7708 ￥21.49

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型号：LTC1154CS8#PBF 编号：C674678

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

单高端栅极驱动器允许使用低成本N沟道FET进行高端开关应用。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨以上，无需外部组件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行，待机电流为8μA，工作电流为85μA，可在几乎所有系统中实现最高效率。芯片上包含可编程过流检测。可以添加时间延迟，以防止在高浪涌电流负载上误触发。还提供一个高电平有效关断输入，可直接连接到标准PTC热敏电阻以实现热关断。提供一个开漏输出，用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效使能输入，用于成组控制多个开关。

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1+
￥42.812 ￥48.65
10+
￥41.8176 ￥47.52
30+
￥41.1576 ￥46.77
100+
￥40.4976 ￥46.02

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型号：MAX6650EUB+ 编号：C143561

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

风扇转速调节器和监控器，带有SMBus™/I²C兼容接口,风扇速度控制、监控电路，实现高性能热管理

数据手册

1+
￥46.93
10+
￥40.29
50+
￥36.24
100+
￥31.2075 ￥32.85

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型号：LTC7000IMSE#TRPBF 编号：C690081

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

数据手册

1+
￥48.85
10+
￥42.34
30+
￥35.54

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型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

数据手册

1+
￥58.24
10+
￥50.16
30+
￥45.24

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型号：LTC7000IMSE#PBF 编号：C581060

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在由外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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￥66.3
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￥56.97
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￥51.29
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