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首页 > 热门关键词 > ADI驱动芯片
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双路、高速、1.5A MOSFET驱动器
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  • 1+

    ¥75.58
  • 10+

    ¥71.98
  • 30+

    ¥65.75
  • 有货
  • 集成推挽式FET驱动器,带有振荡器和时钟输出
    数据手册
    • 1+

      ¥9.4012 ¥24.74
    • 10+

      ¥9.1922 ¥24.19
    • 30+

      ¥9.0554 ¥23.83
    • 100+

      ¥8.9148 ¥23.46
  • 有货
  • 单/双通道、16ns、高吸入/源出电流栅极驱动器、4A、20ns、双MOSFET驱动器,采用3mm x 3mm、增强散热的TDFN封装
    数据手册
    • 1+

      ¥12.98
    • 10+

      ¥12.68
    • 30+

      ¥12.48
    • 100+

      ¥11.2976 ¥12.28
  • 有货
  • 7A吸电流/3A灌出电流、8ns、SOT23、MOSFET驱动器、小尺寸、大电流MOSFET驱动器,理想用于高频开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥17.95
    • 10+

      ¥15.25
    • 30+

      ¥13.55
  • 有货
  • ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器,能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸,同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器,提供两级过温保护,即过温警告和在极端结温下的过温关断功能
    数据手册
    • 1+

      ¥18.7866 ¥19.17
    • 10+

      ¥18.3064 ¥18.68
    • 30+

      ¥17.983 ¥18.35
    • 100+

      ¥17.6596 ¥18.02
  • 有货
  • 高精度风扇速度控制器,带有非易失查找表、基于专属的查找表风扇控制器,平稳控制将风扇的可闻噪声降至最小
    数据手册
    • 1+

      ¥23.66
    • 10+

      ¥20.43
    • 30+

      ¥17.19
  • 有货
  • 4A可吸入/源出电流的12ns、双通道MOSFET驱动器、可源出/吸入大电流并具有超低延时的小尺寸MOSFET驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥24.07
    • 10+

      ¥20.54
    • 30+

      ¥18.44
  • 有货
  • ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器,能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸,同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器,提供两级过温保护,即过温警告和在极端结温下的过温关断功能
    数据手册
    • 1+

      ¥25.33
    • 10+

      ¥24.74
    • 30+

      ¥24.35
    • 100+

      ¥21.3244 ¥23.96
  • 有货
  • 是一款风扇控制器,具备两个8位电流输出DAC、两个转速计接口和四个通用I/O (GPIO)引脚。它由2.7V至5.75V的单电源供电。电流输出DAC用于控制外部开关稳压器,从而控制风扇速度。电流输出DAC和转速计可使控制器在风扇速度上形成闭环控制
    数据手册
    • 1+

      ¥26.739 ¥89.13
    • 10+

      ¥17.03 ¥85.15
    • 30+

      ¥7.825 ¥78.25
    • 100+

      ¥7.224 ¥72.24
  • 有货
  • LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET,电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET,具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
    • 1+

      ¥30.4
    • 10+

      ¥25.96
    • 30+

      ¥23.32
  • 有货
  • LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET,具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥32.5858 ¥39.26
    • 10+

      ¥31.872 ¥38.4
    • 37+

      ¥31.3989 ¥37.83
    • 111+

      ¥30.9175 ¥37.25
  • 有货
  • 是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA(LTC1981为20μA)。低静态电流和低关断电流(低于1μA)使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V,为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚,驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.13
    • 10+

      ¥36.25
    • 30+

      ¥35.67
    • 100+

      ¥31.9228 ¥35.08
  • 有货
  • LTC4440是一款高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器,设计用于输入电压(V₁ₙ)高达80V的应用。LTC4440还能承受100V的V₁ₙ瞬态电压,并在此期间继续正常工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗
    数据手册
    • 1+

      ¥37.1757 ¥44.79
    • 10+

      ¥36.3623 ¥43.81
    • 30+

      ¥35.8228 ¥43.16
    • 100+

      ¥35.275 ¥42.5
  • 有货
  • 驱动功率P沟道MOSFET高速运行。1.5A的峰值输出电流可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。是一款带有输出极性选择引脚的单驱动器。MOSFET驱动器提供与VCC无关的CMOS输入阈值,典型迟滞为1.2V。它可以将输入逻辑信号上下电平转换为外部MOSFET的轨到轨VCC驱动。包含一个欠压锁定电路和一个热关断电路,若激活,将禁用外部P沟道MOSFET栅极驱动。采用8引脚MSOP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.31
    • 10+

      ¥37.33
    • 30+

      ¥36.67
    • 100+

      ¥35.6598 ¥36.02
  • 有货
  • 是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器,可在高达60V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵,可完全增强外部N沟道MOSFET开关,使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容,非常适合需要快速开启和/或关闭时间的高频开关应用或静态开关应用。采用热增强型10引脚MSOP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥44.8
    • 10+

      ¥38.29
    • 30+

      ¥34.31
  • 有货
  • 单高端栅极驱动器允许使用低成本N沟道FET进行高端开关应用。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨以上,无需外部组件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行,待机电流为8μA,工作电流为85μA,可在几乎所有系统中实现最高效率。芯片上包含可编程过流检测。可以添加时间延迟,以防止在高浪涌电流负载上误触发。还提供一个高电平有效关断输入,可直接连接到标准PTC热敏电阻以实现热关断。提供一个开漏输出,用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效使能输入,用于成组控制多个开关。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.09
    • 10+

      ¥45.94
    • 30+

      ¥45.17
    • 100+

      ¥42.18 ¥44.4
  • 有货
  • 集成四个可编程36V半桥,主要用于驱动电感负载,如开关电磁阀、直流电机、比例阀、双稳态阀、继电器等。支持通过串行外设接口(SPI)进行配置设置,也可将设置存储在一次性可编程(OTP)寄存器中,实现独立操作。支持高端/低端单端驱动操作和桥接负载(BTL)配置,也支持通道并联。支持电压控制、电流控制和混合方案。集成了多种功能,可优化电磁阀和直流电机驱动控制,包括两级定序器、驱动信号斜坡控制、抖动功能、快速消磁功能和直流电机电流限制器。具备先进的诊断功能,可提高系统可靠性并实现预测性维护。具有全套保护电路,包括过流保护、过温保护和欠压锁定。提供TQFN32 5mm x 5mm封装。
    • 1+

      ¥78.58
    • 10+

      ¥74.84
    • 30+

      ¥68.36
  • 有货
  • 连接两个输入电源之一到公共输出,基于用户定义的优先级和有效性。外部电阻分压器设置欠压和过压阈值,界定有效电压窗口。强大的栅极驱动器可快速切换大型外部 N 沟道 MOSFET。快速切换电路可在切换通道时最大程度减少输出压降,同时防止反向和交叉传导。快速比较器可检测输入短路并迅速关闭 N 沟道 MOSFET,以最大程度减少干扰。外部检测电阻设置最大浪涌和限流电流。在限流期间,控制 N 沟道 MOSFET 栅极,使检测电阻两端的电压稳定在 25mV。当检测电阻电压在用户可设置的时间内稳定在 25mV 时,断开通道并设置故障。
    数据手册
    • 1+

      ¥85.47
    • 10+

      ¥82.61
    • 100+

      ¥78.4795 ¥82.61
  • 有货
  • 是一款四路高端栅极驱动器,允许使用低成本 N 沟道功率 MOSFET 进行高端开关应用。它有四个独立的开关通道,每个通道包含一个完全自包含的电荷泵,无需外部组件即可完全增强 N 沟道 MOSFET 开关。每个开关通道中还包括一个漏极检测比较器,用于检测开关电流。当超过预设电流水平时,开关将关闭。开关将关闭一段时间,该时间由外部定时电容器设置,然后自动尝试重新启动。如果故障仍然存在,这个循环将重复进行,直到故障消除,从而保护 MOSFET。专为恶劣的操作环境而设计,例如工业和汽车应用,这些环境中可能存在电源调节不佳和/或瞬态情况。该器件在 -15V 至 60V 的电源电压下不会受到损坏。
    数据手册
    • 1+

      ¥99.85
    • 10+

      ¥95.15
    • 30+

      ¥87.03
  • 有货
  • 大功率优先化PowerPath控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥108.77
    • 10+

      ¥103.48
    • 30+

      ¥94.32
  • 有货
  • +3.3V/+5V、8通道、可级联的继电器驱动器,具有串行/并行接口
    • 1+

      ¥17.71
    • 10+

      ¥15
    • 30+

      ¥13.31
  • 有货
  • 175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器,具有低至35ns传输延时,驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度
    数据手册
    • 1+

      ¥25.46
    • 10+

      ¥24.87
    • 30+

      ¥24.48
    • 100+

      ¥21.4312 ¥24.08
  • 有货
  • MAX14919/MAX14919A 工业防护型四通道低边开关的特点是,每通道导通电阻(R o N)典型值为 140mΩ,集成了 ±1kV/42Ω 浪涌保护,可实现稳定运行。通过电阻设置的精确限流功能,可确保工作电流在 100mA 至 800mA 范围内。利用 2 倍浪涌负载电流选项,可支持需要大启动电流或浪涌电流的负载
    • 1+

      ¥26.5188 ¥27.06
    • 10+

      ¥25.8426 ¥26.37
    • 30+

      ¥25.3918 ¥25.91
    • 100+

      ¥24.9312 ¥25.44
  • 有货
  • 是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA(LTC1981为20μA)。低静态电流和低关断电流(低于1μA)使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V,为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚,驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥41.308 ¥44.9
    • 10+

      ¥40.3144 ¥43.82
    • 30+

      ¥39.652 ¥43.1
    • 100+

      ¥38.9896 ¥42.38
  • 有货
  • LTC4446是一款高频高压栅极驱动器,可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A,下拉输出阻抗为1.2Ω
    数据手册
    • 1+

      ¥42.3134 ¥50.98
    • 10+

      ¥41.3921 ¥49.87
    • 30+

      ¥40.7696 ¥49.12
    • 100+

      ¥40.1554 ¥48.38
  • 有货
  • 是用于PMSM伺服或BLDC电机的高功率栅极驱动器。使用六个外部MOSFET,可控制从待机到千瓦级的电机。软件控制的驱动强度可在系统内进行EME优化。可编程的安全特性(如短路检测和过热阈值)以及用于诊断的SPI接口,可实现稳健可靠的设计。只需最少数量的外部组件,即可构建具有全面保护和诊断功能的坚固驱动器。
    • 1+

      ¥43.03
    • 10+

      ¥41.95
    • 30+

      ¥41.23
    • 100+

      ¥39.6998 ¥40.51
  • 有货
  • MAX14870/MAX14872电机驱动器为驱动和控制工作电压在4.5V至36V之间的有刷直流电机和继电器提供了一种小巧、低功耗且简单的解决方案。极低的驱动器导通电阻可降低功耗。这些驱动器采用无电荷泵设计,减少了外部元件数量并降低了电源电流
    • 1+

      ¥43.4104 ¥49.33
    • 10+

      ¥37.4088 ¥42.51
    • 30+

      ¥33.7568 ¥38.36
    • 100+

      ¥30.6856 ¥34.87
  • 有货
  • 是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器,可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵,可完全增强外部N沟道MOSFET开关,使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的过渡时间内轻松驱动大的栅极电容,非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时,会发出故障标志,并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后,会自动重试。采用热增强型16引脚MSOP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥43.6982 ¥44.59
    • 10+

      ¥42.581 ¥43.45
    • 30+

      ¥41.8362 ¥42.69
    • 100+

      ¥41.0914 ¥41.93
  • 有货
  • LT8309是一款次级侧同步整流驱动器,在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管,应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值,从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式(DCM)和临界传导模式(CrCM)下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件,实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥49.68
    • 10+

      ¥48.53
    • 30+

      ¥47.76
    • 100+

      ¥41.8211 ¥46.99
  • 有货
  • 快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥49.86
    • 10+

      ¥42.8
    • 30+

      ¥38.5
  • 有货
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