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  • 7A吸电流/3A灌出电流、8ns、SOT23、MOSFET驱动器、小尺寸、大电流MOSFET驱动器,理想用于高频开关电源
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  • 带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    数据手册
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      ¥18.7164 / 个
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      ¥12.84
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  • LTC4446是一款高频高压栅极驱动器,可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A,下拉输出阻抗为1.2Ω
    数据手册
    • 1+

      ¥20.49
    • 200+

      ¥7.93
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      ¥7.65
    • 1000+

      ¥7.52
  • 订货
  • 高速、高电压、高端栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥27.31
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      ¥26.65
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      ¥26.21
    • 100+

      ¥25.76
  • 订货
  • LTC7067可驱动两个高端N沟道MOSFET,其电源电压最高可达140V。两个驱动器可采用不同的接地参考,具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。这两个驱动器相互对称且彼此独立,支持互补或非互补开关操作
    • 单价:

      ¥18.252 / 个
    是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA(LTC1981为20μA)。低静态电流和低关断电流(低于1μA)使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V,为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚,驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥58.798872
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      ¥55.532268
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      ¥20.57
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      ¥19.43
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      ¥18.92
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      ¥23.03
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  • 是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器,可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵,可完全增强外部N沟道MOSFET开关,使其能够无限期导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容,非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。采用热增强型10引脚MSOP封装。
    数据手册
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      ¥37.11
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  • 快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
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    • 100+

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    • 100+

      ¥47.33
  • 订货
  • 具升压型稳压器的半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥54.6264 / 个
    高边MOSFET驱动器,用于HB LED驱动器和DC-DC应用、高压、高边FET驱动器,为汽车等HB LED应用提供独特、理想的驱动方案
    数据手册
    • 10+

      ¥2.51426
    • 100+

      ¥2.42114
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      ¥2.234898
    • 1000+

      ¥2.141777
    • 2000+

      ¥2.085905
    7.6A, 12ns, SOT23/TDFN MOSFET驱动器
    数据手册
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    • 50+

      ¥8.38008
    • 100+

      ¥8.240412
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      ¥7.961076
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