ADI驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MAX22210ATJ+ 编号：C23889876

封装：TQFN-32(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX22210是一款两相步进电机驱动器。它集成了两个36V、3.8A的MAX H桥。H桥场效应管的阻抗极低，可实现高驱动效率并将产生的热量降至最低

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￥35.48
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￥34.42
30+
￥33.71

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型号：MAX4822ETP+ 编号：C1556550

封装：TQFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

+3.3V/+5V、8通道继电器驱动器，具有快速恢复和省电模式,适用于非锁存或双线圈锁存继电器

1+
￥36.18
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￥35.37
30+
￥34.83

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型号：MAX22205ATU+ 编号：C3681230

封装：TQFN-38(5x7)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

65V, 7.6A大电流单h桥集成电流感应，最高电压最高电流h桥带电流感应节省空间和外部组件

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￥45.43
10+
￥38.75
30+
￥34.68

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型号：MAX4823ETP+ 编号：C1556573

封装：TQFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

+3.3V/+5V、8通道继电器驱动器，具有快速恢复和省电模式,适用于非锁存或双线圈锁存继电器

1+
￥100.13
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￥95.4
30+
￥87.2

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型号：LTC7003EMSE#TRPBF 编号：C690098

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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￥37.42
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￥32.33
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￥29.24
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￥26.64

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型号：LT1910ES8#TRPBF 编号：C579923

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

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￥39.78
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￥34.47
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￥31.24
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￥28.52

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型号：LTC4440ES6#TRMPBF 编号：C360774

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

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￥32.95
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￥32.2
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￥31.7
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型号：LTC1255CS8#PBF 编号：C674814

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

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￥38.06
200+
￥14.73
500+
￥14.21
1000+
￥13.96

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型号：LTC4440AHMS8E-5#PBF 编号：C688540

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于VIN电压高达80V的应用中。能够承受100V的瞬态电压并继续工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗，上拉峰值输出电流为1.1A，下拉输出阻抗为1.85Ω。具有与电源无关的TTL/CMOS兼容输入阈值，滞后为350mV，输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地95V的电压下工作。针对驱动（5V）逻辑电平FET进行了优化，并包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部MOSFET。采用热增强型8引脚MSOP封装。

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￥62.36
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￥61.1
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￥55.02
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型号：LTC7001IMSE#PBF 编号：C581062

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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￥46.46
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￥40.11
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￥36.25
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￥33

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型号：MAX4820ETP+ 编号：C1556575

封装：TQFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

+3.3V/+5V、8通道、可级联的继电器驱动器，具有串行/并行接口

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￥82.26
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￥71.35
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￥64.7

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型号：ADP3654ARHZ-RL 编号：C659221

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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1+
￥14.66
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￥14.28
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￥14.03
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型号：LT1161ISW#PBF 编号：C579671

封装：SO-20-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

是一款四路高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它有四个独立的开关通道，每个通道包含一个完全自包含的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。每个开关通道中还包括一个漏极检测比较器，用于检测开关电流。当超过预设电流水平时，开关将关闭。开关将关闭一段时间，该时间由外部定时电容器设置，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复进行，直到故障消除，从而保护 MOSFET。专为恶劣的操作环境而设计，例如工业和汽车应用，这些环境中可能存在电源调节不佳和/或瞬态情况。该器件在 -15V 至 60V 的电源电压下不会受到损坏。

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1+
￥99.85
10+
￥95.15
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￥87.03
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￥79.93

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型号：MAX15013CASA+ 编号：C1549513

封装：ESOP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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1+
￥155.95
30+
￥148.37

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型号：ADP3654ARDZ 编号：C1019475

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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1+
￥6.22
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￥6.08
30+
￥5.99
100+
￥5.37

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型号：ADP3630ARMZ-R7 编号：C208144

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥11.39
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￥9.72
30+
￥7.81
100+
￥6.74
500+
￥6.26
1000+
￥6.05

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型号：ADP3624ARDZ-RL 编号：C659198

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能

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1+
￥11.54
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￥9.83
30+
￥8.77
100+
￥7.68
500+
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￥6.97

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型号：MAX14870ETC+T 编号：C194048

封装：DFN-12(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

紧凑的4.5V至36V全桥式直流电机驱动器、业内最小的4.5V–36V有刷直流电机驱动器/继电器驱动器

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1+
￥23.17
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￥19.96
30+
￥18.05
100+
￥16.11
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￥15.22
1000+
￥14.82

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型号：LTC4440IS6#TRPBF 编号：C688555

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥23.85
200+
￥9.23
500+
￥8.91
1000+
￥8.75

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型号：LT1910IS8#PBF 编号：C665527

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它包含一个完全独立的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过预设水平时，开关将关闭，并发出故障标志。开关将在由外部定时电容设置的一段时间内保持关闭，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复，直到故障消除，从而保护 MOSFET。故障标志在开关成功重新启动后将变为无效。专为恶劣的操作环境而设计，如工业和汽车应用，可能存在电源调节不佳和/或瞬变的情况。该设备不会因 -15V 至 60V 的电源瞬变而损坏。采用 SO-8 封装。

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1+
￥33.84
10+
￥33.02
30+
￥32.47
100+
￥31.92

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型号：LTC4444IMS8E-5#TRPBF 编号：C688585

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

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1+
￥53.68
10+
￥52.53
30+
￥51.76
100+
￥50.99

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型号：LTC7000JMSE-1#PBF 编号：C1016548

封装：MSOP-12

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥58.37
10+
￥57.07
30+
￥56.2
100+
￥55.33

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型号：LT1161CSW#TRPBF 编号：C662905

封装：SO-24-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

是一款四路高端栅极驱动器，允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它有四个独立的开关通道，每个通道包含一个完全自包含的电荷泵，无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。每个开关通道中还包括一个漏极检测比较器，用于检测开关电流。当超过预设电流水平时，开关将关闭。开关将关闭一段时间，该时间由外部定时电容器设置，然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在，这个循环将重复进行，直到故障消除，从而保护 MOSFET。专为恶劣的操作环境而设计，例如工业和汽车应用，这些环境中可能存在电源调节不佳和/或瞬态情况。该器件在 -15V 至 60V 的电源电压下不会受到损坏。

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